【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高速电路领域,尤其涉及一种过压保护电路。
技术介绍
在应用于OTG负载的充电器设备中,需要具备双向导通功能的负载开关电路,既能够满足电源对主机设备进行充电,也要能够实现接入OTG负载时主机设备对OTG负载的进行充电;在USB接口插入时,暴露在外部的传输线接口很大可能会引入芯片不能承受的高压脉冲,甚至是电平浪涌。在这种情况下,需要对超过安全阈值的电平信号进行过压检测保护,避免芯片以系统环境被烧坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决上述的问题,提出了一种过压保护电路。为实现上述目的,本专利技术提供了一种过压保护电路,该过压保护电路包括:分压模块、信号切换模块和比较模块;分压模块包括至N个用于对待检测信号进行分压的分压单元,每个分压单元的输出值包括目标过压检测电压、第一迟滞电压和第二迟滞电压,分压模块根据第一控制信号从N个目标过压检测电压中获取并输出目标过压检测电压;其中,N为正整数;信号切换模块用于根据比较模块输出的反馈信号,从目标过压检测电压和第一迟滞电压中之一选择输出至比较模块;比较模块用于对信号切换模块的输出电压和基准电压进行比较,输出反馈信号和过压保护信号。优选地,过压保护电路还包括选通模块;选通模块包括两个输入端,两个输入端分别输入第一迟滞电压和第二迟滞电压,选通模块根据第二控制信号从第一迟滞电压和第二迟滞电压中选择之一输出至信号切换模块;信号切换模块用于根据比较模块输出的反馈信号,从目标过压检测电压和第一迟滞电压中之一选择输出至比较模块。优选地,N个分压单元包括:N组电阻组和N个选通开关;第N组电阻组的一端与第(N-1)组电阻组的另 ...
【技术保护点】
一种过压保护电路,其特征在于,包括:分压模块(101)、信号切换模块(102)和比较模块(103);所述分压模块(101)包括至N个用于对待检测信号进行分压的分压单元,每个所述分压单元的输出值包括目标过压检测电压、第一迟滞电压和第二迟滞电压,所述分压模块(101)根据第一控制信号从N个目标过压检测电压中获取并输出目标过压检测电压;其中,N为正整数;所述信号切换模块(102)用于根据所述比较模块(103)输出的反馈信号,从所述目标过压检测电压和所述第一迟滞电压中之一选择输出至所述比较模块(103);所述比较模块(103)用于对所述信号切换模块(102)的输出电压和基准电压进行比较,输出所述反馈信号和过压保护信号。
【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路,其特征在于,包括:分压模块(101)、信号切换模块(102)和比较模块(103);所述分压模块(101)包括至N个用于对待检测信号进行分压的分压单元,每个所述分压单元的输出值包括目标过压检测电压、第一迟滞电压和第二迟滞电压,所述分压模块(101)根据第一控制信号从N个目标过压检测电压中获取并输出目标过压检测电压;其中,N为正整数;所述信号切换模块(102)用于根据所述比较模块(103)输出的反馈信号,从所述目标过压检测电压和所述第一迟滞电压中之一选择输出至所述比较模块(103);所述比较模块(103)用于对所述信号切换模块(102)的输出电压和基准电压进行比较,输出所述反馈信号和过压保护信号。2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述过压保护电路还包括选通模块(104);所述选通模块(104)包括两个输入端,所述两个输入端分别输入所述第一迟滞电压和所述第二迟滞电压,所述选通模块(104)根据第二控制信号从所述第一迟滞电压和所述第二迟滞电压中选择之一输出至所述信号切换模块(102);所述信号切换模块(102)用于根据所述比较模块(103)输出的反馈信号,从所述目标过压检测电压和所述选通模块的输出电压中之一选择输出至所述比较模块(103)。3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述N个分压单元的一个分压单元包括:第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)第四电阻(R4)和第一晶体管(N1);所述第一电阻(R1)的一端是所述分压模块(101)的输入端;所述第一电阻(R1)的另一端与所述第二电阻(R2)的一端的连接点是所述分压模块(101)的目标过压检测电压的输出端;所述第二电阻(R2)的另一端与所述第三电阻(R3)的一端的连接点是所述分压模块(101)的第一迟滞电压的输出端;所述第三电阻(R3)的另一端与所述第四电阻(R4)的一端的连接点是所述分压模块(101)的第二迟滞电压的输出端;所述第四电阻(R4)的另一端与第一晶体管(N1)的漏极连接,所述第一晶体管(N1)的源极与地连接,所述第一晶体管(N1)的栅极与所述第一控制信号连接。4.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述选通模块(104)包括:第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6);当所述第四NMOS晶体管(N4)处于导通时、所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨靖,刘柳,梅当民,
申请(专利权)人:英特格灵芯片天津有限公司,
类型:发明
国别省市:天津;12
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