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本发明适用于功率器件领域，提供了一种功率器件的衬底的制造方法和控制器。该方法包括：获取原始单晶片N‑；在所述原始单晶片N‑的背面上，刻蚀至少一个凹槽；在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N‑层和所述背面为N+层构成的功率...
该专利属于深圳市麦思浦半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市麦思浦半导体有限公司授权不得商用。

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