一种研磨盘结构及研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种研磨盘结构及研磨装置，所述研磨盘结构包括：上研磨盘，所述上研磨盘包括上研磨盘本体，及设于所述上研磨盘本体下方的至少一个定位柱；下研磨盘，所述下研磨盘包括下研磨盘本体，贯通所述下研磨盘本体、且与所述定位柱适配的第一通孔；及设于所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的电磁体，所述电磁体包括电磁体本体，及贯通所述电磁体本体、且与所述定位柱适配的第二通孔。通过本实用新型专利技术提供的研磨盘结构及研磨装置，解决了现有研磨设备更换研磨垫时，花费时间较长的问题。 1

An abrasive disc structure and grinding device

The utility model provides an abrasive disc structure and an abrasive device, which comprises an upper grinding disc, which comprises an upper grinding disc body and at least one positioning column under the upper body of the upper grinding disc; the lower grinding disc comprises a lower grinding disc body, through which the grinding disc is penetrated. A first pass hole suitable for the positioning column, and an electromagnet arranged between the upper grinding disc and the lower grinding disc, the electromagnets including the electromagnet body, and the second through holes which are connected to the electromagnet body and fit with the positioning column. The grinding disc structure and the grinding device provided by the utility model solve the problem that the existing grinding equipment is time consuming when changing the grinding pad. One

【技术实现步骤摘要】
一种研磨盘结构及研磨装置
本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种研磨盘结构及研磨装置。
技术介绍
在半导体工艺流程中，化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是非常重要的一道工序，有时也称之为化学机械平坦化。所谓化学机械抛光，它是采用化学与机械综合作用从半导体硅片上去除多余材料，并使其获得平坦表面的工艺过程。化学机械研磨的主要设备一般包括：研磨盘、研磨垫(Pad)、研磨液供给器、及研磨头。研磨垫设置于研磨盘上，研磨头的下方设有待研磨晶圆，所述待研磨晶圆与研磨垫接触，研磨液供给器用于提供研磨液(Slurry)至研磨垫表面；研磨液以一定的速率流到研磨垫的表面，研磨头给待研磨晶圆施加一定的压力，使得待研磨晶圆的待研磨面与研磨垫产生机械接触，在研磨过程中，研磨头、及研磨盘分别以一定的速度旋转，通过机械和化学作用去除待研磨晶圆表面的薄膜，从而达到待研磨晶圆表面平坦化的目的。在化学机械研磨过程中，由于研磨垫会逐渐损耗，故需要定期更换研磨垫；而现有更换研磨垫的方法一般分为去除旧的研磨垫，清洁研磨盘表面，及安装新的研磨垫3个步骤，需要花费一定的时间。鉴于此，有必要设计一种新的研磨盘结构及研磨装置用以解决上述技术问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种研磨盘结构及研磨装置，解决了现有研磨设备更换研磨垫时，花费时间较长的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种研磨盘结构，所述研磨盘结构包括：上研磨盘，所述上研磨盘包括上研磨盘本体，及设于所述上研磨盘本体下方的至少一个定位柱；下研磨盘，所述下研磨盘包括下研磨盘本体，贯通所述下研磨盘本体、且与所述定位柱适配的第一通孔；及设于所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的电磁体，所述电磁体包括电磁体本体，及贯通所述电磁体本体、且与所述定位柱适配的第二通孔。优选地，所述研磨盘结构还包括设于所述第一通孔下方的气缸，其中，所述气缸包括做往复直线运动的气缸。优选地，所述气缸包括缸筒，及设于所述缸筒内的活塞杆，其中，所述缸筒内径大于所述第一通孔的直径。优选地，所述定位柱的高度小于或等于所述电磁体与所述下研磨盘的厚度之和，所述活塞杆的直径小于或等于所述第一通孔的直径。优选地，所述定位柱的高度大于所述电磁体与所述下研磨盘的厚度之和。优选地，所述上研磨盘本体的厚度介于2mm～100mm。优选地，所述研磨盘结构还包括设于所述上研磨盘上的一透明窗口。本技术还提供了一种研磨装置，所述研磨装置包括如上述任一项所述的研磨盘结构，及设于所述上研磨盘表面的研磨垫。如上所述，本技术的一种研磨盘结构及研磨装置，具有以下有益效果：本技术通过将研磨盘结构中的上研磨盘设置为可拆卸结构，实现在更换研磨垫时，直接更换上研磨盘，大大缩短了研磨垫的更换时间。附图说明图1显示为本技术实施例一所述研磨盘结构的结构示意图。图2显示为图1所述研磨盘结构的俯视图。图3显示为本技术实施例二所述研磨盘结构的结构示意图。图4显示为图3所述研磨盘结构的俯视图。图5显示为本技术实施例三所述研磨盘结构的结构示意图。图6显示为图5所述研磨盘结构的俯视图。图7显示为本技术实施例四所述研磨装置安装研磨垫的结构示意图。图8显示为本技术实施例四所述研磨装置分离研磨垫的结构示意图。图9显示为本技术实施例五所述研磨装置安装研磨垫的结构示意图。图10显示为本技术实施例五所述研磨装置分离研磨垫的结构示意图。图11显示为本技术实施例六所述研磨装置安装研磨垫的结构示意图。图12显示为本技术实施例六所述研磨装置分离研磨垫的结构示意图。元件标号说明1研磨装置10研磨盘结构11上研磨盘111上研磨盘本体112定位柱12下研磨盘121下研磨盘本体122第一通孔13电磁体131电磁体本体132第二通孔14气缸141缸筒142活塞杆15透明窗口20研磨垫具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图12。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。实施例一如图1和图2所示，本实施例提供一种研磨盘结构，所述研磨盘结构10包括：上研磨盘11，所述上研磨盘11包括上研磨盘本体111，及设于所述上研磨盘本体111下方的至少一个定位柱112；下研磨盘12，所述下研磨盘12包括下研磨盘本体121，贯通所述下研磨盘本体121、且与所述定位柱112适配的第一通孔122；及设于所述上研磨盘11和所述下研磨盘12之间的电磁体13，所述电磁体13包括电磁体本体131，及贯通所述电磁体本体131、且与所述定位柱112适配的第二通孔132。作为示例，所述上研磨盘本体111的厚度介于2mm～100mm。作为示例，如图1所示，所述研磨盘结构10还包括设于所述第一通孔122下方的气缸14，其中，所述气缸包括做往复直线运动的气缸。作为示例，如图1所示，所述气缸14包括缸筒141，及设于所述缸筒141内的活塞杆142，其中，所述缸筒141内径大于所述第一通孔122的直径。作为示例，如图1所示，所述定位柱112的高度小于所述电磁体13与所述下研磨盘12的厚度之和，所述活塞杆142的直径小于或等于所述第一通孔122的直径。作为示例，如图2所示，所述研磨盘结构10还包括设于所述上研磨盘11上的一透明窗口15。实施例二如图3和图4所示，本实施例提供一种研磨盘结构，所述研磨盘结构10包括：上研磨盘11，所述上研磨盘11包括上研磨盘本体111，及设于所述上研磨盘本体111下方的至少一个定位柱112；下研磨盘12，所述下研磨盘12包括下研磨盘本体121，贯通所述下研磨盘本体121、且与所述定位柱112适配的第一通孔122；及设于所述上研磨盘11和所述下研磨盘12之间的电磁体13，所述电磁体13包括电磁体本体131，及贯通所述电磁体本体131、且与所述定位柱112适配的第二通孔132。作为示例，所述上研磨盘本体111的厚度介于2mm～100mm。作为示例，如图3所示，所述研磨盘结构10还包括设于所述第一通孔122下方的气缸14，其中，所述气缸包括做往复直线运动的气缸。作为示例，如图3所示，所述气缸14包括缸筒141，及设于所述缸筒141内的活塞杆142，其中，所述缸筒141内径大于所述第一通孔122的直径。作为示例，如图3所示，所述定位柱11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨盘结构，其特征在于，所述研磨盘结构包括：

【技术特征摘要】
1.一种研磨盘结构，其特征在于，所述研磨盘结构包括：上研磨盘，所述上研磨盘包括上研磨盘本体，及设于所述上研磨盘本体下方的至少一个定位柱；下研磨盘，所述下研磨盘包括下研磨盘本体，贯通所述下研磨盘本体、且与所述定位柱适配的第一通孔；及设于所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的电磁体，所述电磁体包括电磁体本体，及贯通所述电磁体本体、且与所述定位柱适配的第二通孔。2.根据权利要求1所述的研磨盘结构，其特征在于，所述研磨盘结构还包括设于所述第一通孔下方的气缸，其中，所述气缸包括做往复直线运动的气缸。3.根据权利要求2所述的研磨盘结构，其特征在于，所述气缸包括缸筒，及设于所述缸筒内的活塞杆，其中，所述缸筒内径大于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海宽，林宗贤，吴龙江，郭松辉，吕新强，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32