蓄电元件、蓄电元件的制造方法、集电体及罩构件技术

本发明专利技术的蓄电元件具备：通过层叠极板而形成的电极体(600)；以及以不从电极体(600)的端部侧覆盖所述电极体(600)的端部的集束部(601)的方式焊接于集束部(601)的两面中的一个面的第一导电构件，电极体(600)与第一导电构件被焊接的焊接部(430)处的焊接面(431)配置在比第一导电构件的外表面更凹陷的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蓄电元件、蓄电元件的制造方法、集电体及罩构件
本专利技术涉及具备电极体和导电构件的蓄电元件等。
技术介绍
以往，已知有在通过层叠极板而形成的电极体的端部即集束部焊接有集电体的蓄电元件(例如参照专利文献1)。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-149353号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在上述现有的蓄电元件中，可能会引起蓄电元件的性能降低。本专利技术是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够抑制性能降低的蓄电元件等。解决方案为了实现上述目的，本专利技术的一方式的蓄电元件具备：电极体，其通过层叠极板而形成；以及第一导电构件，其以不从所述电极体的端部侧覆盖所述电极体的端部的集束部的方式焊接于所述集束部的两面中的一个面，所述电极体与所述第一导电构件被焊接的焊接部处的焊接面配置在比所述第一导电构件的外表面更凹陷的位置。专利技术效果根据本专利技术，能够在电极体与导电构件的焊接时抑制溅射的产生及对电极体造成的损害。附图说明图1是示意性地示出本专利技术的实施方式的蓄电元件的外观的立体图。图2是将本专利技术的实施方式的蓄电元件的容器的容器主体分离而示出蓄电元件具备的各构成要素的立体图。图3是示出将本专利技术的实施方式的蓄电元件分解的情况下的各构成要素的分解立体图。图4是示出本专利技术的实施方式的正极集电体的结构的立体图。图5是用于对本专利技术的实施方式的正极集电体的电极体侧配置部与电极体的集束部之间的焊接部分进行说明的立体图。图6是本专利技术的实施方式的电极体侧配置部与集束部之间的焊接部分的VI-VI剖视图。图7是图6的电极体侧配置部与集束部在焊接后的焊接部分的剖视图。图8是示出本专利技术的实施方式的变形例1的正极集电体的结构的立体图。图9是用于对本专利技术的实施方式的变形例1的正极集电体与电极体的集束部之间的焊接部分进行说明的立体图。图10是本专利技术的实施方式的变形例1的电极体侧配置部与集束部之间的焊接部分的X-X剖视图。图11是图10的电极体侧配置部与集束部在焊接后的焊接部分的剖视图。图12是本专利技术的实施方式的变形例1的电极体侧配置部与集束部之间的焊接部分的剖视图。图13是图12的电极体侧配置部与集束部在焊接后的焊接部分的剖视图。图14是本专利技术的实施方式的变形例1的电极体侧配置部与集束部之间的焊接部分的剖视图。图15是图14的电极体侧配置部与集束部在焊接后的焊接部分的剖视图。图16A是示出本专利技术的其他实施方式的正极集电体的结构的立体图。图16B是示出本专利技术的其他实施方式的正极集电体的结构的立体图。具体实施方式在上述现有的蓄电元件中，集电体从电极体的端部侧覆盖集束部的两面，且在形成于配置在集束部的一面侧的部分的贯通孔处与集束部焊接。这样，构成为集电体从端部侧覆盖集束部，因此，在为了增加蓄电容量而缩短集束部的宽度(从端缘起算的长度)的情况下，成为焊接对象的位置靠近集束部的端缘。因此，可能将集束部的端缘焊接或容易产生溅射等而引起蓄电元件的性能降低。另外，通常，在将集电体与电极体焊接时，需要较大的能量。因此，在该情况下也可能产生溅射等而引起蓄电元件的性能降低。本专利技术是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够抑制性能降低的蓄电元件等。为了实现上述目的，本专利技术的一方式的蓄电元件具备：电极体，其通过层叠极板而形成；以及第一导电构件，其以不从所述电极体的端部侧覆盖所述电极体的端部的集束部的方式焊接于所述集束部的两面中的一个面，所述电极体与所述第一导电构件被焊接的焊接部处的焊接面配置在比所述第一导电构件的外表面更凹陷的位置。由此，第一导电构件以不从电极体的端部侧覆盖集束部的两面的方式焊接于该两面中的一个面。因此，即便在为了增加蓄电容量而缩短集束部的宽度的情况下，也能够使集束部中的成为焊接对象的位置与集束部的端缘分离。因此，能够抑制集束部的包含端缘的部分被焊接。这样，能够抑制集束部的端部被焊接。另外，电极体与第一导电构件被焊接的焊接部处的焊接面配置在比第一导电构件的外表面更凹陷的位置。即，能够缩短电极体与焊接面之间的间隔。因此，能够以较少的能量进行焊接。这样，能够抑制集束部的端部被焊接，并且能够以较少的能量进行焊接，因此，能够抑制焊接时的溅射的产生等而能够抑制蓄电元件的性能降低。另外，也可以是，所述第一导电构件为所述蓄电元件具备的集电体、或者配置在夹着所述电极体而与所述集电体相反的一侧的罩构件。由此，第一导电构件为集电体或罩构件，因此，能够抑制电极体与集电体或罩构件进行焊接时的溅射的产生。另外，也可以是，所述焊接部在所述焊接面具有凹坑。由此，焊接部在焊接面具有比焊接面中的外周部更凹陷的凹坑，因此，能够减小焊接部的体积。由此，能够以较少的能量进行焊接，能够抑制焊接时的溅射的产生及对电极体造成的损害。另外，也可以是，所述第一导电构件具有将所述焊接面的外周包围的壁。由此，第一导电构件具有将焊接面的外周包围的壁，因此，即便为焊接面配置在比第一导电构件的外表面更凹陷的位置的结构，也能够增大焊接部的周围的刚性。因此，能够以较少的能量进行焊接，并且能够确保第一导电构件的焊接部的周围的强度。另外，也可以是，所述蓄电元件还具备第二导电构件，该第二导电构件配置在夹着所述集束部而与所述第一导电构件相反的一侧，且具有朝向所述第一导电构件突出的凸部，所述凸部在所述焊接部处被焊接。由此，即便为在夹着集束部而与第一导电构件相反的一侧配置第二导电构件的结构，由于第二导电构件的朝向第一导电构件突出的凸部被焊接，因此，能够局部集中能量地对凸部进行焊接。因此，能够以较少的能量进行焊接，能够抑制溅射的产生及对电极体造成的损害。另外，也可以是，在所述电极体与所述第二导电构件之间的所述凸部的周围形成有空间。由此，在电极体与第二导电构件之间的凸部的周围形成有空间，因此，能够将通过焊接产生的热量释放到该空间。因此，能够抑制对电极体造成的损害。另外，也可以是，所述第一导电构件具有沿厚度方向贯穿的贯通孔，所述凸部与所述集束部一起进入到所述贯通孔。由此，第二导电构件的凸部与集束部一起进入到第一导电构件的贯通孔，因此，能够使集束部的被焊接的部分的周围倾斜。这样，由于集束部的被焊接的部分的周围倾斜，因此，即便在焊接时产生溅射，也能够抑制所产生的溅射向电极体的内部侵入。另外，也可以是，所述第一导电构件配置在所述电极体的外侧。由此，焊接面形成于配置在电极体的外侧的构件，因此，成为容易配置焊接用的器具的结构。因此，能够容易进行电极体与集电体的焊接工序。另外，本专利技术的一方式的蓄电元件具备电极体以及焊接于所述电极体的第一导电构件，其中，所述电极体与所述第一导电构件被焊接的焊接部处的焊接面配置在比所述第一导电构件的外表面更凹陷的位置，所述焊接部在所述焊接面具有比所述焊接面中的外周部更凹陷的凹部。由此，电极体与第一导电构件被焊接的焊接部处的焊接面配置在比第一导电构件的外表面更凹陷的位置，在焊接面具有比焊接面中的外周部更凹陷的凹部。因此，能够缩短电极体与焊接面之间的间隔。由此，能够以较少的能量进行焊接，能够抑制溅射的产生及对电极体造成的损害。另外，本专利技术的一方式的蓄电元件具有：电极体，其通过层叠极板而形成；以及第一导电构件，其以不从所述电极体的端部侧覆盖所述电极体的端部的集束部的方式焊接于所述集束部的两面中的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓄电元件，其中，所述蓄电元件具备：电极体，其通过层叠极板而形成；以及第一导电构件，其以不从所述电极体的端部侧覆盖所述电极体的端部的集束部的方式焊接于所述集束部的两面中的一个面，所述电极体与所述第一导电构件被焊接的焊接部处的焊接面配置在比所述第一导电构件的外表面更凹陷的位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.28 JP 2015-1904701.一种蓄电元件，其中，所述蓄电元件具备：电极体，其通过层叠极板而形成；以及第一导电构件，其以不从所述电极体的端部侧覆盖所述电极体的端部的集束部的方式焊接于所述集束部的两面中的一个面，所述电极体与所述第一导电构件被焊接的焊接部处的焊接面配置在比所述第一导电构件的外表面更凹陷的位置。2.根据权利要求1所述的蓄电元件，其中，所述第一导电构件为所述蓄电元件具备的集电体、或者配置在夹着所述电极体而与所述集电体相反的一侧的罩构件。3.根据权利要求1或2所述的蓄电元件，其中，所述焊接部在所述焊接面具有凹坑。4.根据权利要求1至3中任一项所述的蓄电元件，其中，所述第一导电构件具有将所述焊接面的外周包围的壁。5.根据权利要求1至4中任一项所述的蓄电元件，其中，所述蓄电元件还具备第二导电构件，该第二导电构件配置在夹着所述集束部而与所述第一导电构件相反的一侧，且具有朝向所述第一导电构件突出的凸部，所述凸部在所述焊接部处被焊接。6.根据权利要求5所述的蓄电元件，其中，在所述电极体与所述第二导电构件之间的所述凸部的周围形成有空间。7.根据权利要求5所述的蓄电元件，其中，所述第一导电构件具有沿厚度方向贯穿的贯通孔，所述凸部与所述集束部一起进入到所述贯通孔。8.根据权利要求1至7中任一项所述的蓄电元件，其中，所述第一导电构件配置在所述电极体的外侧。9.一种蓄电元件，具备电极体以及焊接于所述电极体的第一导电构件，其中，所述电极体与所述第一导电构件被焊接的焊接部处的焊接面配置在比所述第一导电构件的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：上林广和，前田宪利，
申请(专利权)人：株式会社杰士汤浅国际，
类型：发明
国别省市：日本,JP