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一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法技术
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文档序号:18165867
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本发明公开一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法,所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法依据全局工艺角模型的原理,根据参数直接计算获得全局工艺角,取消通过全局工艺角的3sigma计算值去再次调整参数作为全局工艺角模型。本发明...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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