过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT），在电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT）之间串接一第一电阻（R1），其特征在于，还包括与所述第一电阻（R1）并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管（N1）、第二NPN双极型晶体管（N2）、第一PNP双极型晶体管（P1）、第二PNP双极型晶体管（P2）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管（D2）。本实用新型专利技术的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种过压保护电路。
技术介绍
便携式电子产品所需要的电压一般比较低，一般情况下为1.5V、2. 5V、3. 3V或5V电压。在电路中，由于电路信号受到干扰、短路或供电电压不稳定等因素，可能会造成电压突然升高的情况，过高的电压会影响电路的性能，还有烧坏电路的风险。过压保护电路是解决过压的问题的必要电路，现有技术的电路的结构比较复杂，所需器件和节点较多，器件多造成成本和功耗较高，节点较多造成坏点的风险大。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于针对上述存在的问题，提供一种结构简单、节点少的过压保护电路。本技术采用的技术方案是这样的一种过压保护电路，包括电压输入端和电压输出端，在电压输入端和电压输出端之间串接一第一电阻，还包括与所述第一电阻并联一调压电路，所述调压电路包括第一 NPN双极型三极管、第二 NPN双极型晶体管、第一 PNP双极型晶体管、第二 PNP双极型晶体管、第二电阻、第三电阻、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管。所述第二电阻串接于第一 NPN双极型晶体管的源极和基极之间；所述第三电阻串接于第一 PNP双极型晶体管的源极和基极之间；所述电压输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压保护电路，包括电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT），在电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT）之间串接一第一电阻（R1），其特征在于，还包括与所述第一电阻（R1）并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管（N1）、第二NPN双极型晶体管（N2）、第一PNP双极型晶体管（P1）、第二PNP双极型晶体管（P2）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管（D1）、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管（D2）；所述第二电阻（R2）串接于第一NPN双极型晶体管（N1）的源极和基极之间；所述第三电阻（R3）串接于第一PNP双极型晶体管（P1）的源极和基极...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓东，桑园，余力，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：