一种新型的ＫＤＰ类晶体的生长装置，涉及人工晶体生长领域。它是由主槽体６和育晶缸８两个部分组成。本实用新型专利技术的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氯钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的ＫＤＰ类晶体的生长。使用这种生长装置，能很好地克服在晶体生长过程中杂晶的干扰，提高晶体生长的成功率，并能提高晶体的生长温度，从而有效地提高晶体的质量和产率。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术的专利技术属于晶体生长装置领域，特别属于KDP类晶体的生长装置。
技术介绍
KDP类的晶体的发现和研究已有半个多世纪的历史，这类晶体具有多功能的性质，是一种经久不衰的晶体。它们是一种以离子键为主的多键型晶体，一般是用溶液法生长。随着激光约束核聚变(ICF)的发展、子光束的增加和输出能量的提高，对作为Q开关和二、三倍频的KDP和DKDP晶体的尺寸、数量和光学质量都提出了更高的要求，特别是在晶体的数量上会大大增加。采用传统的生长装置生长这类晶体，由于在过饱和溶液中生长，下籽晶和生长过程中都容易出现杂晶或别的晶相的干扰，使晶体的产率降低。传统的KDP类晶体的生长装置外面的保温层是单层，是用塑料制作，由于塑料在高温下会变软，这样晶体的生长温度一般只能在50℃左右。传统的生长装置中的生长缸是圆柱形的，底部是平面的，在晶体的下籽晶和生长过程中，一旦有杂晶或其它的晶相出现，生长就失败或晶体的产率大大降低。传统的DKP类晶体的生长装置外面的保温是单层，是用塑料制作，由于塑料在较高的温度下会变型，这样晶体的生长温度一般只能在50℃左右。传统的生长装置中的生长缸是圆拄形的，底部是平面，在晶体的下籽晶和生长过程中，一旦有杂晶或其它的晶相出现，生长就失败或晶体的产率大大降低。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于通过提高晶体的生长温度和降低杂晶的干扰，从而提高晶体的生长成功率和产率。本技术的KDP类晶体的生长装置是由主槽体6和育晶缸8两个部分组成。主槽体由内外两层组成，外层是用塑料制作，内层不锈钢材料。主槽体6还包括加热器4、搅拌器5和测温感应器10几部分。育晶缸8由载晶架3、缸盖2、液封装置1、晶体9以及保护材料7几部分组成。主槽体6的形状为圆柱形，圆柱的上底面有圆形的开口，开口的内直径等于漏斗形底育晶缸8的外直径，育晶缸8和主槽体6之间入装蒸馏水。育晶缸8用玻璃制作而成，是盛放生长溶液的容器，缸的底部是漏斗形的，漏斗下面有一很小的漏斗管，管内盛有于生长晶体的培养液不相溶的液体。漏斗形底生长缸上面有一弧形的缸盖2，盖的顶部有一开口，上连有液封装置1。本技术可用于生长磷酸二氢钾晶体(化学式KH2PO4，简称KDP)，也适用同类型其它晶体，例如磷酸二氘钾(DKDP)、磷酸二氢氨(ADP)和磷酸二氘氨(DADP)及同系列的KDP类晶体的生长。采用上述的生长装置生长KDP类晶体有以下的优点采用本生长装置生长KDP类晶体，能提高生长槽的保温效果和晶体生长的起始温度。双层的主槽体能增加保温效果，提高晶体生长过程中温度的稳定性，从而提高晶体的光学质量。由于主槽体的内层由不锈钢制作，使得主槽体能在90℃以上不会变形。这样可提高晶体生长的起始温度，使晶体的产率大大提高。在装置中采用漏斗形底育晶缸，能优化生长过程的动力学系统，提高晶体的质量。在缸底部的漏斗管内盛有一于生长晶体的培养液不相溶的液体。使得在下籽晶和生长过程中，出现的小杂晶或其它的晶相能聚集在漏斗管内，这样使得出现的小杂晶或其它的晶相与生长溶液分开，从而抑制了杂晶的生长，提高晶体的生长成功率和产率。附图说明附图为新型的KDP类晶体的生长装置图具体实施方式采用本技术培养DKDP晶体采用高纯度的原了配制光学纯DKDP培养液。用PH试剂测出溶液的PD值，将培养液的PD值调节至3.5--4.0的范围内，用吊晶法测出溶液的饱和点约为60℃。用0.15μm的滤膜对溶液进行净化处理。在载晶架上固定好一定尺寸的DKDP晶体作为籽晶。在包温层和生长缸之间的夹层盛满蒸馏水。生长缸底部的漏斗管内盛满一种与生长晶体的培养液不相溶的液体。生长缸上部盛满饱和点约为60℃的DKDP溶液，体积为10000ml。在高于饱和点温度2以上引入籽晶，再降至饱和点的温度。生长过程的工艺参数为成锥时降温速率是正常生长时降温速率的两倍(当然，要计算好籽晶尺寸与溶液体积的比例，统称为体面比)。转速为30转/分，转动周期为30分钟正转-10分钟停转-30分钟反转。经过100天的生长得到尺寸为65×65×200mm3的晶体。生长出的晶体具有很好的光学均匀性，晶体的电导率和激光阈值也都较好。权利要求1.一种新型的KDP类晶体的生长装置由主槽体(6)和育晶缸(8)两个部分组成，主槽体由内外两层组成，外层是用塑料制作，内层不锈钢材料，主槽体(6)还包括加热器(4)、搅拌器(5)和测温感应器(10)几部分；育晶缸(8)由载晶架(3)、缸盖(2)、液封装置(1)、晶体(9)以及保护材料(7)几部分组成；主槽体6的形状为圆柱形，圆柱的上底面有圆形的开口，开口的内直径等于漏斗形底育晶缸8的外直径，育晶缸8和主槽体6之间入装蒸馏水。专利摘要一种新型的KDP类晶体的生长装置，涉及人工晶体生长领域。它是由主槽体6和育晶缸8两个部分组成。本技术的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氯钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。使用这种生长装置，能很好地克服在晶体生长过程中杂晶的干扰，提高晶体生长的成功率，并能提高晶体的生长温度，从而有效地提高晶体的质量和产率。文档编号C30B7/08GK2761627SQ20042001322公开日2006年3月1日 申请日期2004年12月28日 优先权日2004年12月28日专利技术者潘建国, 曾金波, 林秀钦, 魏兆敏, 林羽, 林敢 申请人:中国科学院福建物质结构研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型的ＫＤＰ类晶体的生长装置由主槽体（６）和育晶缸（８）两个部分组成，主槽体由内外两层组成，外层是用塑料制作，内层不锈钢材料，主槽体（６）还包括加热器（４）、搅拌器（５）和测温感应器（１０）几部分；育晶缸（８）由载晶架（３）、缸盖（２）、液封装置（１）、晶体（９）以及保护材料（７）几部分组成；主槽体６的形状为圆柱形，圆柱的上底面有圆形的开口，开口的内直径等于漏斗形底育晶缸８的外直径，育晶缸８和主槽体６之间入装蒸馏水。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘建国，曾金波，林秀钦，魏兆敏，林羽，林敢，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：实用新型
国别省市：35[中国|福建]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。