通过反向的流动挤压冷成型钼的方法技术

一种通过反向流动挤压冷成型钼的方法，其中在冷成型以前进行完全的再结晶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过反向流动挤压冷成型钼的方法。
技术介绍
钼由于其热、电及化学的特性用于照明技术。钼在室温下是脆的材料，并且粗制品和半成品普遍地是通过热成型制造。钼型件譬如照明技术用的管或者帽可以通过深拉在室温下用板材或者带材制造。深拉是指用板材拉压成型为空心体或者用较大直径的空心体形成有较小直径的空心体。在此不能够有意地改变板材厚度。拉切的板材放在接收腔内。一个压紧装置压在拉拔模上并且在深拉时防止形成皱折。下行的冲头向拉拔模中挤压所述板材并且从而把它形成所要求的工件。在高的拉伸比例时深拉可以分成多个步骤进行。拉伸比例指的是切开的板材的直径与工件的直径的比。在深拉的步骤之间可以进行中间退火。粗制品和半成品的成型通常在热的条件下进行，也就是有利地直接在烧结后进行(US5,158,709)，或者用电子枪熔化的钼按照热锻造进行，或者通过热力机械学地成型(US5,051,139)。还有冷成型的方法，优选在薄的尺寸，然而其中不完全地再结晶钼，以此在拉力下不出现裂纹和断裂。流行的学术观点认为，所述材料不应当完全地再结晶，因为在再结晶了的软灼热的状态下成型所必须的拉应力导致材料破坏(收缩、裂纹)。还有公知一种方法，其中成型、再结晶和退火交替进行(例如US4,600,446)。在US3,552,996中提出一种通过挤压冷成型脆的、再结晶的或者相应的材料(下文中材料指钼)的方法。所述方法也公知为正向流动挤压法。流动挤压是一种用于制造空心体或者实心体的冷成型方法。可以类似地如在挤压中那样用冲头通过冲模挤压致密的原材料(正向)，也可以把冲头压入原材料中并且材料反向地沿冲头流动。与挤压的区别在于加工的温度，并且在于，通过流动挤压不制造半成品段而是制造单个部件，由此还可以产生复杂的成型。所述方法的优点在于较低的模具成本，高的模具耐用性和约30-150件/分钟的高工作速度。表面质量良好并且适于进一步的表面处理。主要应用领域是铝合金。在US3,552,996中说明的方法的要点在于避免流动挤压冲模上的陡立的撕裂棱边。由此应当防止成型后的跳跃式的应力过渡。然而所述的方法实践中只证明对TZM合金有效，从而只能够制造部分无撕裂的成型体。
技术实现思路
本文下面说明一种通过反向流动挤压冷成型钼的方法。我们发现，尽管其脆性，钼也能够令人惊喜地通过反向流动挤压成型，而不出现撕裂或者断裂。在流动挤压时通过压力施加能量。此前通过热处理使钼完全地再结晶，从而用足够小的应力超过材料的屈服点。在再结晶时应当去除以前由于成型出现的附加晶格应力。材料就在相对小的力量下达到其屈服点。所述再结晶优选在1300℃以上的温度进行，特别优选在1400℃(钼的熔点在2623-5℃)以上的温度进行。从而本专利技术的目的是提供一种通过反向流动挤压泠成型钼的方法，其中事先进行完全的再结晶。所述的方法优选地如下进行以较后的成品的直径范围内的钼丝在真空或者保护气体条件下在1400℃以上的温度完全地再结晶并且在真空或者保护气体条件下冷却。从这样地再结晶的材料截出的段在室温下流动挤压成旋转对称的成品部件。所述方法的重要优点是一方面材料比在深拉得到较好的利用。另一方面可以通过反向流动挤压制造有较厚的或者成型的底部的部件。所述的方法还适于其它脆的金属或者其它的合金，例如用于铬或者钨。在工业上所述方法例如可以用于制造照明技术的钼帽。这样生产的部件可以用作通过玻璃或者陶瓷管壳的电流通导部分，或者用作CCFL灯泡(冷阴极荧光发射灯)或者冷阴极灯泡(KKL)的发射电极。冷阴极灯泡或者CCFL灯泡是荧光材料灯泡并且利用低压放电原理。由此激励稀薄的气体混合物(例如Ar/Hg)。不加热电极，而是首先在管子上加以高的电压，以电离气体混合物使之导电。电能激励气体原子，并且气体原子放出UV和可见光形式的剩余能量。在管内侧的以磷为基础的涂层把UV光转换成可见光。电极用耐火的金属制造，多数是用钼制造。由于其特性特别地适用于发射电子。在交流电工作时，电极交替地用作阴极和阳极。附图说明下面的实施例用于不加限制地详细地说明本专利技术。图1为按50∶1的比例示出的按照本专利技术所述的方法制造的钼帽的纵向图。具体实施例方式将在＞1400℃的温度并且在真空下再结晶并且在真空下冷却的1mm钼丝段在约1500Mpa的压力下于室温下在一个压机上反向流动挤压成一个成型的帽。这样的帽可以在CCFL灯泡中用作发射电极。根据所述的方法把投入的材料100％无废料地成型。经根据本专利技术的一种方法制造的帽的显微纵向图在图1中表明，用这样的方法可以制造无裂纹的旋转对称成型件。权利要求1.通过反向流动挤压冷成型钼的方法，其特征在于，在冷成型以前进行完全的再结晶。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在保护气体和/或真空条件下进行再结晶。3.如以上权利要求之一所述的方法，其特征在于，在1300℃以上的温度进行再结晶。4.如以上权利要求之一所述的方法，其特征在于，A)钼工件在真空和/或保护气体条件下在1400℃以上的温度进行再结晶；B)在真空和/或保护气体条件下冷却所述工件；C)从这样地再结晶的材料截出的段在室温下流动挤压成成品部件。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，旋转对称地压制成品部件。6.如权利要求1至5之一所述的流动挤压的钼成型件在照明技术中的应用。7.如权利要求6所述的应用，其中成型件用于制造通过玻璃或者陶瓷管壳的电流通导部分，或者用作冷阴极荧光发射灯泡中或者冷阴极灯泡中的发射电极。全文摘要一种通过反向流动挤压冷成型钼的方法，其中在冷成型以前进行完全的再结晶。文档编号B21C23/00GK1611629SQ200410080309公开日2005年5月4日 申请日期2004年9月28日 优先权日2003年10月2日专利技术者B·斯帕尼奥尔, J·特拉格泽, W·京特, J·席尔克 申请人:W.C.贺利氏两合有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
通过反向流动挤压冷成型钼的方法，其特征在于，在冷成型以前进行完全的再结晶。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：B斯帕尼奥尔，J特拉格泽，W京特，J席尔克，
申请(专利权)人：WC贺利氏两合有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]