过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端和电压输出端之间串接第一电阻以及与第一电阻并联一调压电路；所述调压电路包括：第二电阻串接于第一双极型晶体管的源极和基极之间，电压输入端连接至第一双极型晶体管的基极、第二双极型晶体管的集电极和雪崩二极管或齐纳二极管的正极端；电压输出端连接至第一双极型晶体管的源极和二极管的正极端；第二双极型晶体管的源极接地，基极连接至雪崩二极管或齐纳二极管的负极端和第一双极型晶体管的集电极；二极管的负极端接地。本实用新型专利技术的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，以及减少坏点风险。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种过压保护电路。
技术介绍
便携式电子产品所需要的电压一般比较低，一般情况下为1.5V、2. 5V、3. 3V或5V电压。在电路中，由于电路信号受到干扰、短路或供电电压不稳定等因素，可能会造成电压突然升高的情况，过高的电压会影响电路的性能，还有烧坏电路的风险。过压保护电路是解决过压的问题的必要电路，现有技术的电路的结构比较复杂，所需器件和节点较多，器件多造成成本和功耗较高，节点较多造成坏点的风险大。·
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于针对上述存在的问题，提供一种结构简单、节点少的过压保护电路。本技术采用的技术方案是这样的。一种过压保护电路，包括电压输入端和电压输出端，在电压输入端和电压输出端之间串接一第一电阻，与所述第一电阻并联一调压电路，所述调压电路包括第二电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、雪崩二极管或齐纳二极管和二极管；所述第二电阻串接于第一双极型晶体管的源极和基极之间，所述电压输入端连接至第一双极型晶体管的基极、第二双极型晶体管的集电极和雪崩二极管或齐纳二极管的正极端；所述电压输出端连接至第一双极型晶体管的源极和二极管的正极端；所述第二双极型晶体管的源极接地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压保护电路，包括电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT），在电压输入端（VIN）和电压输出端（VOUT）之间串接一第一电阻（R1），其特征在于，与所述第一电阻（R1）并联一调压电路，所述调压电路包括第二电阻（R2）、第一双极型晶体管（NPN）、第二双极型晶体管（PNP）、雪崩二极管或齐纳二极管（D1）和二极管（D2）；所述第二电阻（R2）串接于第一双极型晶体管（NPN）的源极和基极之间，所述电压输入端（VIN）连接至第一双极型晶体管（NPN）的基极、第二双极型晶体管（PNP）的集电极和雪崩二极管或齐纳二极管（D1）的正极端；所述电压输出端（VOUT）连接至第一双极型晶体管（NPN）的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓东，桑园，余力，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：