过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种过压保护电路，包括电源、负载及保护电路；所述保护电路输入端电性连接所述蓄电池正极，所述保护电路输出端电性连接负载；所述保护电路包括网络电源开关、MOS管U1、稳压二极管ZD、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7及电阻R8；蓄电池电压升高，超过稳压二极管ZD的最高反向电压，稳压二极管ZD被击穿，蓄电池电压通过电阻R4、电阻R2、电阻R1给三极管Q1提供直流静态点使三极管Q1导通，三极管Q1导通后将负载发出的高电平指令拉到地，导致三极管Q2截止，使MOS管U1的栅极电压为高电平，MOS管U1将不导通，使蓄电池的供电传不到负载上，使负载得到保护。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电压保护
，具体涉及一种过压保护电路。
技术介绍
随着技术的进步，越来越多的电子装置采用低压直流供电，导致电子装置对供电电压的精确性要求越来越高，电子电路的供电由于感性负载或者大功率设备的启停造成电源电压的波动使设备损坏或者工作不稳定，当供电电压低于或者高于正常工作电压一定值时，都可能导致电子装置无法正常工作甚至损坏。为了解决上述问题，人们设计了过压、欠压保护电路，目前常用的直流低压供电时过压及欠压保护电路是通过运放比较器检测电压，然后将控制信号传输给PWM (脉冲宽度调制)芯片实现控制，从而使供电电压稳定在正常范围内，该电路实现成本较高，且电路复杂、故障率高；
技术实现思路
本技术为解决现有技术问题而提供一种新型的过压保护电路。本技术的技术方案如下:过压保护电路，包括电源、负载及保护电路；所述保护电路输入端电性连接蓄电池正极，所述保护电路输出端电性连接负载；所述保护电路包括网络电源开关、MOS管U1、二极管D、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7及电阻R8 ；电阻R7输入端连接MOS管Ul的栅极G，电阻R7输出端连接三极管Q2集电极，三极管Q2集电极发射极接地；电阻R1、电阻R4及二极管D依次串联连接至所述MOS管Ul的源极SI，电阻Rl输入端接地；电阻R3、电阻R5及电阻R6依次串联并接地，电阻R3输入端连接网络电源开关；所述三极管Q2基极连接电阻R5及电阻R6的公共基点；三极管Ql的集电极连接电阻R3与电阻R5的公共基点，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql基极连接电阻Rl与电阻R4的公共基点，并且，电阻R2串联连接三极管Ql的基极；电阻R8输入端连接所述MOS管Ul的栅极G，输出端连接所述二极管D与MOS管Ul源极SI的公共基点；所述MOS管Ul的源极S2、源极S3串联经过源极SI与电阻R8的公共基点连接至所述蓄电池正极，所述MOS管Ul的漏极D5、漏极D6、漏极D7、漏极D8依次串联至所述负载。优选方案，所述二极管D为稳压二极管ZD。本技术的有益效果为:使用上述方案的过压保护电路，可实现对电源及负载进行过压及静电的干扰保护，电路简单可靠，成本低，可大大提高供电电源及负载的安全保护。【附图说明】图1为本技术电路原理图；图2为本技术保护电路未启动时电流流向图；图3为本技术保护电路启动时电流流向图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本技术可用以实施的特定实施例。本技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。如图1所示，本技术的过压保护电路，可应用于汽车蓄电池与负载之间的电压保护；包括电源3、负载4及保护电路5 ;所述保护电路输入端电性连接蓄电池正极，所述保护电路输出端电性连接负载4 ;所述保护电路包括网络电源开关、MOS管U1、稳压二极管ZD、三极管Q1、三极管Q2、电阻电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7及电阻R8 ；电阻R7输入端连接MOS管Ul的栅极G，电阻R7输出端连接三极管Q2集电极，三极管Q2集电极发射极接地；电阻R1、电阻R4及稳压二极管ZD依次串联连接至所述MOS管Ul的源极SI，电阻Rl输入端接地；电阻R3、电阻R5及电阻R6依次串联并接地，电阻R3输入端连接网络电源开关6 ;所述三极管Q2基极连接电阻R5及电阻R6的公共基点；三极管Ql的集电极连接电阻R3与电阻R5的公共基点，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql基极连接电阻Rl与电阻R4的公共基点，并且，电阻R2串联连接三极管Ql的基极；电阻R8输入端连接所述MOS管Ul的栅极G，输出端连接所述稳压二极管ZD与MOS管Ul源极SI的公共基点；所述MOS管Ul的源极S2、源极S3串联经过源极SI与电阻R8的公共基点连接至所述蓄电池正极，所述MOS管Ul的漏极D5、漏极D6、漏极D7、漏极D8依次串联至所述负载4。如图2所示，负载4的MCU通过网络电源开关6发出高电平开机指令，通过电阻R3、电阻R5、电阻R6给三极管Ql提供直流静态工点使其导通，将电阻R7下拉到地，电阻R7、电阻R8的分压导致P沟道MOS管Ul的栅极为低电平，所以MOS管Ul导通，所连接的1、2两处端点相当于直接短路，所以蓄电池通过I和2两点的连接直接向负载4供电。如图3所示，当蓄电池由于某些原因电压升高，超过稳压二极管ZD的最高反向电压，稳压二极管ZD被击穿，蓄电池电压通过电阻R4、电阻R2、电阻Rl给三极管Ql提供直流静态点使三极管Ql导通，三极管Ql导通后将负载4发出的高电平指令拉到地，导致三极管Q2截止，使MOS管Ul的栅极电压为高电平，P沟道的MOS管Ul将不导通，使蓄电池的供电传不到负载4上，使负载4得到保护。采用上述方案，本技术的使用上述方案的过压保护电路，可实现对电源3及负载4进行过压及静电的干扰保护，电路简单可靠，成本低，可大大提高供电电源3及负载4的安全保护。【主权项】1.过压保护电路，其特征在于，包括电源、负载及保护电路；所述保护电路输入端电性连接蓄电池正极，所述保护电路输出端电性连接负载；所述保护电路包括网络电源开关、MOS管Ul、二极管D、三极管Ql、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7及电阻R8 ；电阻R7输入端连接MOS管Ul的栅极G，电阻R7输出端连接三极管Q2集电极，三极管Q2集电极发射极接地；电阻R1、电阻R4及二极管D依次串联连接至所述MOS管Ul的源极SI，电阻Rl输入端接地；电阻R3、电阻R5及电阻R6依次串联并接地，电阻R3输入端连接网络电源开关；所述三极管Q2基极连接电阻R5及电阻R6的公共基点；三极管Ql的集电极连接电阻R3与电阻R5的公共基点，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql基极连接电阻Rl与电阻R4的公共基点，并且，电阻R2串联连接三极管Ql的基极；电阻R8输入端连接所述MOS管Ul的栅极G，输出端连接所述二极管D与MOS管Ul源极SI的公共基点；所述MOS管Ul的源极S2、源极S3串联经过源极SI与电阻R8的公共基点连接至所述蓄电池正极，所述MOS管Ul的漏极D5、漏极D6、漏极D7、漏极D8依次串联至所述负载。2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述二极管D为稳压二极管ZD。【专利摘要】本技术公开了一种过压保护电路，包括电源、负载及保护电路；所述保护电路输入端电性连接所述蓄电池正极，所述保护电路输出端电性连接负载；所述保护电路包括网络电源开关、MOS管U1、稳压二极管ZD、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7及电阻R8；蓄电池电压升高，超过稳压二极管ZD的最高反向电压，稳压二极管ZD被击穿，蓄电池电压通过电阻R4、电阻R2、电阻R1给三极管Q1提供直流静态点使三极管Q1导通，三极管Q1导通后将负载发出的高电本文档来自技高网...

【技术保护点】
过压保护电路，其特征在于，包括电源、负载及保护电路；所述保护电路输入端电性连接蓄电池正极，所述保护电路输出端电性连接负载；所述保护电路包括网络电源开关、MOS管U1、二极管D、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7及电阻R8；电阻R7输入端连接MOS管U1的栅极G，电阻R7输出端连接三极管Q2集电极，三极管Q2集电极发射极接地；电阻R1、电阻R4及二极管D依次串联连接至所述MOS管U1的源极S1，电阻R1输入端接地；电阻R3、电阻R5及电阻R6依次串联并接地，电阻R3输入端连接网络电源开关；所述三极管Q2基极连接电阻R5及电阻R6的公共基点；三极管Q1的集电极连接电阻R3与电阻R5的公共基点，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1基极连接电阻R1与电阻R4的公共基点，并且，电阻R2串联连接三极管Q1的基极；电阻R8输入端连接所述MOS管U1的栅极G，输出端连接所述二极管D与MOS管U1源极S1的公共基点；所述MOS管U1的源极S2、源极S3串联经过源极S1与电阻R8的公共基点连接至所述蓄电池正极，所述MOS管U1的漏极D5、漏极D6、漏极D7、漏极D8依次串联至所述负载。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王金，
申请(专利权)人：王金，
类型：新型
国别省市：广东;44