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本发明提供了一种于衬底上获得热氧化层的方法，应用于炉管热氧化工艺中，提供一第一衬底，于第一衬底上生长ONO结构后，第一衬底的正面包括一第一ONO结构，第一衬底的背面包括一第二ONO结构，其中，刻蚀去除第二ONO结构最外层的氧化层，以暴露位于...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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