溅镀载台制造技术

本发明专利技术提供一种溅镀载台，用于承载被镀物以进行溅镀制程。该溅镀载台包括本体和承载体，所述本体为由第一边框、第二边框、第三边框和第四边框组成的中空框体，所述第一边框和第三边框相对设置且分别设置有长形凹槽，所述第二边框和第四边框相对设置且分别设置有线圈，所述承载体为由第五边框、第六边框、第七边框和第八边框组成的中空框体，所述第五边框与第七边框相对设置且分别向远离承载体的方向形成突块，所述突块活动地设置在所述凹槽内，所述突块靠近所述第六边框或第八边框，所述第六边框或者第八边框上设有磁铁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种溅镀载台，尤其是一种可自动翻转实现双面镀膜的溅镀载台。
技术介绍
溅镀是通过离子碰撞而获得薄膜的一种工艺，主要分为两类阴极溅镀(参见Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, 2000. ASDAM 2000. The Third International Euro Conference on Oct. 16-18 2000， page(s): 151-155)禾口射频灘镀。阴极溅镀一般用于溅镀导体如铝(Al)、银(Ag)或半导体如硅(Si)。射频溅镀一般 用于溅镀非导体如ZnS-Si02、 GesbTe。由于溅镀可以同时达成较佳的沉积效率、精确的成份 控制、以及较低的制造成本，因此在工业上被广泛应用。溅镀一般是在溅镀机中完成，溅镀机一般包括反应室、溅镀阴极、基座与载具。溅镀阴 极设置在反应室内，且具有溅镀靶。基座置于反应室内并相对于溅镀靶，用于承载被镀物。 载具用于将被镀物送入反应室内。溅镀是在反应室中利用辉光放电(glow discharge)将氩 气(Ar)离子撞击靶材(target)表面产生等离子体，再利用磁场或电场等加速方式，使得 等离子体中的离子对溅镀靶进行轰击，以造成溅镀靶表面的靶材原子溅出飞向被镀物，并在 被镀物表面形成一层薄膜。在目前的溅镀制程中，欲对被镀物双面镀膜时，多以手动翻转被镀物进行换面，此种做 法不仅浪费时间而且破坏溅镀机反应室的真空环境。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种可自动翻转实现双面镀膜的溅镀载台。一种溅镀载台，用于承载被镀物以进行溅镀制程，其包括本体和承载体，所述本体为由 第一边框、第二边框、第三边框和第四边框组成的中空框体，所述第一边框和第三边框相对 设置且分别设置有长形凹槽，所述第二边框和第四边框相对设置且分别设置有线圈，所述承 载体为由第五边框、第六边框、第七边框和第八边框组成的中空框体，所述第五边框与第七 边框相对设置且分别向远离承载体的方向形成突块，所述突块活动地设置在所述凹槽内，所 述突块靠近所述第六边框或第八边框，所述第六边框或者第八边框上设有磁铁。与现有技术相比，本专利技术实施例的溅镀载台利用通电的线圈产生磁场，使得承载体翻转 以达到翻转被镀物、实现自动换面的目的，进而实现双面镀膜。附图说明图1是本专利技术实施例溅镀载台组合示意图。 图2是本专利技术实施例溅镀载台分离示意图。 具体实施例方式下面将结合附图对本专利技术作进一步详细说明。如图1所示，其为本专利技术实施例提供的溅镀载台IO。该溅镀载台10包括本体12、承载体 14和固定件16。固定件16将被镀物20固定在承载体14上以进行溅镀制程。请参阅图2，本体12为由第一边框121、第二边框122、第三边框123、第四边框124围成 的中空框体。其中，第一边框121与第三边框123相对设置，第二边框122与第四边框124相对 设置。第一边框121、第三边框123朝向本体12内部的一面凹陷分别形成凹槽125。第二边框122、第四边框124朝向本体12内部的一面上分别设有定位槽126，定位槽126可 以设置在第二边框122、第四边框124的中心处，也可以设置在偏离中心位置处。第二边框122和第四边框124由铁镍合金或者铁钴合金制成，第二边框122上设有第一线 圈127，第四边框124上设有第二线圈128。当第一线圈127、第二线圈128有电流流过时，第 一线圈127、第二线圈128周围产生磁场，磁场的方向可由安培定则判断得出，大拇指所指的 方向为第一线圈127、第二线圈128内部的磁感线方向，四指所指的方向是电流环绕方向。承载体14为由第五边框141、第六边框142、第七边框143、第八边框144围成的中空框体 ，承载体14的面积小于本体12以使其活动地设置本体12中且可在本体12内运动。其中，第五 边框141与第七边框143相对设置，第六边框142与第八边框144相对设置。第七边框141与第八边框143分别向相反且远离承载体14的方向突出形成圆柱形突块145 ，突块145偏离承载体14的几何中心，即突块145靠近第八边框144且与第六边框142的距离相 等，以使承载体14在重力作用下可以翻转。突块145滑动地设置在凹槽125中。为使承载体 14在本体12内翻转，第二边框122与第四边框124之间的具体大于等于两倍的突块145与第六 边框142之间的距离。当然，突块145也可以靠近第六边框142。第六边框142与第八边框144分别向相反且远离承载体14的方向突起形成第一定位部 1422和第二定位部1442，第二定位部1442上设有磁铁1444，可以是N极或者S极朝向承载体14 的外部。第一定位部1442、第二定位部1442之一可卡入定位槽126以使承载体14定位。承载体14的相对两个角上设有第一螺纹孔146。当然，也可以在一个、三个或者四个角上设置第一螺纹孔146。固定件16包括螺丝162和固定板164，固定板164上设有第二螺纹孔1642，螺丝162旋入第 一螺纹孔146和第二螺纹孔1642将被镀物20固定在承载体14上以进行溅镀制程。溅镀过程中，首先被镀物20固定在靠近第二边框122处，即第一定位部1422卡合在第二 边框122上的定位槽126中，对被镀物20的第一面进行溅镀。第一面完成溅镀后，对第四边框 124上的第二线圈128通电，使第二线圈128产生的磁场对磁铁1444产生吸引力，由于承载体 14通过突块145可以在本体12内滑动，因而承载体14在磁力的作用下向第四边框124运动，第 二定位部1442卡入第四边框124上的定位槽126使承载体14定位。然后，停止对第二线圈128 通电，磁场消失，承载体14在重力作用下翻转，此时，对第二边框122上的第一线圈127通电 ，第一线圈127的周围产生磁场，承载体14在磁场、磁铁1444的作用下，使与第一面相对的 一面向上。另外，本领域技术人员还可以在本专利技术精神内做其它变化，当然，这些依据本专利技术精神 所做的变化，都应包含在本专利技术所要求保护的范围之内。权利要求权利要求1一种溅镀载台，用于承载被镀物以进行溅镀制程，其包括本体和承载体，其特征在于所述本体为由第一边框、第二边框、第三边框和第四边框组成的中空框体，所述第一边框和第三边框相对设置且分别设置有长形凹槽，所述第二边框和第四边框相对设置且分别设置有线圈，所述承载体为由第五边框、第六边框、第七边框和第八边框组成的中空框体，所述所述第五边框与第七边框相对设置且分别向远离承载体的方向形成突块，所述突块活动地设置在所述凹槽内，所述突块靠近所述第六边框或第八边框，所述第六边框或者第八边框上设有磁铁。2.如权利要求l所述的溅镀载台，其特征在于所述第二边框和第 四边框分别设置有定位槽，所述第六边框和第八边框分别向远离所述承载体的方向突起形成 第一定位部和第二定位部，所述磁铁设置在第一定位部或第二定位部上，所述第一定位部或 第二定位部可卡入定位槽中。3.如权利要求2所述的溅镀载台，其特征在于所述突块靠近第八 边框，所述第二边框与第四边框框之间的距离大于等于两倍的突块与所述第六边框之间的距 离。4.如权利要求2所述的溅镀载台，其特征在于所述突块本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅镀载台，用于承载被镀物以进行溅镀制程，其包括本体和承载体，其特征在于：所述本体为由第一边框、第二边框、第三边框和第四边框组成的中空框体，所述第一边框和第三边框相对设置且分别设置有长形凹槽，所述第二边框和第四边框相对设置且分别设置有线圈，所述承载体为由第五边框、第六边框、第七边框和第八边框组成的中空框体，所述所述第五边框与第七边框相对设置且分别向远离承载体的方向形成突块，所述突块活动地设置在所述凹槽内，所述突块靠近所述第六边框或第八边框，所述第六边框或者第八边框上设有磁铁。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：骆世平，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]