纳米线激光器结构和制造方法技术

芯壳纳米线激光器结构包括衬底(12)、长型支承元件(14)和长型本体元件(16)，其中，长型支承元件(14)从衬底延伸，该支承元件具有第一直径，长型本体元件(16)在支承元件上和/或周围延伸，该本体元件具有比第一直径大至少两倍的第二直径，其中，本体元件与衬底间隔开。

Structure and manufacturing method of nanowire laser

The core shell nanowire laser structure consists of a substrate (12), a long support element (14) and a long type body element (16), in which a long support element (14) extends from a substrate, the support element has a first diameter, the long type element (16) extends on the supporting element and / or circumference, and the body is at least two times larger than the first diameter. A second diameter, wherein the body element is spaced from the substrate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】纳米线激光器结构和制造方法
本公开涉及纳米线激光器结构和用于形成纳米线激光器结构的方法，尤其是用于形成单片集成的纳米线激光器的方法。
技术介绍
纳米线激光器的选址(尤其是在硅上)生长具有很大的潜力，并且可能成为未来光子器件的重要结构单元。尤其是，III-V族半导体纳米线具有制造新一代激光器和芯片上相干光源的潜力，因为它们能够以单模光波导的形式运作，共振地使光场再循环并提供增益。另外，小的纳米线覆盖面积便于直接生长在硅上，如以下文献中已证明的：Martensson等，“EpitaxialIII-VNanowiresonSilicon(硅上的外延III-V族纳米线)”，Nano.Lett.4(2004)1987和J.Treu等，“EnhancedLuminescencePropertiesofInAs-InAsPCore-ShellNanowires(增强发光性能的InAs-InAsP芯壳纳米线)”，Nano.Lett.13(2013)6070。然而，纳米线与硅衬底之间的低折射率反差提供了不良的模态反射率并妨碍产生激光的操作。例如，对于生长在硅上的GaAs-AlGaAs纳米线，GaAs-本文档来自技高网...

【技术保护点】
纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)，包括：衬底(12)；长型支承元件(14；441至444)，从所述衬底(12)延伸，所述支承元件(14；441‑444)具有第一直径(d1)；以及长型本体元件(16；461至464)，在所述支承元件(14；441至444)上和/或周围延伸，所述本体元件(16；461至464)具有第二直径(d2)，所述第二直径(d2)比所述第一直径(d1)大至少两倍；其中，所述本体元件(16；461至464)与所述衬底(12)间隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.15 EP 15185311.61.纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)，包括：衬底(12)；长型支承元件(14；441至444)，从所述衬底(12)延伸，所述支承元件(14；441-444)具有第一直径(d1)；以及长型本体元件(16；461至464)，在所述支承元件(14；441至444)上和/或周围延伸，所述本体元件(16；461至464)具有第二直径(d2)，所述第二直径(d2)比所述第一直径(d1)大至少两倍；其中，所述本体元件(16；461至464)与所述衬底(12)间隔开。2.根据权利要求1所述的纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)，还包括在所述本体元件(16；461至464)与所述衬底(12)之间的第一反射层(18)。3.根据权利要求2所述的纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)，其中，所述第一反射层(18)包括分布式布拉格反射器和/或高反差光栅。4.根据前述权利要求中任一项所述的纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)，还包括pn结(24、26)或pin结。5.根据前述权利要求中任一项所述的纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)，其中，所述纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)适于发射波长为λ的激光信号，其中，所述支承元件(14；441至444)的所述第一直径(d1)小于λ/(2n)，其中，n表示所述支承元件(14；441至444)的折射率。6.根据前述权利要求中任一项所述的纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)，还包括形成在所述本体元件(16；461至464)上方的、在所述本体元件(16；461至464)的背离所述衬底(12)的侧部上的第二反射层(22；501至504)。7.根据前述权利要求中任一项所述的纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)，其中，所述衬底(12)包括波导(34)；以及所述支承元件(14；441-444)优选地从所述波导(34)延伸。8.根据前述权利要求中任一项所述的纳米线激光器结构(10、10'、10"；421至424)，还包括：干涉仪元件(56、56')，光学联接至所述本体元件(16；461至464)，其中，所述干涉仪元件(56、56')包括一起形成闭合回路的第一激光信号通路(581)和第二激光信号通路(582)；输出通路(60)，联接至所述第一激光信号通路(581)和所述第二激光信号通路(582)；以及门元件(64)，定位在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：贝内迪克特·梅耶尔，格雷戈尔·科比穆勒，乔纳森·芬利，约翰尼斯·克里克佩拉，格哈德·埃博斯特瑞特，
申请(专利权)人：慕尼黑科技大学，
类型：发明
国别省市：德国,DE