【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种金属材料的制造工艺,具体涉及一种高抗折钼方片的制造工艺。技术背景电力半导体器件应用逐渐向第二代、第三代发展,钼方片是元器件中不可缺少的重 要组成部份。但目前国内生产钼方片通过一次直角(90度)折弯即出现分层开裂,影响 元件使用寿命。市场要求普通钼方片向高抗折钼方片转化。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种高抗折钼方片的制造工艺,通过此工艺制造 的钼方片经过二次直角(卯度)折弯后也不会出现分层开裂。 为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案如下 一种高抗折钼方片的制造工艺,它包括如下步骤(1) 钼坯在1250 1300'C下加热保温70~80分钟,轧制成7~8mm厚的钼板;(2) 钼板在1050 1150。C下加热保温60 70分钟,轧制成3~3.5 mm厚的钼板;(3) 钼板在900 1050。C下加热保温30-40分钟,轧制成1.8~2 mm厚的钼片;(4) 将钼片剪切分块,使得宽度为75 80mrn,这样有利于钼片的交叉轧制;(5) 钼片在800 卯(TC下加热保温30~40分钟,把钼片轧制成1.2 1.3rnrn厚; '(6)酸洗,即用20~30% (v/v)的醋酸清洗;(7) 钼片在400 450'C下加热保温40 50分钟,轧制成0.7 0.8mrn厚;(8) 钼片在820 860'C下退火加热保温60 70分钟,把钼片轧制成0.45-0.5 mm厚;(9) 将钼片经冲床冲制成各种规格的钼方片;(10) 清洗。有益效果通过本专利技术的制造工艺制备的钼方片具有高抗折特性,经过二次直角(90 度)折弯后也不 ...
【技术保护点】
一种高抗折钼方片的制造工艺,其特征在于它包括如下步骤: (1)钼坯在1250~1300℃下加热保温70~80分钟,轧制成7~8mm厚的钼板; (2)钼板在1050~1150℃下加热保温60~70分钟,轧制成3~3.5mm厚的钼板 ; (3)钼板在900~1050℃下加热保温30~40分钟,轧制成1.8~2mm厚的钼片; (4)将钼片剪切分块,使得宽度为75~80mm; (5)钼片在800~900℃下加热保温30~40分钟,把钼片轧制成1.2~1.3 mm厚; (6)酸洗; (7)钼片在400~450℃下加热保温40~50分钟,轧制成0.7~0.8mm厚; (8)钼片在820~860℃下退火加热保温60~70分钟,把钼片轧制成0.45~0.5mm厚; (9)将钼片 经冲床冲制成各种规格的钼方片; (10)清洗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吴敏,
申请(专利权)人:宜兴市东昊合金材料有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。