用于毫秒退火系统的预热方法技术方案

提供用于毫秒退火系统的预热方法。在一个示例性实施方式中，预热方法可以包括：将衬底置于在毫秒退火系统的处理室中的晶片支承板上；使用温度传感器获得晶片支承板的一个或更多个温度测量值；以及至少部分基于晶片支承板的温度来应用预热制度以加热晶片支承板。在一个示例性实施方式中，预热方法可以包括：从具有毫秒退火系统中的晶片支承板的视场的温度传感器获得一个或更多个温度测量值；以及至少部分地基于一个或更多个温度测量值来应用脉冲预热制度以加热毫秒退火系统中的晶片支承板。

A preheating method for a millisecond annealing system

A preheating method for a millisecond annealing system is provided. In an exemplary embodiment, the preheating method may include: placing the substrate on a wafer supporting plate in the processing chamber of the millisecond annealing system; using a temperature sensor to obtain one or more temperature measurements of the wafer supporting plate, and at least partly based on the temperature of the wafer supporting plate to use the preheating system for heating. A wafer supporting plate. In an exemplary implementation, the preheating method may include: one or more temperature measurements are obtained from the temperature sensor of the field of view of the wafer supporting plate in a millisecond annealing system; and at least partly based on one or more temperature measurements to apply the pulse preheating system to the heating millisecond annealing system. A wafer supporting plate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于毫秒退火系统的预热方法优先权要求由此，本申请要求于2015年12月30日提交的题为“Pre-heatProcessesforMillisecondAnnealSystem”的美国临时申请序列号62/272,811的优先权权益，其通过引用并入本文。
本公开一般地涉及热处理室，并且更具体地涉及用于处理衬底例如半导体衬底的毫秒退火热处理室。
技术介绍
毫秒退火系统可以用于衬底例如硅晶片的超快速热处理的半导体处理。在半导体处理中，快速热处理可以用作为在控制掺杂物质的扩散的同时修复植入损伤、改善沉积层的质量、改善层界面的质量、活化掺杂剂以及实现其他目的的退火步骤。半导体衬底的毫秒或超快速温度处理可以通过使用强且短暂的光暴露以可超过每秒104℃的速率加热衬底的整个顶表面来实现。衬底的仅一个表面的快速加热可以在衬底的厚度上产生大的温度梯度，同时衬底的本体保持光暴露之前的温度。因此衬底的本体充当散热器，导致顶表面的快速冷却速率。
技术实现思路
本公开的实施方案的方面和优点将在下面的描述中部分地阐述，或者可以从该描述中了解，或者可以通过实施方案的实践来了解。本公开的一个示例性方面是用于毫秒退火系统的预本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于毫秒退火系统的预热方法；将衬底置于在毫秒退火系统的处理室中的晶片支承板上，所述处理室被分成顶部室和底部室；使用温度传感器获得所述晶片支承板的一个或更多个温度测量值；至少部分地基于所述晶片支承板的所述一个或更多个温度测量值来应用预热制度以加热所述晶片支承板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.30 US 62/272,8111.一种用于毫秒退火系统的预热方法；将衬底置于在毫秒退火系统的处理室中的晶片支承板上，所述处理室被分成顶部室和底部室；使用温度传感器获得所述晶片支承板的一个或更多个温度测量值；至少部分地基于所述晶片支承板的所述一个或更多个温度测量值来应用预热制度以加热所述晶片支承板。2.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述晶片支承板包括石英材料。3.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述衬底包括伪半导体衬底。4.根据权利要求1所述的预热方法，其中，至少部分地基于所述晶片支承板的所述一个或更多个温度测量值来应用预热制度以加热所述晶片支承板包括应用所述预热制度来加热所述晶片支承板直到所述晶片支承板的温度达到预设温度。5.根据权利要求4所述的预热方法，其中，当所述晶片支承板达到所述预设温度时，所述方法包括：停止所述预热制度；对所述处理室中的第二衬底应用工艺制度，所述工艺制度不同于所述预热制度。6.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述预热制度指定使用位于靠近所述毫秒退火系统中的所述底部处理室的一个或更多个连续模式灯来加热所述晶片支承板和所述衬底。7.根据权利要求6所述的预热方法，其中，至少部分地基于所述晶片支承板的所述一个或更多个温度测量值控制所述一个或更多个连续模式灯。8.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述温度传感器包括具有与大于约4μm的波长相关联的测量温度的高温计。9.根据权利要求1所述的预热方法，其中，所述温度传感器位于所述底部室中并且具有所述晶片支承板的视场而不受所述毫秒退火系统的水窗的遮挡。10.一种用于毫秒退火系统的温度测量系统，所述系统包括：远红外温度传感器，其被配置成获得在小于约450℃的处理温度下的毫秒退火系统中的衬底的一个或更多个温度测量值，所述毫秒退火系统包括具有晶片平板的处理室，所述晶片平板将所述处理室分成顶部室...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·利贝雷尔，克里斯蒂安·普法勒，马库斯·哈格多恩，迈克尔·瓦纳贝马，亚历山大·科斯塞夫，
申请(专利权)人：马特森技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US