卷取式真空成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种卷取式真空成膜装置，该卷取式真空成膜装置能够抑制绝缘性的原料薄膜的热变形，以高速成膜金属膜，谋求提高生产性，进而，能够提高薄膜的除电效果。其中，具有电子束照射器（２１）、辅助辊（１８）、直流偏压电源（２２）、除电单元（２３），该电子束照射器（２１）被配置在卷放辊（１３）和蒸发源（１６）之间，向原料薄膜（１２）照射荷电粒子；该辅助辊（１８）被配置在冷却用筒式辊（１４）和卷取辊（１５）之间，并与原料薄膜（１２）的成膜面接触，对该原料薄膜（１２）的行进进行引导；该直流偏压电源（２２）对筒式辊（１４）和辅助辊（１８）之间施加直流电压；该除电单元（２３）配置在筒式辊（１４）和卷取辊（１５）之间，对原料薄膜（１２）进行除电，该除电单元（２３）由一方的电极接地的直流二极放电型等离子发生源构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种下述方式的卷取式真空成膜装置，所述方式为，在减压环境内，连续地放出绝缘性的薄膜，一面使薄膜与冷却用辊紧密接触进行冷却，一面在该薄膜上蒸镀并卷取金属膜。
技术介绍
以往，一面将从卷放辊连续地放出的长的原料薄膜卷绕在冷却用筒式辊上，一面使来自与该筒式辊相对配置的蒸发源的蒸发物质蒸镀到原料薄膜上，通过卷取辊，卷取蒸镀后的原料薄膜，这种方式的卷取式真空蒸镀装置已被公知，例如被公开在下述专利文献1中。在这种真空蒸镀装置中，为了防止蒸镀时的原料薄膜的热变形，一面使原料薄膜紧密接触冷却用筒式辊的周面，进行冷却，一面进行成膜处理。因此，在这种真空蒸镀装置中，重要的问题是怎样确保原料薄膜相对于冷却用筒式辊的紧密接触作用。作为提高了原料薄膜和冷却用筒式辊之间的紧密接触力的结构，例如，有下述专利文献2所公开的结构。图8表示下述专利文献2记载的卷取式(等离子CVD)成膜装置的概略结构。参照图8，在被维持为减压环境的真空腔1的内部，设置带金属膜的薄膜2的卷放辊3、冷却用筒式辊4和卷取辊5，在筒式辊4的下方，配置着反应气体供给源6。这里，带金属膜的薄膜2是在绝缘性薄膜上形成有导电性一次薄膜的物体，在该导电性一次薄膜上，来自反应气体供给源6的反应气体进行反应并成膜。另外，筒式辊4是在金属制的辊表面上形成有绝缘层的物体，辊主体被施加了规定的负电位。这样，在图8所示的卷取式(等离子CVD)成膜装置中，在卷放辊3和筒式辊4之间设置电子线照射器7，同时，在该电子线照射器7和筒式辊4之间设置将带金属膜的薄膜2上的导电膜连接到接地电位的引导辊8。据此，向带金属膜的薄膜2的绝缘层侧表面照射电子束，使带金属膜的薄膜2带电，通过与筒式辊4之间所产生的电吸附力，谋求带金属膜的薄膜2和筒式辊4之间的紧密接触。专利文献1特开平7-118835号公报专利文献2特开2000-17440号公报专利文献3特开2003-301260号公报但是，在图8所示的结构的以往的卷取式(等离子CVD)成膜装置中，存在下述问题，即，作为带金属膜的薄膜2，只不过仅仅是带导电膜的塑料薄膜有效，不能应用到在以塑料薄膜为例表示的原料薄膜上成膜金属膜的处理中。这是因为在该以往的卷取式(等离子CVD)成膜装置中，由于已经形成了金属膜，所以在处理前，虽然能够使施加到冷却用筒式辊上的偏压电位作用于带金属膜的薄膜，但是，在成膜金属膜的情况下，在金属膜成膜前的原料薄膜上没有施加偏压电位。再有，在使金属膜蒸镀前的原料薄膜带电的情况下，若在薄膜上成膜金属膜，则在原料薄膜上所带电的电荷扩散到成膜于原料薄膜上的金属膜，因此，存在筒式辊和原料薄膜之间的静电引力降低，两者的紧密接触力劣化的情况。因此，在以往的卷取式(等离子CVD)成膜装置中的带电以及偏压电位的施加的方法不能应用到想要在以塑料薄膜为例表示的原料薄膜上形成金属膜的情况，因为不能得到冷却用筒式辊和原料薄膜之间的高紧密接触力，所以原料薄膜的冷却效果不足，或是引起在薄膜上产生皱褶等的热变形，或是不能谋求原料薄膜行进速度的高度化，不能期望提高生产性。再有，由于以提高筒式辊和原料薄膜之间的紧密接触力为目的所进行的对原料薄膜照射电子线的影响，即使是在成膜后，原料薄膜也带有电荷，由于该带电压，在卷取薄膜时和组装薄膜电容等的制品时，存在着在薄膜上产生皱褶，难以正确地卷取的问题。本专利技术就是鉴于上述问题而成，其课题在于，提供一种卷取式真空成膜装置，该卷取式真空成膜装置能够抑制以塑料薄膜为例表示的绝缘性的原料薄膜的热变形，以高速成膜金属膜，谋求提高生产性，进而，能够提高薄膜的除电效果。
技术实现思路
在解决以上的课题时，本专利技术的卷取式真空成膜装置具有荷电粒子照射构件、辅助辊、电压施加构件、除电构件，该荷电粒子照射构件被配置在卷放部和成膜构件之间，向原料薄膜照射荷电粒子；该辅助辊被配置在冷却用辊和卷取部之间，并与原料薄膜的成膜面接触，对该原料薄膜的行进进行引导；该电压施加构件对冷却用辊和辅助辊之间施加直流电压；该除电构件配置在冷却用辊和卷取部之间，对原料薄膜进行除电，该除电构件由一方的电极接地的直流二极放电型等离子发生源构成。在金属膜成膜前，因荷电粒子的照射而带电的原料薄膜以静电引力，与被施加了偏压电位的冷却用辊紧密接触。另一方面，在金属膜成膜后，虽然由于被成膜的金属膜，原料薄膜上所带电的电荷的一部分消失，但由于与辅助辊的接触，金属膜被施加电位，能够使其与冷却用辊之间产生静电引力。据此，即使是在成膜后，也能维持原料薄膜和冷却用辊之间的紧密接触力。另外，在金属膜成膜后，通过配置在冷却用辊和卷取部之间的除电构件，对薄膜上所带电的荷电粒子进行除电。因为该除电构件由一方的电极接地的直流二极放电型等离子发生源构成，所以能够进行以接地电位为基准的直流电压的微调，谋求提高除电效果。如上所述，在本专利技术中，因为在金属膜成膜前后都能够得到原料薄膜和冷却用辊之间的高的紧密接触力，所以提高了原料薄膜的冷却效率，据此，防止在成膜时原料薄膜的热变形，另外，可以提高原料薄膜的行进速度，有助于提高生产性。另外，提高了原料薄膜的除电效果，谋求了薄膜卷取工序或组装所制造的薄膜电容器等的产品工序的适当化。专利技术效果根据本专利技术，因为在针对绝缘性的原料薄膜成膜金属膜的前后，能够确保原料薄膜和冷却用辊之间的高的紧密接触力，所以能够防止原料薄膜的热变形，同时提高了原料薄膜的行进速度，可大大有助于提高生产性。另外，提高了原料薄膜的除电效果，谋求了薄膜卷取工序或产品组装工序的适当化。附图说明图1是基于本专利技术的实施方式的卷取式真空蒸镀装置10的概略结构图。图2是表示原料薄膜的成膜面的图，A表示形成油图案25后的状态，B表示金属膜26蒸镀后的状态。图3是说明对原料薄膜12照射电子束的工序的剖视模式图。图4是说明蒸镀后的原料薄膜12和筒式辊14之间的吸附作用的剖视模式图。图5是表示除电单元23的一个结构例的剖视图。图6是表示除电单元23的内部结构的主要部位的放大图。图7是表示除电单元23的结构的变形例的剖视图。图8是以往的卷取式真空成膜装置的概略结构图。符号说明10卷取式真空蒸镀装置(卷取式真空成膜装置)11真空腔12原料薄膜13卷放辊14筒式辊(冷却用辊)15卷取辊16蒸发源(成膜构件)18辅助辊20图案形成单元(遮蔽罩形成构件)21电子束照射器(荷电粒子照射构件) 22直流偏压电源(电压施加构件)23除电单元(除电构件)25油图案26金属膜30框架(等离子形成腔)31A、31B、32A、32B 电极36磁铁块E1、E2接地电位具体实施方式下面，参照附图，就本专利技术的实施方式进行说明。在本实施方式中，对将本专利技术应用到作为卷取式真空成膜装置的卷取式真空蒸镀装置中的例子进行说明。图1是基于本专利技术的实施方式的卷取式真空蒸镀装置10的概略结构图。本实施方式的卷取式真空蒸镀装置10具有真空腔11、原料薄膜12的卷放辊13、冷却用筒式辊14、卷取辊15和蒸镀物质的蒸发源(与本专利技术的“成膜构件”对应)16。真空腔11借助配管连接部11a、11c，与未图示出的真空泵等的真空排气系统连接，其内部被减压排气至规定的真空度。真空腔11的内部空间被分隔板11b分隔为配置着卷放辊13、卷取辊15等的室和配置着蒸发源16的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种卷取式真空成膜装置，该装置具有真空腔、卷放部、卷取部、冷却用辊、成膜构件，该卷放部配置在该真空腔的内部，连续地放出绝缘性的原料薄膜；该卷取部卷取从该卷放部放出的原料薄膜；该冷却用辊配置在上述卷放部和上述卷取部之间，与上述原料薄膜紧密接触，对该薄膜进行冷却；该成膜构件与上述冷却用辊相对配置，在上述原料薄膜上成膜金属膜，其特征在于，具有：配置在上述冷却用辊和上述卷取部之间，并与上述原料薄膜的成膜面接触，对该原料薄膜的行进进行引导的辅助辊；对上述冷却用辊和上述辅 助辊之间施加直流电压的电压施加构件；配置在上述冷却用辊和上述卷取部之间，对上述原料薄膜进行除电的除电构件，上述除电构件是一方的电极接地的直流二极放电型等离子发生源。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信博，横井伸，多田勋，中塚笃，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]