一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法技术

本发明专利技术公开一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法依据全局工艺角模型的原理，根据参数直接计算获得全局工艺角，取消通过全局工艺角的3sigma计算值去再次调整参数作为全局工艺角模型。本发明专利技术依据全局工艺角模型的原理，根据参数直接计算获得全局工艺角，并直接与器件的宽度Weff，器件的长度Leff相关联，符合物理意义，且取消通过全局工艺角的3sigma计算值去再次调整参数作为全局工艺角模型，更为简洁。

A global process angle modeling method for MOSFET devices

This invention discloses a modeling method of global process angle model of MOSFET device. The modeling method of global process angle model of the MOSFET device is based on the principle of the global process angle model, and obtains the global process angle according to the parameters directly, and cancels the 3sigma calculation value through the global process angle to adjust the parameters as a whole again. Process angle model. According to the principle of the global process angle model, the global process angle is obtained directly according to the parameters, and it is directly related to the width Weff of the device and the length Leff of the device. It is in accordance with the physical meaning, and the 3sigma calculation value of the global process angle is cancelled to be the global process angle model again, and it is more concise.

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法
本专利技术涉及集成电路器件建模
，尤其涉及一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法。
技术介绍
在MOSFET统计模型中，包含总工艺角(totalcorner)模型，全局工艺角(globalcorner)模型和失配(mismatch)模型。其中，总工艺角代表总的工艺波动(totalvariation)；失配代表相邻器件的失配，即局部工艺波动(Localvariation)；全局工艺角代表全局工艺波动(globalvariation)。但是，目前全局工艺波动是不能直接测量得到的。业界通用的全局工艺角模型的建模方法是利用标准差(本专利技术创造中将标准差定义为sigma)代表工艺波动，通常取3sigma值。则，在统计模型中根据：sigmatotal2＝sigmamismatch2+sigmaglobal2计算获得全局工艺角(globalcorner)的3sigma值。计算所获得的全局工艺波动(globalvariation)的3sigma即可作为全局工艺角(globalcorner)的大小去重新调一套参数作为全局工艺角模型(globalcornermodel)。众所周知地，现有的全局工艺角模型之建模方法存在如下弊端，(1)仅对包括大尺寸器件(largedevice)、短沟道器件(shortchanneldevice)、窄沟道器件(narrowwidthdevice)、小尺寸器件(smalldevice)四种尺寸的器件满足公式sigmatotal2＝sigmamismatch2+sigmaglobal2，而对其他尺寸的器件，其全局工艺角只是模型的拟合值，并不一定满足公式sigmatotal2＝sigmamismatch2+sigmaglobal2。(2)效率低，需要调两次工艺角参数，总工艺角(totalcorner)和全局工艺角(globalcorner)需要分别调，明显成倍的增加了工作量。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本专利技术一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中，全局工艺角模型之建模方法适用性小，且效率低下等缺陷提供一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法。为实现本专利技术之目的，本专利技术提供一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法依据全局工艺角模型的原理，根据参数直接计算获得全局工艺角，取消通过全局工艺角的3sigma计算值去再次调整参数作为全局工艺角模型。可选地，所述参数至少为栅氧厚度(toxe)，栅宽(xw)，栅长(xl)，开启电压(vth0)，迁移率(u0)。可选地，针对栅氧厚度(toxe)，toxeglobal＝toxetotal-3toxemismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)可选地，针对栅宽(xw)，xwglobal＝xwtotal-3xwmismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)可选地，针对栅长(xl)，xlglobal＝xltotal-3xlmismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)可选地，针对开启电压(vth0)，vth0global＝vth0total-3vth0mismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)可选地，针对迁移率(u0)，u0global＝u0total-3u0mismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)其中，Weff为器件的宽度；Leff为器件的长度；NF为finger个数；multi为器件数量；sqrt函数为平方根计算。综上所述，本专利技术依据全局工艺角模型的原理，根据参数直接计算获得全局工艺角，并直接与器件的宽度Weff，器件的长度Leff相关联，符合物理意义，且取消通过全局工艺角的3sigma计算值去再次调整参数作为全局工艺角模型，更为简洁。附图说明图1所示为MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法应用结果图示。具体实施方式为详细说明本专利技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。在MOSFET统计模型中，包含总工艺角(totalcorner)模型，全局工艺角(globalcorner)模型和失配(mismatch)模型。其中，总工艺角代表总的工艺波动(totalvariation)；失配代表相邻器件的失配，即局部工艺波动(Localvariation)；全局工艺角代表全局工艺波动(globalvariation)。但是，全局工艺波动是不能直接测量得到的。业界通用的全局工艺角模型的建模方法是利用标准差(本专利技术创造中将标准差定义为sigma)代表工艺波动，通常取3sigma值。则，在统计模型中根据：sigmatotal2＝sigmamismatch2+sigmaglobal2计算获得全局工艺角(globalcorner)的3sigma值。计算所获得的全局工艺波动(globalvariation)的3sigma即可作为全局工艺角(globalcorner)的大小去重新调一套参数作为全局工艺角模型(globalcornermodel)。众所周知地，现有的全局工艺角模型之建模方法存在如下弊端，(1)仅对包括大尺寸器件(largedevice)、短沟道器件(shortchanneldevice)、窄沟道器件(narrowwidthdevice)、小尺寸器件(smalldevice)四种尺寸的器件满足公式sigmatotal2＝sigmamismatch2+sigmaglobal2，而对其他尺寸的器件，其全局工艺角只是模型的拟合值，并不一定满足公式sigmatotal2＝sigmamismatch2+sigmaglobal2。(2)效率低，需要调两次工艺角参数，总工艺角(totalcorner)和全局工艺角(globalcorner)需要分别调，明显成倍的增加了工作量。在本专利技术创造中，所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法依据全局工艺角模型的原理，根据参数直接计算获得全局工艺角，取消通过全局工艺角的3sigma计算值去再次调整参数作为全局工艺角模型。作为本领域技术人员，容易知晓地，所述失配模型(mismatch)中参数包括但不限于栅氧厚度(toxe)，栅宽(xw)，栅长(xl)，开启电压(vth0)，迁移率(u0)。相当于在失配模型中除去以上参数外，其他参数为0。则，全局工艺角和总工艺角除去以上参数外均相同。故，本专利技术创造中，所述全局工艺角之参数的计算方法，包括：(1)针对栅氧厚度(toxe)，toxeglobal＝toxetotal-3toxemismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)；(2)针对栅宽(xw)，xwglobal＝xwtotal-3xwmismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)；(3)针对栅长(xl)，xlglobal＝xltotal-3xlmismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)；(4)针对开启电压(vth0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法依据全局工艺角模型的原理，根据参数直接计算获得全局工艺角，取消通过全局工艺角的3sigma计算值去再次调整参数作为全局工艺角模型。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法依据全局工艺角模型的原理，根据参数直接计算获得全局工艺角，取消通过全局工艺角的3sigma计算值去再次调整参数作为全局工艺角模型。2.如权利要求1所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述参数至少为栅氧厚度(toxe)，栅宽(xw)，栅长(xl)，开启电压(vth0)，迁移率(u0)。3.如权利要求2所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，针对栅氧厚度(toxe)，toxeglobal＝toxetotal-3toxemismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)其中，Weff为器件的宽度；Leff为器件的长度；NF为finger个数；multi为器件数量；sqrt函数为平方根计算。4.如权利要求2所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，针对栅宽(xw)，xwglobal＝xwtotal-3xwmismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)其中，Weff为器件的宽度；Leff为器件的长度；NF为finger个数；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕少力，彭兴伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31