一种功率器件的衬底的制造方法和控制器技术

本发明专利技术适用于功率器件领域，提供了一种功率器件的衬底的制造方法和控制器。该方法包括：获取原始单晶片N‑；在所述原始单晶片N‑的背面上，刻蚀至少一个凹槽；在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N‑层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底。本申请在制造功率器件的衬底时，先在原始单晶片N‑的背面上刻蚀凹槽，然后再在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，从而制造成功率器件的衬底。相对于现有技术在原始单晶片N‑的背面上先形成N+层再在N+层刻蚀凹槽，本申请可以节省在所述背面形成N+层的形成时间，降低生产成本，最终节省了衬底的生产时间和生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件的衬底的制造方法和控制器
本专利技术属于功率器件领域，尤其涉及一种功率器件的衬底的制造方法和控制器。
技术介绍
功率半导体技术是电力电子技术的核心，随着微电子技术的发展，以栅控功率器件与智能功率集成电路为代表的现代功率半导体技术从20世纪80年代得到了迅速发展，进而极大地推动了电力电子技术的进步。而电力电子技术的不断进步反过来又促使功率半导体技术向高频、高温、高压、大功率及智能化、系统化方向发展。功率半导体器件经过了40多年的发展，在器件制造技术上不断提高，已经历了以晶闸管为代表的分立器件，以可关断晶闸管（GT0)、巨型晶体管（GTR)、功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT)为代表的功率集成器件（PID)，以智能化功率集成电路（SSPIC)、高压功率集成电路（HVIC)为代表的功率集成电路（SPIC)等三个发展时期。通过功率器件的制作过程可以实现器件结构变革和参数优化，这些器件都具有PNPN四层结构。在功率器件的制作过程中不仅要进行正面加工也要进行背面加工，正面加工一般是制造MOS器件，和常规VDMOS工艺技术类同；背面加工技术是以薄片技术为核心。其中，现有的功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，所述方法包括：获取原始单晶片N‑；在所述原始单晶片N‑的背面上，刻蚀至少一个凹槽；在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N‑层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，所述方法包括：获取原始单晶片N-；在所述原始单晶片N-的背面上，刻蚀至少一个凹槽；在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N-层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底。2.如权利要求1所述的功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N-层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底，包括：对刻蚀有凹槽的原始单晶片N-的所述正面和所述背面使用硼或者磷进行扩散，在所述正面和所述背面分别形成N+层；采用减薄工艺去除所述正面的N+层。3.如权利要求2所述的功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，采用减薄工艺去除掉所述正面的N+层之后，所述方法包括：采用减薄工艺去减薄所述正面上的N-层。4.如权利要求1所述的功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N-层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底，包括：在在刻蚀有所述凹槽的所述背面注入硼或磷杂质离子；激活杂质离子来在所述背面形成N+层。5.如权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新，
申请(专利权)人：深圳市麦思浦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44