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本发明属于冶金制备领域，特别涉及一种磁控溅射Ｃｏ－Ｃｒ－Ｔａ合金靶的制造方法。该方法以９９．９５％的电解钴，９９．９％的电解铬，９９．９％的钽为原料，经真空熔炼，铸锭、锻造，轧制，热处理（或经真空熔炼，铸锭，轧制，热处理），然后机加工成成品...
该专利属于安泰科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安泰科技股份有限公司授权不得商用。

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