一种磁控溅射Co-Cr-Ta合金靶的制造方法技术

本发明专利技术属于冶金制备领域，特别涉及一种磁控溅射Ｃｏ－Ｃｒ－Ｔａ合金靶的制造方法。该方法以９９．９５％的电解钴，９９．９％的电解铬，９９．９％的钽为原料，经真空熔炼，铸锭、锻造，轧制，热处理（或经真空熔炼，铸锭，轧制，热处理），然后机加工成成品。合金成分ａｔ％范围为：Ｃｏ７３－８８％，Ｃｒ８－２５％，Ｔａ２－６％；在熔炼过程中浇注温度在熔点以上５０℃～１５０℃，锻造温度在１０００℃～１２００℃，轧制温度为１１００℃～１３００℃，热处理温度为７００℃～１０００℃，保温４～１０小时，然后淬火。本发明专利技术与现有技术相比具有成品成分控制精确，分布均匀，成品的纯度高，密度大、磁透率高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于冶金制备领域，特别涉及一种磁控溅射Co-Cr-Ta合金耙的制 造方法。
技术介绍
随着科技的发展和社会的进步，磁记录媒体向着大存贮量、高密度发展， 早在80年代就提出垂直磁记录模式，CoCr、 CoCrPt、 CoCrTa和CoCrPtTa 是主要的磁记录介质。由于磁控溅射方法镀出的膜纯度高，结构控制精确， 而成为沉积高质量磁性薄膜来制造磁性元器件广泛采用的方法。但是，磁控 溅射沉积磁性薄膜存在着铁磁性靶材难以正常溅射的问题，这一困难阻碍了 高性能磁性薄膜和器件的生产和应用。要解决这一难题，方法之一就是提高 铁磁性靶材的透磁率(PTF， Pass Through Flux)。目前，制造磁控溅射Co-Cr-Ta合金靶的方法主要有两种1、 粉末烧结法该方法是先将原料真空感应熔炼，然后采用快淬法制成薄带，破碎成粉 末，在高温、高压下烧结，再经机加工成成品。该方法的优点是成分分布均匀，成分控制准确。缺点是在破碎和烧结过程中，不可避免的会引入杂质，工艺流程较长，产品密度和磁透率较低。(JP Patent Number:308080/1992)2、 真空感应熔炼法该方法是将原本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射Ｃｏ－Ｃｒ－Ｔａ合金靶的制造方法，其特征在于工艺流程为用真空感应熔炼工艺制备Ｃｏ－Ｃｒ－Ｔａ合金，即要通过配料、熔炼、铸锭、锻造、轧制、热处理，然后机加工制成成品，具体步骤如下：Ａ、配料：按配料比例称取电解Ｃｏ、Ｃｒ和Ｔ ａ金属块。原材料纯度在９９．９％以上，合金成分ｗｔ％范围为：Ｃｏ７３－８８％，Ｃｒ８－２５％，Ｔａ２－６％；Ｂ、熔炼、铸锭：将称好的金属块放入真空感应熔炼炉坩埚中，按通常的冶炼工艺冶炼，精炼时间为９～１３分钟，当钢水温度达到液相线以 上５０～１５０℃时进行浇铸；Ｃ、锻造：将熔炼所得锭坯放在马弗炉中，在１０００～１２００℃保温１～１．５小...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于宏新，周武平，穆健刚，李群，姚伟，唐培新，鲍学进，单秉权，王勤，
申请(专利权)人：安泰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]