一种于衬底上获得热氧化层的方法技术

本发明专利技术提供了一种于衬底上获得热氧化层的方法，应用于炉管热氧化工艺中，提供一第一衬底，于第一衬底上生长ONO结构后，第一衬底的正面包括一第一ONO结构，第一衬底的背面包括一第二ONO结构，其中，刻蚀去除第二ONO结构最外层的氧化层，以暴露位于第二ONO结构中间的第一氮化物层后形成一待反应衬底结构，包括以下步骤：步骤S1、将待反应衬底结构放置于一炉管中；步骤S2、通过控制炉管的反应参数以及通入放应气体，于第一氮化物层上生成一厚度可调节的热氧化层。其技术方案的有益效果在于，通过控制炉管的反应参数将ONO结构反应生成热氧化层，进而可以有效的减少工艺流程，避免了产能的浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种于衬底上获得热氧化层的方法
本专利技术涉及半导体制备领域，尤其涉及一种于衬底上获得热氧化层的方法。
技术介绍
ONO结构(氧化层-氮化层-氧化层，Oxide/Nitride/Oxide)即两层氧化层之间夹杂氮化层。氧化层和氮化硅层分别采用炉管的高温氧化工艺(HTO)和DCS-NH3低压化学气相沉积工艺，两种工艺都属于炉管的低压化学气相沉积工艺，所以会在衬底的正反面都形成ONO结构。而生长在衬底被背面的ONO结构，实际上是反应过程中形成的副产物，当需要在在衬底的背面生长热氧化层时，现有的做法通常是将衬底背面的ONO结构去除，以暴露衬底的背面，再通过热氧化制成工艺在衬底的背面生长预定厚度的氧化层，去除衬底背面的结构通常采用的湿法刻蚀工艺加上清洗步骤实现，因此在衬底的背面形成热氧化层时存在着工艺步骤较多，导致产能的浪费。
技术实现思路
针对现有技术中于衬底的背面生成热氧化层存在的上述问题，现提供一种旨在省去对衬底背面的ONO结构进行去除的工艺，以在衬底的背面信形成热氧化层，避免造成产能浪费的于衬底上获得热氧化层的方法具体技术方案如下：一种于衬底上获得热氧化层的方法，应用于炉管热氧化工艺中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种于衬底上获得热氧化层的方法，应用于炉管热氧化工艺中，提供一第一衬底，于所述第一衬底上生长ONO结构后，所述第一衬底的正面包括一第一ONO结构，所述第一衬底的背面包括一第二ONO结构，其特征在于，刻蚀去除所述第二ONO结构最外层的氧化层，以暴露位于所述第二ONO结构中间的第一氮化物层后形成一待反应衬底结构，包括以下步骤：步骤S1、将所述待反应衬底结构放置于一炉管中；步骤S2、通过控制所述炉管的反应参数以及通入放应气体，于所述第一氮化物层上生成一厚度可调节的热氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种于衬底上获得热氧化层的方法，应用于炉管热氧化工艺中，提供一第一衬底，于所述第一衬底上生长ONO结构后，所述第一衬底的正面包括一第一ONO结构，所述第一衬底的背面包括一第二ONO结构，其特征在于，刻蚀去除所述第二ONO结构最外层的氧化层，以暴露位于所述第二ONO结构中间的第一氮化物层后形成一待反应衬底结构，包括以下步骤：步骤S1、将所述待反应衬底结构放置于一炉管中；步骤S2、通过控制所述炉管的反应参数以及通入放应气体，于所述第一氮化物层上生成一厚度可调节的热氧化层。2.根据权利要求1所述的于衬底上获得热氧化层的方法，其特征在于，所述炉管中设置有晶舟，所述待反应衬底结构按批次放入所述晶舟的装载区内，通过炉管热氧化工艺对所述待反应衬底结构进行反应。3.根据权利要求1所述的于衬底上获得热氧化层的方法，其特征在于，相邻批次的所述待反应衬底结构之...

【专利技术属性】
技术研发人员：万明，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42