集成电路、设计集成电路的计算系统和计算机实施的方法技术方案

计算机实施的方法包括基于定义集成电路的设计数据来放置标准单元。通过执行无色布线来生成集成电路的布局。基于间隔约束，将包括在四重图案化光刻(QPL)层中的第一图案、第二图案、第三图案和第四图案布置在所放置的标准单元上。所生成的布局被存储到计算机可读存储介质。间隔约束定义了第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间的最小间隔。该方法包括将第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分别地分配给第一图案、第二图案、第三图案和第四图案。基于布局生成掩膜。通过使用所生成的掩膜来制造半导体器件。第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中的两个图案之间的间隔小于间隔约束中的相对应的间隔约束指示颜色违规。

Integrated circuits, computing systems for designing integrated circuits, and methods of computer implementation.

Computer implementation methods include placing standard cells on the basis of defining the design data of integrated circuits. The layout of integrated circuits is generated by performing colorless wiring. Based on interval constraints, a first pattern, a second pattern, a third pattern, and a fourth pattern included in the four heavy patterned photolithography (QPL) layer are arranged on the standard unit placed. The generated layout is stored in a computer-readable storage medium. The interval constraint defines the minimum interval between the first pattern, the second pattern, the third pattern and the fourth pattern. The method consists of assigning first, second, third, and fourth colors to the first, the second, the third and the fourth, respectively. The mask is generated based on the layout. Semiconductor devices are fabricated by using the generated mask. The interval between the first pattern, the second pattern, the third pattern and the two pattern in the fourth pattern is less than the corresponding interval constraint in the interval constraint indicating the color violation.

【技术实现步骤摘要】
集成电路、设计集成电路的计算系统和计算机实施的方法对相关申请的交叉引用本申请要求于2016年12月16日向韩国知识产权局提交的第10-2016-0172892号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入于此。
本专利技术构思的示例性实施例涉及用于四重图案化光刻(quadruplepatterninglithography，QPL)的集成电路，并且更具体地，涉及用于设计该集成电路的计算系统和计算机实施的方法。
技术介绍
随着半导体工艺技术的发展，集成电路的设计规则已经变得更加复杂。例如，可以减小相邻图案之间的间隙的大小。考虑到图案化分辨率，可以通过使用多个掩膜而不是单个掩膜来形成在层中所包括的多个图案。使用多个掩膜的图案化技术可以被称为多重图案化技术。例如，使用四个掩膜的图案化技术可以被称为四重图案化光刻(QPL)。作为示例性QPL工艺，可以执行对多个图案分配颜色的颜色分解(colordecomposition)。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，一种计算机实施的方法，包括：基于定义集成电路的设计数据来放置标准单元。通过执行无色布线(routing)来生成集成电路的布局。基于间隔约束，将包括在四重图案化光刻(QPL)层中的第一图案、第二图案、第三图案和第四图案布置在所放置的标准单元上。将生成的布局存储到计算机可读存储介质。间隔约束定义第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间的最小间隔。该方法包括将第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分别分配给第一图案、第二图案、第三图案和第四图案。该方法包括：基于布局生成掩膜，以及通过使用生成的掩膜来制造半导体器件。第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中的两个图案之间的间隔小于间隔约束中的相对应的间隔约束指示颜色违规(colorviolation)。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种计算系统，包括：存储器，配置为存储用于设计集成电路的过程。处理器配置为访问存储器并且执行用于设计集成电路的过程。用于设计集成电路的过程包括：放置器，配置为基于定义集成电路的设计数据来放置标准单元。过程包括：布线器，配置为执行无色布线。布线基于间隔约束将包括在四重图案化光刻(QPL)层中的第一图案、第二图案、第三图案和第四图案布置在所放置的标准单元上。间隔约束定义第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间的最小间隔，使得在第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间不发生颜色违规。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种制造半导体器件的方法，该方法至少部分地由处理器执行，该方法包括：基于定义集成电路的设计数据来放置标准单元。通过执行无色布线来生成集成电路的布局。基于间隔约束，将包括在四重图案化光刻(QPL)层中的第一图案、第二图案、第三图案和第四图案布置在所放置的标准单元上。通过使用四重图案化光刻根据布局来制造半导体器件。间隔约束定义第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间的最小间隔，使得在第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间不发生颜色违规。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种集成电路，包括：包括分别被分配了第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色的第一图案、第二图案、第三图案和第四图案的层。第一图案和第二图案在第一方向上延伸并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此相邻。第一图案与第二图案之间的边到边(sidetoside)间隔以及第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中的至少两个之间的角到角(cornertocorner)间隔满足或超过最小间隔约束，该最小间隔约束包括分配了不同颜色的图案之间的最小边到边间隔。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种半导体器件，包括：基板；以及包括使用第一掩膜、第二掩膜、第三掩膜和第四掩膜在基板上形成的多个图案的层。多个图案包括：使用第一掩膜形成的、在第一方向上延伸的第一图案，以及使用第二掩膜形成的、在第一方向上延伸并且在与第一方向垂直的第二方向上与第一图案相邻的第二图案。第一图案与第二图案之间的边到边间隔以及多个图案中的至少两个之间的角到角间隔满足或超过最小间隔约束，该最小间隔约束包括分配了不同颜色的图案之间的最小边到边间隔。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种计算机可读存储介质，其上存储有用于执行方法的计算机程序。该方法包括：基于定义集成电路的设计数据来放置标准单元。通过执行无色布线来生成集成电路的布局。基于间隔约束，将包括在四重图案化光刻(QPL)层中的第一图案、第二图案、第三图案和第四图案布置在所放置的标准单元上。将生成的布局存储到计算机可读存储介质。间隔约束定义第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间的最小间隔，使得在第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间不发生颜色违规。附图说明通过参考附图详细地描述本专利技术构思的示例性实施例，本专利技术构思的上述和其它特征将变得更加明显，在附图中：图1是根据本专利技术构思的示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图；图2A、图2B、图2C和图2D是用于描述根据本专利技术构思的示例性实施例的四重图案化光刻(QPL)的图；图3是根据本专利技术构思的示例性实施例的用于设计集成电路的计算系统的框图；图4示出存储在图3的存储器中的程序的示例；图5是根据本专利技术构思的示例性实施例的用于设计集成电路的计算系统的框图；图6是根据本专利技术构思的示例性实施例的设计集成电路的方法的流程图；图7A、图7B、图7C、图7D和图7E示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的用于被分配了不同颜色的图案的间隔约束；图8A、图8B、图8C、图8D和图8E示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的用于被分配了相同颜色的图案的间隔约束；图9是根据本专利技术构思的示例性实施例的设计集成电路的方法的流程图；图10示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的用于包括在双向层中的图案的间隔约束；图11A、图11B和图11C示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的关于包括在双向层中的图案的颜色违规检查结果；图12示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的用于包括在单向层中的图案的间隔约束；图13A、图13B和图13C示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的关于包括在单向层中的图案的颜色违规检查结果；图14示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的通过关于QPL层的颜色分解生成的布局的示例；图15是根据本专利技术构思的示例性实施例的集成电路的布局；图16是沿图15的XVI-XVI'线截取的横截面图；以及图17示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的计算机可读存储介质。具体实施方式将在下面参考附图更详细地描述本专利技术构思的示例性实施例。图1是根据本专利技术构思的示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程。图2A、图2B、图2C和图2D是用于描述根据本专利技术构思的示例性实施例的四重图案化光刻(QPL)的图。例如，图2A至图2D可以分别对应于图1的操作S120、S140、S160和S180的结果。以下将参考图1和图2A至图2D更详细地描述根据本专利技术构思的示例性实施例的、通过使用QPL制造半导体器件100b的方法。该方法可以包括放置(操作S100)、无色布线(colorlessrouting)(操作S120)、颜色分解(操作S140)、掩膜生成(操作S160)以及使用QPL的半导体器件的制造(操作S180)。在操作S10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种计算机实施的方法，包括：基于定义集成电路的设计数据来放置标准单元；通过执行无色布线来生成集成电路的布局，其中，基于间隔约束来将在四重图案化光刻(QPL)层中所包括的第一图案、第二图案、第三图案和第四图案布置在所放置的标准单元上；将所生成的布局存储到计算机可读存储介质，其中，所述间隔约束定义第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间的最小间隔；将第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分别地分配给第一图案、第二图案、第三图案和第四图案；基于布局来生成掩膜；以及通过使用所生成的掩膜来制造半导体器件，其中，第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中的两个图案之间的间隔小于间隔约束中的相对应的间隔约束指示颜色违规。

【技术特征摘要】
2016.12.16 KR 10-2016-01728921.一种计算机实施的方法，包括：基于定义集成电路的设计数据来放置标准单元；通过执行无色布线来生成集成电路的布局，其中，基于间隔约束来将在四重图案化光刻(QPL)层中所包括的第一图案、第二图案、第三图案和第四图案布置在所放置的标准单元上；将所生成的布局存储到计算机可读存储介质，其中，所述间隔约束定义第一图案、第二图案、第三图案和第四图案之间的最小间隔；将第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分别地分配给第一图案、第二图案、第三图案和第四图案；基于布局来生成掩膜；以及通过使用所生成的掩膜来制造半导体器件，其中，第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中的两个图案之间的间隔小于间隔约束中的相对应的间隔约束指示颜色违规。2.根据权利要求1所述的方法，其中，掩膜包括第一掩膜、第二掩膜、第三掩膜和第四掩膜，并且第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分别地对应于第一掩膜、第二掩膜、第三掩膜和第四掩膜。3.根据权利要求1所述的方法，其中，生成布局包括：接收包括间隔约束的技术文件以及基于所接收的技术文件来执行无色布线。4.根据权利要求1所述的方法，其中，第一图案和第二图案在第一方向上延伸并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此相邻，以及间隔约束包括第一间隔约束，所述第一间隔约束将第一图案与第二图案之间的最小间隔定义为第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中被分配了不同颜色的图案之间的第一间隔。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一间隔是第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中被分配了不同颜色的图案之间的最小边到边间隔。6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述间隔约束还包括第二间隔约束，所述第二间隔约束定义了第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中被分配了不同颜色的图案之间的最小角到角间隔。7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述四重图案化光刻层是双向层，第三图案在第一方向上延伸并且在第一方向上与第一图案或第二图案对准；以及所述间隔约束还包括第三间隔约束，所述第三间隔约束将第一图案或第二图案与第三图案之间的最小间隔定义为第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中被分配了相同颜色的图案之间的第二间隔。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二间隔是第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中被分配了相同颜色的图案之间的最小端到端间隔。9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第四图案在第二方向上延伸，并且所述间隔约束还包括第四间隔约束，所述第四间隔约束将第四图案与第一图案至第三图案中的每个之间的最小间隔定义为第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中被分配了相同颜色的图案之间的第三间隔。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第三间隔是第一图...

【专利技术属性】
技术研发人员：元孝植，张铭洙，朴炫洙，曹多演，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR