晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，加工性良好并且能够高效地进行去疵层的形成。晶片的加工方法是使用了包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒的研磨垫的晶片的加工方法。晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序(ST4)，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序(ST5)，维持研磨工序(ST4)中的使以规定的速度旋转的研磨垫与旋转的卡盘工作台上所保持的晶片抵接的状态，在研磨工序(ST4)之后连续地使卡盘工作台以比第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法。
技术介绍
在晶片的加工方法中进行如下动作：一边利用卡盘工作台对晶片进行保持而使其旋转并使研磨垫旋转而对晶片进行按压，一边提供研磨液并进行研磨，然后使卡盘工作台和研磨垫进行旋转并提供冲洗液，在晶片上形成去疵层(例如，参照专利文献1和专利文献2)。专利文献1：日本特开2013-247132号公报专利文献2：日本特开2013-244537号公报专利文献1和2的专利技术使用研磨垫来连续地进行研磨及之后的去疵层形成。但是，专利文献1和2的专利技术并没有着眼于在各个处理中用于在晶片上高效地形成去疵层的卡盘工作台的优选的转速。在晶片的加工中希望高效地形成去疵层。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供晶片的加工方法，能够高效地进行去疵层的形成。为了解决上述的课题并达成目的，本专利技术的晶片的加工方法使用研磨垫，该研磨垫包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的该研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序，维持该研磨工序中的使以该规定的速度旋转的该研磨垫与旋转的该卡盘工作台上所保持的该晶片抵接的状态，在该研磨工序之后连续地使该卡盘工作台以比该第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。该第2旋转速度也可以逐渐变小。根据本专利技术，由于去疵层形成工序的卡盘工作台的旋转速度比研磨工序时的小，所以能够使去疵层形成工序的研磨垫与晶片的相对速度变得比研磨工序中的相对速度大，能够高效地进行去疵层的形成。附图说明图1是示出实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的器件晶片的立体图。图2是在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削研磨装置的结构例的立体图。图3是示出图2所示的磨削研磨装置的研磨单元的结构例的立体图。图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。图5是示出实施方式1的晶片的加工方法的研磨工序的图。图6是示出实施方式1的晶片的加工方法的去疵层形成工序的图。图7是示出实施方式1的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度与载荷的图。图8是示出实施方式1的晶片的加工方法的单片化工序的图。图9是示出实施方式2的晶片的加工方法的研磨工序的图。图10是示出实施方式2的晶片的加工方法的去疵层形成工序的图。图11是示出实施方式3的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度的图。图12是示出实施方式4的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度与载荷的图。标号说明7：卡盘工作台；51：研磨垫；W：晶片；WS：正面；WR：背面；DV：器件；G：去疵层；R0：规定的速度；R1：第1旋转速度；R2、R2A：第2旋转速度；ST4：研磨工序；ST5：去疵层形成工序。具体实施方式参照附图对用于实施本专利技术的方式(实施方式)进行详细地说明。本专利技术并不限定于以下的实施方式所记载的内容。并且，在以下所记载的结构要素中包含本领域技术人员所容易想到的、实际上相同的结构。此外，能够对以下记载的结构进行适当组合。并且，能够在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。【实施方式1】根据附图对本专利技术的实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图1是示出实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的器件晶片的立体图。图2是示出在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削研磨装置的结构例的立体图。图3是示出图2所示的磨削研磨装置的研磨单元的结构例的立体图。实施方式1的晶片的加工方法是在图1所示的晶片W的背面WR上形成去疵层G并且将晶片W分割成器件芯片DT(在图1中由虚线示出)的方法。如图1所示，晶片W是以硅为原材料的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。在晶片W的正面WS上，在由呈格子状形成的多条分割预定线S划分出的区域内形成有器件DV。即，在晶片W的正面WS上形成有多个器件DV。关于晶片W，在对正面WS的背面侧的背面WR实施磨削加工等而薄化至规定的厚度之后，在背面WR侧形成去疵层G。去疵层G是在晶片W的背面WR(即各器件DV的背面WR)上形成有晶体缺陷、应变等(称为去疵位点)的层，是在该去疵位点对引起金属污染的杂质进行捕获、固着的层。在实施方式1中，当在背面WR侧形成了去疵层G之后，晶片W被分割成包含器件DV在内的器件芯片DT。在实施方式1中，晶片W的外径为300mm。实施方式1的晶片的加工方法至少使用图2所示的作为加工装置的磨削研磨装置1。磨削研磨装置1为了使晶片W的背面WR薄型化而进行磨削加工，并且为了使磨削加工后的晶片W的背面WR高精度地平坦化并在晶片W的背面WR侧形成去疵层G而进行研磨加工。如图2所示，磨削研磨装置1主要具有：装置主体2；第1磨削单元3；第2磨削单元4；研磨单元5；设置在旋转工作台6上的例如4个卡盘工作台7；盒8、9；对位单元10；搬入单元11；清洗单元13；搬出搬入单元14；以及控制单元100。第1磨削单元3用于进行如下加工：一边使安装于主轴的下端的具有磨削磨具的磨削磨轮31旋转，一边沿着与铅直方向平行的Z轴方向对保持在粗磨削位置B的卡盘工作台7上的晶片W的背面WR进行按压，从而对晶片W的背面WR进行粗磨削加工。同样，第2磨削单元4用于进行如下加工：一边使安装于主轴的下端的具有磨削磨具的磨削磨轮41旋转，一边沿着Z轴方向对保持在位于精磨削位置C的卡盘工作台7上的粗磨削完的晶片W的背面WR进行按压，从而对晶片W的背面WR进行精磨削加工。在实施方式1中，如图3所示，研磨单元5使安装于主轴的下端的研磨垫51与卡盘工作台7的保持面相对配置。研磨单元5一边使研磨垫51旋转一边沿着Z轴方向对保持在位于研磨位置D的卡盘工作台7的保持面上的精磨削完成的晶片W的背面WR进行按压。研磨单元5用于进行如下加工：使研磨垫51沿着Z轴方向对晶片W的背面WR进行按压，从而对晶片W的背面WR进行研磨加工。研磨单元5的研磨垫51包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒。研磨用磨粒是适合于研磨加工的磨粒，例如是由二氧化硅(SiO2)、氧化锆(ZrO2)和二氧化铈(CeO2)中的至少一种以上构成的磨粒。去疵用磨粒是适合于形成去疵层G的磨粒，例如是由GC(绿色碳化硅)、WA(白色氧化铝)和金刚石中的至少一种以上构成的磨粒。研磨单元5一边经由切换阀12从与研磨垫51分开设置的喷嘴16对晶片W的背面WR提供来自研磨液提供源15的碱性的研磨液，一边使用研磨垫51对晶片W的背面WR实施所谓CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械研磨)加工，之后，一边经由切换阀12从喷嘴16对晶片W的背面WR提供来自冲洗液提供源17的不与晶片W发生反应的液体(在实施方式1中为纯水)，一边使用研磨垫51在晶片W的背面WR侧形成去疵层G。并且，如图3所示，研磨单元5具有X轴移动单元52，该X轴移动单元52使研磨垫51与主轴一起在与Z轴方向垂直且与装置主体2的宽度方向平行的X轴方向上移动。在实施方式1中，研磨垫51的外径为450mm。旋转工作台6是设置在装置主体2的上表面上的圆盘状的工作台，该旋转工作台6被设置成能够在水平面内进行旋转，按照规定的时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该方法使用研磨垫，该研磨垫包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的该研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序，维持该研磨工序中的使以该规定的速度旋转的该研磨垫与旋转的该卡盘工作台上所保持的该晶片抵接的状态，在该研磨工序之后连续地使该卡盘工作台以比该第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。

【技术特征摘要】
2016.11.22 JP 2016-2269651.一种晶片的加工方法，该方法使用研磨垫，该研磨垫包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的该研磨垫与该...

【专利技术属性】
技术研发人员：早川晋，饭岛悠，宫城有佑，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP