光电变换元件制造技术

提供与当前相比能够提高电流强度和响应速度这两者的光电变换元件以及光电变换装置。光电变换元件(10)具有：一对电极，其由第1电极(11)和第2电极(15)构成；以及有机半导体(13)，其接收光而产生电动势，具有：第1绝缘体(12)，其具有第1静电容量(C1)且设置为与第1电极(11)接触；以及第2绝缘体(14)，其具有小于第1绝缘体(12)的第2静电容量(C2)、且设置为与第2电极(15)接触，有机半导体(13)介于第1绝缘体(12)与第2绝缘体(14)之间且与它们接触。根据该结构，第1绝缘体(12)具有较大的第1静电容量(C1)，因此能够激起有机半导体层的极化、并增大极化电流。第2绝缘体(14)具有较小的第2静电容量(C2)，响应性得到提高。因而，与当前相比能够提高电流强度和响应速度这两者。

Photoelectric conversion element

The photoelectric conversion elements and photoelectric conversion devices that can increase the current intensity and response speed are compared with the current ones. Photoelectric conversion element (10) has: a pair of electrodes, consisting of first electrodes (11) and second electrodes (15); and organic semiconductors (13), which receive light to produce electromotive force, having: first insulators (12), having first electrostatic capacity (C1) and setting to contact with first electrodes (11); and second insulator (14), which have less than refuse. The second electrostatic capacity (C2) of the edge body (12) is set up to contact with the second electrode (15), and the organic semiconductor (13) is between first insulators (12) and second insulators (14) and is in contact with them. According to the structure, the first insulator (12) has a larger first electrostatic capacity (C1), so it can arouse the polarization of the organic semiconductor layer and increase the polarization current. Second the insulator (14) has a smaller second electrostatic capacity (C2), and the responsiveness is improved. Therefore, compared with the current, the current intensity and the response speed can be improved.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电变换元件
本专利技术涉及将光能变换为电能的光电变换元件。
技术介绍
当前，公开了与以光电变换效率良好且光响应性优异为目的的光电变换元件相关的技术的一个例子(例如参照专利文献1)。该光电变换元件的光电变换层具有电荷分离层以及极化层。电荷分离层含有电子迁移率以及空穴迁移率不同的半导体材料、以及具有电子传导性的掺杂物。极化层由离子液体形成，该离子液体的主成分由阳离子和阴离子的组合构成。专利文献1：日本特开2013-218924号公报非专利文献1：JiYu,Chong-XinShan,QianQiao,Xiu-HuaXie,Shuang-PengWang,Zhen-ZhongZhangandDe-ZhenShen,EnhancedResponsivityofPhotodetectorsRealizedviaImpactIonization,Sensors,12,1280-1287(2012)非专利文献2：GhusoonMAliandPChakrabarti,ZnO-basedinterdigitatedMSMandMISIMultravioletphotodetectors,JOURNA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电变换元件，具有：一对电极，其由第1电极和第2电极构成；以及有机半导体，其接收光而产生电动势，所述光电变换元件的特征在于，具有：第1绝缘体，其具有第1静电容量，且设置为与所述第1电极接触；以及第2绝缘体，其具有小于所述第1绝缘体的第2静电容量，且设置为与所述第2电极接触，所述有机半导体介于所述第1绝缘体与所述第2绝缘体之间且与它们接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.28 JP 2015-1903621.一种光电变换元件，具有：一对电极，其由第1电极和第2电极构成；以及有机半导体，其接收光而产生电动势，所述光电变换元件的特征在于，具有：第1绝缘体，其具有第1静电容量，且设置为与所述第1电极接触；以及第2绝缘体，其具有小于所述第1绝缘体的第2静电容量，且设置为与所述第2电极接触，所述有机半导体介于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿波贺邦夫，西蒙·达格利什，路易莎·赖西格，汤山佳菜子，
申请(专利权)人：国立大学法人名古屋大学，日清纺控股株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP