【技术实现步骤摘要】
过压保护电路
本专利技术涉及电压过压保护领域,特别是涉及一种过压保护电路。
技术介绍
电路中如果输入电压过高会造成负载电路内部器件受损害甚至烧毁,因此需要过压保护电路对电路进行保护。传统的过压保护电路主要有2种方案:利用集成芯片方案和利用稳压管加三极管的方案。集成芯片反应速率快、电压精度高,但是一般会有一个电压使用范围,导致电压的使用范围小;而稳压管加三极管的方案,虽然可以通过调整稳压管和三极管的耐压来改变电压使用范围,但是反应速率较慢,电压精度较差。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种电压使用范围大、反应速率快,电压精度高的过压保护电路。一种过压保护电路,用于对负载电路进行过压保护,包括:恒流保护模块、基准电压模块、比较模块、通断控制模块;所述比较模块的第一输入端连接输入电源,所述恒流保护模块的输入端连接所述输入电源,输出端连接所述基准电压模块的输入端,所述基准电压模块的输出端连接所述比较模块的第二输入端,所述比较模块的输出端连接所述通断控制模块的受控端,所述通断控制模块控制所述输入电源是否给负载电路供电;所述恒流保护模块用于给所述基准电压模块进行恒流供电,并对所述基准电压模块进行过压保护;所述基准电压模块用于给所述比较模块的第二输入端提供稳定的基准电压;所述比较模块用于在所述第一输入端输入的电压低于所述基准电压时,输出控制所述通断控制模块将所述输入电源与所述负载电路连通的控制信号;在所述第一输入端输入的电压高于所述基准电压时,输出控制所述通断控制模块将所述输入电源与所述负载电路断开的控制信号。在其中一个实施例中,还包括过压阈值预设模块,所述过压阈值预设模 ...
【技术保护点】
一种过压保护电路,用于对负载电路进行过压保护,其特征在于,包括:恒流保护模块、基准电压模块、比较模块、通断控制模块;所述比较模块的第一输入端连接输入电源,所述恒流保护模块的输入端连接所述输入电源,输出端连接所述基准电压模块的输入端,所述基准电压模块的输出端连接所述比较模块的第二输入端,所述比较模块的输出端连接所述通断控制模块的受控端,所述通断控制模块控制所述输入电源是否给所述负载电路供电;所述恒流保护模块用于给所述基准电压模块进行恒流供电,并对所述基准电压模块进行过压保护;所述基准电压模块用于给所述比较模块的第二输入端提供稳定的基准电压;所述比较模块用于在所述第一输入端输入的电压低于所述基准电压时,输出控制所述通断控制模块将所述输入电源与所述负载电路连通的控制信号;在所述第一输入端输入的电压高于所述基准电压时,输出控制所述通断控制模块将所述输入电源与所述负载电路断开的控制信号。
【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路,用于对负载电路进行过压保护,其特征在于,包括:恒流保护模块、基准电压模块、比较模块、通断控制模块;所述比较模块的第一输入端连接输入电源,所述恒流保护模块的输入端连接所述输入电源,输出端连接所述基准电压模块的输入端,所述基准电压模块的输出端连接所述比较模块的第二输入端,所述比较模块的输出端连接所述通断控制模块的受控端,所述通断控制模块控制所述输入电源是否给所述负载电路供电;所述恒流保护模块用于给所述基准电压模块进行恒流供电,并对所述基准电压模块进行过压保护;所述基准电压模块用于给所述比较模块的第二输入端提供稳定的基准电压;所述比较模块用于在所述第一输入端输入的电压低于所述基准电压时,输出控制所述通断控制模块将所述输入电源与所述负载电路连通的控制信号;在所述第一输入端输入的电压高于所述基准电压时,输出控制所述通断控制模块将所述输入电源与所述负载电路断开的控制信号。2.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,还包括过压阈值预设模块,所述过压阈值预设模块包括分压电阻R1和分压电阻R4,所述输入电源串联分压电阻R1和分压电阻R4后接地,所述分压电阻R4连接所述分压电阻R1的一端并连接所述第一输入端,所述第一输入端输入的电压与所述输入电源的电压比值为所述分压电阻R4的阻值与所述分压电阻R1和分压电阻R4的阻值之和的比值,从而可以通过调节所述分压电阻R1和分压电阻R4的比值来调节所述输入电源使所述比较模块的输出跳变的过压阈值。3.根据权利要求2所述的过压保护电路,其特征在于,所述过压阈值预设模块还包括二极管D2,所述二极管D2的阳极连接于所述分压电阻R1和分压电阻R4之间,所述二极管D2的阴极连接所述基准电压模块。4.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述恒流保护模块包括PNP三极管N1、PNP三极管N2、电阻R8、电阻R10、电阻R11以及稳压二极管DW2,所述电阻R8串联于所述输入电源和所述PNP三极管N2的发射极之间,所述电阻R11串联于所述PNP三极管N2的集电极和接地端之间,所述电阻R10串联于所述电阻R8和所述PNP三极管N2的基极之间,所述PNP三极管N1的发射极连接所述PNP三极管N2的基极,所述PNP三极管N1的...
【专利技术属性】
技术研发人员:车嘉兴,赖星,卢致辉,陈金颖,苏忠可,
申请(专利权)人:深圳市科比特航空科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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