一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其包括有：熔断器、双向可控硅及稳压管，所述熔断器的第一端为电源端，其第二端为供电输出端，该第二端还通过第一电阻而连接至稳压管的阴极，该稳压管的阳极通过第二电阻接地，所述熔断器的第二端还连接双向可控硅的第一极，所述双向可控硅的第二极接地，其控制极连接至稳压管的阳极。本实用新型专利技术不仅避免了电路欠压还降低了产品成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及驱动电源领域，尤其涉及一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路。
技术介绍
随着科学技术的进步及社会的发展，越来越多的电子产品走进人们的日常生活。特别是随着小家电产品的种类及数量的增加，电源适配器产业逐渐兴起，实际应用中，电源过流、反接、过压等现象造成电子产品损坏的问题也日益凸显。于是，人们在设计电子产品时，不得不去设计一些保护电路以防止过压过流及反接的情况发生。其中，过流是指电流过大，超过电路的额定电流的情况。现在主要防止过流的方法是在电路上加保险丝，保险丝上都有额定的电流，当电路电流超过保险丝的额定电流时，保险丝会熔断，形成断路，从而保护电路中的电子元器件。反接是指电源适配器正负极接反的情况，一般防止反接的办法是在电路中加二极管，利用二极管的单向导电的特性而抑制反向电流的流过，但是采用这种方法时，二极管上会有压降的损耗，该损耗会随着电流的增加而增大，在电流较大的电路中，有可能会因为压降太大而造成电路处于欠压的情况。过压是指输入电压超过额定输入电压的情况，现有技术中常采用过压保护芯片而稳定浪涌电压，当电压输入持续过高时，可将电路断开以保护电子元件，但是，过压保护芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，其包括有：熔断器（FU1）、双向可控硅（Q1）及稳压管（D1），所述熔断器（FU1）的第一端为电源端（VIN），其第二端为供电输出端（VCC），该第二端还通过第一电阻（R1）而连接至稳压管（D1）的阴极，该稳压管（D1）的阳极通过第二电阻（R2）接地，所述熔断器（FU1）的第二端还连接双向可控硅（Q1）的第一极，所述双向可控硅（Q1）的第二极接地，其控制极连接至稳压管（D1）的阳极。

【技术特征摘要】
1.一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，其包括有熔断器(FU1)、双向可控硅(Ql)及稳压管(D1)，所述熔断器(FUl)的第一端为电源端(VIN)，其第二端为供电输出端(VCC)，该第二端还通过第一电阻(Rl)而连接至稳压管(Dl)的阴极，该稳压管(Dl)的阳极通过第二电阻(R2)接地，所述熔断器(FUl)的第二端还连接双向可控硅(Ql)的第一极，所述双向可控硅(Ql)的第二极接地，其控制极连接至稳压管(Dl)的阳极。2.如权利要求1所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄善兵，翟建光，甘彦君，
申请(专利权)人：深圳市新国都技术股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：