半导体装置和用于制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及摄像装置，所述摄像装置包括第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和用于制造半导体装置的方法
本专利技术涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法，并且特别地涉及如下的一种半导体装置和用于制造这种半导体装置的方法：在该半导体装置中，堆叠起来的半导体元件的电极通过Sn基焊料而电气地相互连接。相关申请的交叉引用本申请要求2015年10月21日提交的日本在先专利申请JP2015-207233的优先权权益，并且该日本在先专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术介绍
在现有技术中，在由堆叠起来的半导体元件形成的半导体装置的制造步骤中，当把被堆叠的半导体元件的电极相互连接时，使用了用于形成由Sn基焊料(SnAg等)制成的微凸块的方法。图1示出了当将半导体元件堆叠时在现有技术中使用的用于形成由Sn基焊料制成的微凸块的方法的概要。如图1所示，在第一半导体元件1的一侧上在Al焊盘2的位置上形成开口部，并且在此处形成Ni等以作为阻挡金属3。在第二半导体元件4的一侧上形成有由Sn基焊料制成的微凸块6，并且通过甲酸还原使阻挡金属3和Sn基焊料6以扩散的方式进行连接。图2示出了以时间为横坐标、Sn与可以用作阻挡金属的各种金属之间的理论扩散距离(在200℃的情本文档来自技高网...

【技术保护点】
摄像装置，包括：第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘，所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层；第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极；和微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极，其中所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且其中所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.21 JP 2015-2072331.摄像装置，包括：第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘，所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层；第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极；和微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极，其中所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且其中所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述微凸块包括Sn基焊料，并且所述第一金属层包括Co。3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述至少一个凸块焊盘包括具有不同直径的多个凸块焊盘，并且，所述至少一个电极包括对应于所述多个凸块焊盘的多个电极。4.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述不同直径是根据待连接的所述多个电极的用途而彼此不同的。5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述微凸块的直径对应于所述至少一个凸块焊盘的直径。6.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述至少一个凸块焊盘包括第三金属层，并且所述第一金属层在所述第三金属层上。7.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述第一金属层的平均厚度为15nm以上。8.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述第三金属层的平均厚度为10nm以上。9.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述第三金属层由TiN、Ta或者TaN形成。10.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述第二金属层由Cu、Co、Ni、Pd、Au或者Pt形成。11.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述至少一个凸块焊盘是设置在所述第一半导体元件的表面上的开口部，用于将所述微凸块连接到所述第一半导体元件中的贯通电极。12.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述至少一个凸块焊盘是设置在所述第一半导体元件的表面上的开口部，用于将所述微凸块连接到所述第一半导体元件中的金属布线。13.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：胁山悟，清水完，林利彦，中村卓矢，城直树，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP