单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术主要涉及薄膜的制备设备。一种单／多晶硅薄膜制备装置，包括有真空镀膜机，其主要特点是还包括有在真空罐（３）内设有的工件车（２）的内侧固连有磁控溅射机构（６），包括有靶盘（６１），磁控器（６２）；在真空罐（３）上设有氩气入口（９）。本实用新型专利技术的有益效果是，由于组件中各膜层沉积都是在同一真空室体中进行，在保证光电转换效率的同时可以节省大量的时间，且根据不同工艺，利用该实用新型专利技术可以在计算机控制下连续完成光电转换组件的生产，因此便于工业化自动化硅膜及组件生产。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术主要涉及薄膜的制备设备。技术背景-目前国内外用于硅晶(单晶硅、多晶硅)薄膜的制备方法多采用化学气相法或者是 磁控溅射法制备，因此采用的设备为CVD和磁控溅射设备；对于硅晶薄膜器件的制备， 则多采用分步制备，如铝电极的蒸发、多晶硅薄膜的沉积及热处理、透明导电膜的沉积 以及表面减发射膜的蒸发等，需要在不同的真空镀膜设备中沉积。每次镀膜前为了将本 底真空抽到一定程度都需要耗费大量的时间，这样极不利于工业化生产，且由于连续的 镀膜须在不同的真空室体中进行，因此势必会造成膜层的污染，从而降低制备薄膜的光 学性能，影响所得组件的光电转换效率。
技术实现思路
本技术的目的在于避免现有装置的不足之处而提供一种单/多晶硅薄膜及其组 件的制备装置。使得组件中电极、硅晶薄膜、透明导电薄膜以及保护膜层的制备在同一 真空室体中进行，以解决由于污染引起的光电转换效率降低和由于分步沉积而造成的耗 时耗能等问题。本技术的目的可以通过采用以下技术方案来实现 一种单/多晶硅薄膜制备装 置，包括有真空镀膜机，其主要特点是还包括有在真空罐G)内设有的工件车(2)的内侧固连有磁控溅射机构(6)，包括有靶盘(61)，磁控器(62);在真空罐(3)上设有 氩气入口 (9)。所述的单/多晶硅薄膜制备装置，所述的真空镀膜机包括有真空罐(3)，其内设有可 公转的工件车(2)，在工件车(2)的内侧固连有铝蒸发台(7);在工件车(2)的内外 侧分别固连有电极板(10a、 10b);在真空罐(3)上设有与真空系统相连接的抽气口 (4)， 还设有氮气入口 (8)。所述的单/多晶硅薄膜制备装置，在铝蒸发台(7)的一侧还设有氟化镁蒸发台(1)。 所述的单/多晶硅薄膜制备装置，所述的工件车(2)的公转数为2—5r/min。 所述的单/多晶硅薄膜制备装置，还包括有联结在工件车(2)上的薄膜基底(5)围 绕自身中心自转。所述的单/多晶硅薄膜制备装置，所述的磁控溅射机构(6)为1一3个，设在薄膜基 底(5)的沉积面，靶盘(61)与薄膜基底(5)的沉积面的距离为50—100mm。所述的单/多晶硅薄膜制备装置，所述的1—3个磁控溅射机构(6)相对其薄膜基底 (5)的沉积面设为一字形、八字形，。所述的单/多晶硅薄膜制备装置，还包括有在所述的电极板(10a、 10b)之间的电压 为2500—3200V。所述的单/多晶硅薄膜制备装置，还包括有在所述的靶盘(61)的磁场为300~600 Gs。 所述的单/多晶硅薄膜制备装置，其特征是还包括有所述的蒸发台的电流强度2000~ 4000A。本技术的有益效果是，由于组件中各膜层沉积都是在同一真空室体中进行，在 保证光电转换效率的同时可以节省大量的时间，且根据不同工艺，利用该技术可以 在计算机控制下连续完成光电转换组件的生产,因此便于工业化自动化硅膜及组件生产。附图说明图1为本技术实施例的径向剖视示意图。具体实施方式以下结合附图所示之最佳实施例作进一步详述-实施例1:见图1， 一种单/多晶硅薄膜制备装置，有真空罐3，其内设有可公转的工件车2，工件车2的公转数为2—5r/min。联结在工件车2上的薄膜基底5围绕自身中心 自转。在工件车2的内侧固连有铝蒸发台7和氟化镁蒸发台1。在工件车2的内外侧分 别固连有电极板10a、 10b;在真空罐3上设有与真空系统相连接的抽气口4，还设有氮 气入口 8。在真空罐3内设有的工件车2的内侧固连有2个磁控溅射机构6，包括有靶盘 61，磁控器62;相对其薄膜基底5的沉积面设为八字形。设在薄膜基底5的沉积面，靶 盘61与薄膜基底5的沉积面的距离为50mm。电极板10a、 10b之间的电压为2500~ 3200V。靶盘61的磁场为300—600Gs。蒸发台的电流强度2000—4000A。在真空罐3上设有氩气入口 9。使用时，根据硅晶薄膜组件制备工艺，将7、 1上分别装上蒸发电极用铝片(99.9%) 和蒸发减反射膜用氟化镁(99.99%); 6、 61 、 62分别装氧化锌(99.99%)、氧化铝(99.99%)以及高纯硅片，用于制备透明导电膜和多晶硅薄膜；具体的流程如下A、 将经前处理过的基底装入真空室体3，启动真空泵组，将室体真空度抽到 2~4X10-3;B、 通过8或9充入氮气或氩气，调节压力到2 4X1(T2，在电极板10a、 10b 之间加电压2500—3200V ，辉光清洗。C、 启动铝蒸发电源，进行铝电极蒸发沉积；D、 关闭铝蒸发电源7，启动直流磁控溅射电源62，沉积硅晶薄膜，此时需将 基片定位在位置5;E、 关闭62，启动直流磁控透明导电薄膜制备电话(6、 61)，沉积透明导电电 极；F、 关闭6、 61，开启氟化镁蒸发电源l，制备减发射氟化镁膜。 如需制备单晶硅薄膜时，需在A、 B步骤之间加"启动室体加热电偶，将室体温度加热到100~160°C"且不需步骤C。权利要求1.一种单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，包括有真空镀膜机，其特征是还包括有在真空罐(3)内设有的工件车(2)的内侧固连有磁控溅射机构(6)，磁控溅射机构(6)包括有靶盘(61)，磁控器(62)；在真空罐(3)上设有氩气入口(9)。2. 如权利要求1所述的单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，其特征是所述的真空镀膜 机包括有真空罐(3)，其内设有可公转的工件车(2)，在工件车(2)的内侧固连有 铝蒸发台(7);在工件车(2)的内外侧分别固连有电极板(10a、 10b);在真空罐(3) 上设有与真空系统相连接的抽气口 (4)，还设有氮气入口 (8)。3. 如权利要求l或2所述的单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，其特征是在铝蒸发台(7) 的一侧还设有氟化镁蒸发台(1)。4. 如权利要求1所述的单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，其特征是所述的工件车(2) 的公转数为2—5r/min。5. 如权利要求1所述的单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，其特征是还包括有联结在 工件车(2)上的薄膜基底(5)围绕自身中心自转。6. 如权利要求1所述的单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，其特征是所述的磁控溅射 机构(6)为1—3个，设在薄膜基底(5)的沉积面，靶盘(61)与薄膜基底(5) 的沉积面的距离为50"—100mm。7. 如权利要求6所述的单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，其特征是所述的1—3个磁 控溅射机构(6)相对其薄膜基底(5)的沉积面设为一字形、八字形，。8. 如权利要求1所述的单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，其特征是还包括有在所述 的电极板(10a、 10b)之间的电压为2500—3200V。9. 如权利要求1所述的单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，其特征是还包括有所述的 耙盘(61)的磁场为300~~600 Gs。10. 如权利要求1所述的单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，其特征是还包括有所述的 蒸发台的电流强度2000^4000A。专利摘要本技术主要涉及薄膜的制备设备。一种单/多晶硅薄膜制备装置，包括有真空镀膜机，其主要特点是还包括有在真空罐(3)内设有的工件车(2)的内侧固连有磁控溅射机构(6)，包括有靶盘(61)，磁控器(62)；在真空罐(3)上设有氩气入口(9)。本技术的有益效果是，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单／多晶硅薄膜及其组件的制备装置，包括有真空镀膜机，其特征是还包括有在真空罐（３）内设有的工件车（２）的内侧固连有磁控溅射机构（６），磁控溅射机构（６）包括有靶盘（６１），磁控器（６２）；在真空罐（３）上设有氩气入口（９）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范多旺，范多进，令晓明，姚小明，孔令刚，王成龙，
申请(专利权)人：兰州大成自动化工程有限公司，兰州交通大学，
类型：实用新型
国别省市：62[中国|甘肃]