本发明专利技术公开一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其包括有：熔断器、双向可控硅及稳压管，所述熔断器的第一端为电源端，其第二端为供电输出端，该第二端还通过第一电阻而连接至稳压管的阴极，该稳压管的阳极通过第二电阻接地，所述熔断器的第二端还连接双向可控硅的第一极，所述双向可控硅的第二极接地，其控制极连接至稳压管的阳极。本发明专利技术不仅避免了电路欠压还降低了产品成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及驱动电源领域，尤其涉及一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路。
技术介绍
随着科学技术的进步及社会的发展，越来越多的电子产品走进人们的日常生活。特别是随着小家电产品的种类及数量的增加，电源适配器产业逐渐兴起，实际应用中，电源过流、反接、过压等现象造成电子产品损坏的问题也日益凸显。于是，人们在设计电子产品时，不得不去设计一些保护电路以防止过压过流及反接的情况发生。其中，过流是指电流过大，超过电路的额定电流的情况。现在主要防止过流的方法是在电路上加保险丝，保险丝上都有额定的电流，当电路电流超过保险丝的额定电流时，保险丝会熔断，形成断路，从而保护电路中的电子元器件。反接是指电源适配器正负极接反的情况，一般防止反接的办法是在电路中加二极管，利用二极管的单向导电的特性而抑制反向电流的流过，但是采用这种方法时，二极管上会有压降的损耗，该损耗会随着电流的增加而增大，在电流较大的电路中，有可能会因为压降太大而造成电路处于欠压的情况。过压是指输入电压超过额定输入电压的情况，现有技术中常采用过压保护芯片而稳定浪涌电压，当电压输入持续过高时，可将电路断开以保护电子元件，但是，过压保护芯片的价格较高，增加了企业成本。因此，现有的反接保护及过压保护电路存在电路欠压及成本较高的缺陷。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，从而避免电路欠压及降低产品成本。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案。一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其包括有熔断器、双向可控硅及稳压管，所述熔断器的第一端为电源端，其第二端为供电输出端，该第二端还通过第一电阻而连接至稳压管的阴极，该稳压管的阳极通过第二电阻接地，所述熔断器的第二端还连接双向可控硅的第一极，所述双向可控硅的第二极接地，其控制极连接至稳压管的阳极。优选地，所述熔断器为自恢复型保险丝。优选地，所述稳压管的钳位电压为12V。优选地，所述第一电阻与第二电阻的电阻值相等。优选地，所述电源端还通过第一电容接地。优选地，所述第二电阻还并联有第二电容。本专利技术公开的一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路中，当电路过流时，熔断器熔断以令电路呈断路状态。当电源端与地反接时，双向晶闸管的控制极与第二极均为高电位，双向晶闸管导通，熔断器因电路短路而熔断，从而实现了对电源端与地反接时的保护，这种保护方法，相比现有技术中采用二极管抑制反向电流的保护方式，避免了因二极管的压降损耗而造成的电路欠压。当电源端的输入电压过高时，稳压管反向击穿，且通过第一电阻及第二电阻的分压作用，使第二电阻产生电压，当该电压达到双向可控硅的触发电压时，双向可控硅因导通而将电源端与地短路，此时，熔断器因电流过大而熔断，从而实现了过压保护，这种保护方法，相比现有技术中采用过压保护芯片的保护方式，降低了产品成本。因此，本专利技术不仅避免了电路欠压还降低了产品成本。附图说明图I为本专利技术的电路原理图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作更加详细的说明。·本专利技术公开一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，如图I所示，其包括有熔断器FU1、双向可控硅Ql及稳压管D1，所述熔断器FUl的第一端为电源端VIN，其第二端为供电输出端VCC，该第二端还通过第一电阻Rl而连接至稳压管Dl的阴极，该稳压管Dl的阳极通过第二电阻R2接地，所述熔断器FUl的第二端还连接双向可控硅Ql的第一极，所述双向可控硅Ql的第二极接地，其控制极连接至稳压管Dl的阳极。上述电路结构中，电源适配器的输出电流及电压经本专利技术保护后通过供电输出端VCC而为电子产品供电。本专利技术中，当电路过流时，熔断器FUl熔断以令电路呈断路状态。当电源端VIN与地反接时，双向晶闸管Ql的控制极与第二极均为高电位，双向晶闸管Ql导通，熔断器FUl因电路短路而熔断，从而实现了对电源端VIN与地反接时的保护，这种保护方法，相比现有技术中采用二极管抑制反向电流的保护方式，避免了因二极管的压降损耗而造成的电路欠压。当电源端VIN的输入电压过高时，稳压管Dl反向击穿，且通过第一电阻Rl及第二电阻R2的分压作用，使第二电阻R2产生电压，当该电压达到双向可控硅Ql的触发电压时，双向可控硅Ql因导通而将电源端VIN与地短路，此时，熔断器FUl因电流过大而熔断，从而实现了过压保护，这种保护方法，相比现有技术中采用过压保护芯片的保护方式，降低了产品成本。因此，本专利技术不仅避免了电路欠压还降低了产品成本。本实施例中，如图I所示，熔断器FUl为自恢复型保险丝，所以，具体应用时，不必反复更换熔断器FUl。稳压管Dl的钳位电压为12V，第一电阻Rl与第二电阻R2的电阻值相等。若电源端VIN的输入电压为VI，则第二电阻R2的压降VR2= (VI-12V) *R2/ (R1+R2)，由于第一电阻Rl与第二电阻R2的阻值相等，所以VR2= (VI-12V)/2，本实施例中，当输入电压高于15V时，则VR2高于1.5V而令双向可控硅Ql导通，因此，本实施例可实现当电源端VIN的输入电压高于15V时的过压保护。但是，在本专利技术的其他实施例中，稳压管Dl的钳位电压还可以是其他数值，而第一电阻Rl及第二电阻R2的电阻值也可以不相等，其中第一电阻Rl的阻值可以是零欧姆也可以是其他数值。 如图I所示，电源端VIN还通过第一电容Cl接地，第二电阻R2还并联有第二电容C2。其中，第一电容Cl及第二电容C2用于滤除高频杂波以避免本专利技术的误启动。本专利技术公开的一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，相比现有技术中采用二极管抑制反向电流的保护方式，避免了因二极管的压降损耗而造成的电路欠压。同时，相比现有的采用过压保护芯片的保护方式，还降低了产品的成本。 以上所述只是本专利技术较佳的实施例，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的技术范围内所做的修改、等同替换或者改进等，均应包含在本专利技术所保护的范围内。权利要求1.一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，其包括有熔断器(FU1)、双向可控硅(Ql)及稳压管(D1)，所述熔断器(FUl)的第一端为电源端(VIN)，其第二端为供电输出端(VCC)，该第二端还通过第一电阻(Rl)而连接至稳压管(Dl)的阴极，该稳压管(Dl)的阳极通过第二电阻(R2)接地，所述熔断器(FUl)的第二端还连接双向可控硅(Ql)的第一极，所述双向可控硅(Ql)的第二极接地，其控制极连接至稳压管(Dl)的阳极。2.如权利要求I所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述熔断器(FUl)为自恢复型保险丝。3.如权利要求I所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述稳压管(Dl)的钳位电压为12V。4.如权利要求3所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述第一电阻(Rl)与第二电阻(R2)的电阻值相等。5.如权利要求I所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述电源端(VIN)还通过第一电容(Cl)接地。6.如权利要求I所述的基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，所述第二电阻(R2)还并联有第二电容(C2)。全文摘要本专利技术公开一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，其包括有：熔断器（FU1）、双向可控硅（Q1）及稳压管（D1），所述熔断器（FU1）的第一端为电源端（VIN），其第二端为供电输出端（VCC），该第二端还通过第一电阻（R1）而连接至稳压管（D1）的阴极，该稳压管（D1）的阳极通过第二电阻（R2）接地，所述熔断器（FU1）的第二端还连接双向可控硅（Q1）的第一极，所述双向可控硅（Q1）的第二极接地，其控制极连接至稳压管（D1）的阳极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄善兵，翟建光，甘彦君，
申请(专利权)人：深圳市新国都技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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