过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT），在电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT）之间串接一第一电阻（R1），其特征在于，还包括与所述第一电阻（R1）并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管（N1）、第二NPN双极型晶体管（N2）、第一PNP双极型晶体管（P1）、第二PNP双极型晶体管（P2）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管（D2）。本实用新型专利技术的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种过压保护电路。
技术介绍
便携式电子产品所需要的电压一般比较低，一般情况下为1.5V、2. 5V、3. 3V或5V电压。在电路中，由于电路信号受到干扰、短路或供电电压不稳定等因素，可能会造成电压突然升高的情况，过高的电压会影响电路的性能，还有烧坏电路的风险。过压保护电路是解决过压的问题的必要电路，现有技术的电路的结构比较复杂，所需器件和节点较多，器件多造成成本和功耗较高，节点较多造成坏点的风险大。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于针对上述存在的问题，提供一种结构简单、节点少的过压保护电路。本技术采用的技术方案是这样的一种过压保护电路，包括电压输入端和电压输出端，在电压输入端和电压输出端之间串接一第一电阻，还包括与所述第一电阻并联一调压电路，所述调压电路包括第一 NPN双极型三极管、第二 NPN双极型晶体管、第一 PNP双极型晶体管、第二 PNP双极型晶体管、第二电阻、第三电阻、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管。所述第二电阻串接于第一 NPN双极型晶体管的源极和基极之间；所述第三电阻串接于第一 PNP双极型晶体管的源极和基极之间；所述电压输入端连接至第一 NPN双极型晶体管的基极、第二 PNP双极型晶体管的集电极、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管的正极端、第二 PNP双极型晶体管的基极和第二 NPN双极型晶体管的集电极；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管的负极端连接至第一 NPN双极型晶体管的集电极和第二 PNP双极型晶体管的基极；所述电压输出端连接至第一 NPN双极型晶体管的源电极和第一 PNP双极型晶体管的源极；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管的正极端连接至第二 PNN双极型晶体管的基极和第一 PNP双极型晶体管的集电极，负极端连接至第一 PNP双极型晶体管的基极和第二NPN双极型晶体管的集电极；所述第二 NPN双极型晶体管的源极和第二 PNP双极型晶体管的源极均接地。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，以及减少坏点风险。附图说明图I是本技术过压保护电路的电路原理图。具体实施方式以下结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图I所示，是本技术过压保护电路的电路原理图。本技术的一种过压保护电路，包括电压输入端VIN和电压输出端V0UT，在电压输入端VIN和电压输出端VOUT之间串接一第一电阻R1，还包括与所述第一电阻Rl并联一调压电路，所述调压电路包括第一 NPN双极型三极管NI、第二 NPN双极型晶体管N2、第一PNP双极型晶体管P1、第二 PNP双极型晶体管P2、第二电阻R2、第三电阻R3、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管D1、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管D2。以下结合附图I对本技术上述电子元器件间的连接关系做详细的说明所述第二电阻R2串接于第一 NPN双极型晶体管NI的源极和基极之间；所述第三电阻R3串接于 第一 PNP双极型晶体管Pl的源极和基极之间；所述电压输入端VIN连接至第一 NPN双极型晶体管NI的基极、第二 PNP双极型晶体管P2的集电极、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管Dl的正极端、第二 PNP双极型晶体管P2的基极和第二 NPN双极型晶体管N2的集电极；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管Dl的负极端连接至第一 NPN双极型晶体管NI的集电极和第二 PNP双极型晶体管P2的基极；所述电压输出端VOUT连接至第一 NPN双极型晶体管NI的源电极和第一 PNP双极型晶体管Pl的源极；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管D2的正极端连接至第二 PNN双极型晶体管P2的基极和第一 PNP双极型晶体管Pl的集电极，负极端连接至第一 PNP双极型晶体管Pl的基极和第二 NPN双极型晶体管N2的集电极；所述第二 NPN双极型晶体管N2的源极和第二 PNP双极型晶体管P2的源极均接地。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种过压保护电路，包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)，在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(Rl )，其特征在于，还包括与所述第一电阻(Rl)并联一调压电路，所述调压电路包括第一 NPN双极型三极管(NI )、第二 NPN双极型晶体管(Ν2)、第一 PNP双极型晶体管(Ρ1)、第二 PNP双极型晶体管(Ρ2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)； 所述第二电阻(R2)串接于第一 NPN双极型晶体管(NI)的源极和基极之间；所述第三电阻(R3)串接于第一 PNP双极型晶体管(Pl)的源极和基极之间；所述电压输入端(VIN)连接至第一 NPN双极型晶体管(NI)的基极、第二 PNP双极型晶体管(Ρ2)的集电极、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(Dl)的正极端、第二 PNP双极型晶体管(Ρ2)的基极和第二 NPN双极型晶体管(Ν2)的集电极；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(Dl)的负极端连接至第一 NPN双极型晶体管(NI)的集电极和第二 PNP双极型晶体管(Ρ2)的基极；所述电压输出端(VOUT )连接至第一 NPN双极型晶体管(NI)的源电极和第一 PNP双极型晶体管(PI)的源极；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)的正极端连接至第二 PNN双极型晶体管(Ρ2)的基极和第一 PNP双极型晶体管(Pl)的集电极，负极端连接至第一 PNP双极型晶体管(Pl)的基极和第二 NPN双极型晶体管(Ν2)的集电极；所述第二 NPN双极型晶体管(Ν2)的源极和第二 PNP双极型晶体管(Ρ2)的源极均接地。专利摘要本技术公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)，在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1)，其特征在于，还包括与所述第一电阻(R1)并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管(N1)、第二NPN双极型晶体管(N2)、第一PNP双极型晶体管(P1)、第二PNP双极型晶体管(P2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)。本技术的有益效果是电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。文档编号H02H9/04GK202797951SQ20122048714公开日2013年3月13日 申请日期2012年9月24日 优先权日2012年9月24日专利技术者周晓东, 桑园, 余力 申请人:郑州单点科技软件有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压保护电路，包括电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT），在电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT）之间串接一第一电阻（R1），其特征在于，还包括与所述第一电阻（R1）并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管（N1）、第二NPN双极型晶体管（N2）、第一PNP双极型晶体管（P1）、第二PNP双极型晶体管（P2）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管（D2）；所述第二电阻（R2）串接于第一NPN双极型晶体管（N1）的源极和基极之间；所述第三电阻（R3）串接于第一PNP双极型晶体管（P1）的源极和基极之间；所述电压输入端（VIN）连接至第一NPN双极型晶体管（N1）的基极、第二PNP双极型晶体管（P2）的集电极、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）的正极端、第二PNP双极型晶体管（P2）的基极和第二NPN双极型晶体管（N2）的集电极；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）的负极端连接至第一NPN双极型晶体管（N1）的集电极和第二PNP双极型晶体管（P2）的基极；所述电压输出端（VOUT）连接至第一NPN双极型晶体管（N1）的源电极和第一PNP双极型晶体管（P1）的源极；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管（D2）的正极端连接至第二PNN双极型晶体管（P2）的基极和第一PNP双极型晶体管（P1）的集电极，负极端连接至第一PNP双极型晶体管（P1）的基极和第二NPN双极型晶体管（N2）的集电极；所述第二NPN双极型晶体管（N2）的源极和第二PNP双极型晶体管（P2）的源极均接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓东，桑园，余力，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：