一种保护电路制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种保护电路，所述电路采用分立器件代替过压保护芯片，能够降低成本。本发明专利技术提供了一种保护电路，所述电路包括：第一电阻，所述第一电阻的一端连接于输入电压，另一端连接于第二电阻和PNP三极管的基极；第二电阻，所述第二电阻的一端连接于所述第一电阻和所述PNP三极管的基极，另一端接地；PNP三极管，所述PNP三极管的发射极连接于所述输入电压，集电极连接于MOS管的栅极；MOS管，所述MOS管的漏极连接于所述输入电压，源极连接于输出电压。本发明专利技术实施例适用于电子产品充电过程中。

Protection circuit

The embodiment of the invention provides a protection circuit, which uses a discrete device instead of an overvoltage protection chip, thereby reducing the cost. The invention provides a protection circuit, the circuit comprises a first resistor, one end of the first resistor is connected to the input voltage, the other end is connected to the second PNP transistor and resistor base; second resistor, one end of the second resistor is connected to the first resistor and the base of the PNP triode and the other end is grounded; a PNP transistor, the PNP triode is connected to the input voltage, the collector is connected to the gate of MOS tube; the MOS tube, MOS tube drain connected to the input voltage source is connected to the output voltage. The embodiment of the invention is suitable for the charging process of electronic products.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路
，尤其涉及一种保护电路。
技术介绍
现在市场上的电子设备类型越来越丰富，人们对于电子设备也产生了很大的依赖性，所以一些电子设备的耗电速度变快，充电次数也随之增加。在实际使用中，由于充电环境非常复杂，电子设备的充电回路可能产生过电压、过电流等问题，造成电子设备的电源管理芯片损坏，甚至可能导致火灾的发生。因此，为解决上述问题，目前多采用OVP(overvoltageprotection，过压保护芯片)串接在充电回路中来保护电子设备，但是OVP芯片价格较高，只在一些高端设备中配置，不适用其他低价设备，所以OVP芯片配置未能推广到所有电子设备。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种保护电路，可以实现电路的过压过流保护，同时又可以降低制造成本。本专利技术实施例提供了一种保护电路，所述保护电路包括：第一电阻，所述第一电阻的一端连接于输入电压，另一端连接于第二电阻和PNP三极管的基极；第二电阻，所述第二电阻的一端连接于所述第一电阻和所述PNP三极管的基极，另一端接地；PNP三极管，所述PNP三极管的发射极连接于所述输入电压，集电极连接于MOS管的栅极；MOS管，所述MOS管的漏极连接于所述输入电压，源极连接于输出电压。如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，所述保护电路还包括钳位电路，所述钳位电路的一端连接于所述输入电压，另一端接地。如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，所述PNP三极管的集电极通过第三电阻接地。如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，所述钳位电路由二极管和电容并联构成。本专利技术实施例提供了一种保护电路，采用分立器件代替OVP芯片，利用三极管代替OVP芯片中的开关逻辑控制电路，降低成本，与现有技术采用集成的OVP芯片相比，本专利技术实施例提供的保护电路可以根据设备的实际成本来选择合适的电子器件搭建保护电路，可以在实现过压保护的同时又降低成本，实际应用更加灵活。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1是现有技术中OVP过压保护芯片的结构组成图；图2是本专利技术实施例所提供的一种保护电路的接线图；图3是本专利技术实施例提供的另一种保护电路的接线图；图4是本专利技术实施例提供的另一种保护电路的接线图。【具体实施方式】为了更好的理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。应当明确，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。在本专利技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。类似地，取决于语境，短语“如果确定”或“如果检测(陈述的条件或事件)”可以被解释成为“当确定时”或“响应于确定”或“当检测(陈述的条件或事件)时”或“响应于检测(陈述的条件或事件)”。现有技术采用OVP过压保护芯片来保护充电电路，OVP过压保护芯片内部结构如图1所述，电路的实现过程如下：电压源输出电压先经过钳位电路将电压波形的顶部或底部固定在某一电压值上，从而得到相对稳定的电压。钳位电路输出的电压经过分压电阻后进入到误差放大器与基准电压进行比较，将比较差值结果送入到逻辑控制器，如果比较差值不在规定范围内，逻辑控制器控制开关MOS管Q1关闭，电压源输出电压无法到达电子设备的电压输入端；若比较差值在规定的安全范围内，则逻辑开关控制器控制开关MOS管导通，电压源输出电压能够到达电子设备的电压输入端，给电子系统正常供电。本专利技术实施例提供了一种保护电路，适用于电子设备充电过程中，如图2所述，该保护电路包括：第一电阻11，所述第一电阻11的一端连接于输入电压，另一端连接于第二电阻12和PNP三极管13的基极。所述第一电阻11为分压电阻，在正常充电的情况下，电压源输出电压经果第一电阻11分压后得到PNP三极管基极电势VB，使得VB小于VE，三极管导通；在非正常充电情况下，比如出现浪涌等高频高压的电压信号时，因为第一电阻11很小，所以第一电阻分压很小，VB近似等于VE，三极管基极与发射极电压差不足以使三极管PN结导通。第二电阻12，所述第二电阻12的一端连接于所述第一电阻11和所述PNP三极管13的基极，另一端接地。所述第二电阻12为限流电阻，第二电阻12要远远大于第一电阻11。PNP三极管13，所述PNP三极管13的发射极连接于所述输入电压，集电极连接于MOS管14的栅极。所述PNP三极管13在此保护电路中用作控制开关使用，利用所述PNP三极管13相当于现有技术中OVP芯片内部的逻辑开关控制器，当PNP三极管的发射极电压VE大于基极电压VB，三极管工作在饱和状态，发射极与集电极导通，集电极有电动势，并且集电极电动势可以到达MOS管14的栅极，使得MOS管14导通；当PNP三极管的发射极电压VE小于等于基极电压VB，三极管工作在截止状态，发射极与集电极不导通，集电极电动势为零，所以MOS管14的栅极电势也零，MOS管14不能导通。MOS管14，所述MOS管14的漏极连接于所述输入电压，源极连接于输出电压。所述MOS管14与现有技术OVP芯片的内部的开关MOS管Q1的作用一样，都为控制电压源输出电压与电子设备输入端的通断。当MOS管14的栅极电压高于源极电压，并且给MOS管14的漏极与源极间加正确极性的电压，MOS管14的漏极与源极导通，此时相当于开光闭合；如果MOS管14的栅极电压低于源极电压，MOS管14的漏极与源极不导通，此时相当于开关断开，电路不能形成通路。进一步，为了保证电路安全，本专利技术实施例提供了一种可能的实现方式，如图3所述，该装置包括：第三电阻15，所述第三电阻15的一端连接于所述PNP三极管13的集电极和所述MOS管14的栅极，另一端接地。所述第三电阻15串接到PNP三极管13的集电极，使得集电极通过第三电阻15接地，第三电阻15为接地电阻，起到接地保护的作用。进一步，为了保证设备充电过程的安全性，本专利技术实施提供另一可能的实现转置，如图4所示，所述装置还包括：钳位电路16，所述钳位电路的一端连接于所述输入电压，另一端接地。所述钳位电路由二极管161和电容162并联构成。所述二极管为稳压二极管161，稳压二级管161具有稳压的作用，可以将输出电压稳定在某一电压范围内，从而得到稳定的输出电压。所述电容1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护电路，其特征在于，包括：第一电阻，所述第一电阻的一端连接于输入电压，另一端连接于第二电阻和PNP三极管的基极；第二电阻，所述第二电阻的一端连接于所述第一电阻和所述PNP三极管的基极，另一端接地；PNP三极管，所述PNP三极管的发射极连接于所述输入电压，集电极连接于MOS管的栅极；MOS管，所述MOS管的漏极连接于所述输入电压，源极连接于输出电压。

【技术特征摘要】
1.一种保护电路，其特征在于，包括：第一电阻，所述第一电阻的一端连接于输入电压，另一端连接于第二电阻和PNP三极管的基极；第二电阻，所述第二电阻的一端连接于所述第一电阻和所述PNP三极管的基极，另一端接地；PNP三极管，所述PNP三极管的发射极连接于所述输入电压，集电极连接于MOS管的栅极；MOS管，所述MOS管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：何震宇，戴大为，
申请(专利权)人：深圳天珑无线科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44