粘结接合结构制造技术
Bond joint structure
The invention is a bonding engagement structure formed by engaging the heating body and the metal support body (20) through the bonding part (30) formed by the sintered body (32) of the copper powder (31). The support body (20) has copper or gold at least on its most surface. The interdiffusion part (41) of copper or gold with support body (20) and copper (32) of sintered body (32) is formed by way of the interface (40) spanning the support body (20) and the sintered body (32). It is preferable to form a crystal structure of copper with a crystal orientation in the same direction in the diffusion part (41) across the bonding interface (40).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘结接合结构
本专利技术涉及粘结接合结构，更详细地说，涉及适合用于半导体元件的芯片和金属的支撑体的芯片粘结(diebonding)接合结构的粘结接合结构。
技术介绍
关于半导体元件的接合，专利文献1中记载了一种半导体装置，其具有：在一面具有集电极、在另一面具有发射极的半导体元件；和在一面具有第一电极配线的绝缘基板。绝缘基板的第一电极配线与半导体元件的集电极经由第一接合层来连接。该第一接合层成为了将接合用材料烧结而成的烧结层，该接合用材料包含：由碳酸银等形成的金属粒子前体；和由熔解温度为200度以上的羧酸金属盐的粒子形成的还原剂。而且，半导体元件与烧结层直接进行金属键合。该文献中记载的技术的目的在于，使得能够在更低温下实现由接合界面处的金属键合产生的接合。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-094873号公报
技术实现思路
于是，在汽车、家电制品、产业设备等众多的领域中，逆变器、转换器的电力损耗的减少成为了必要的课题。因此，为了大幅地改善设备的能量利用效率，提出了各种使用了SiC、GaN等新材料的半导体元件。这些半导体元件由于在其工作时伴有大量的发热，因此...
【技术保护点】
一种粘结接合结构，其是将发热体和金属的支撑体经由由铜粉的烧结体形成的接合部位来接合而成的粘结接合结构，其中，所述支撑体至少在其最表面存在有铜或金，以跨越所述支撑体与所述烧结体的接合界面的方式形成有该支撑体的铜或金与该烧结体的铜的相互扩散部位。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.02 JP 2015-1969571.一种粘结接合结构，其是将发热体和金属的支撑体经由由铜粉的烧结体形成的接合部位来接合而成的粘结接合结构，其中，所述支撑体至少在其最表面存在有铜或金，以跨越所述支撑体与所述烧结体的接合界面的方式形成有该支撑体的铜或金与该烧结体的铜的相互扩散部位。2.根据权利要求1所述的粘结接合结构，所述粘结接合结构是将作为所述发热体的半导体元件的芯片和金属的支撑体经由由铜粉的烧结体形成的接合部位来接合而成的芯片粘结接合结构，其中，所述支撑体至少在其最表面存在有铜或金，以跨越所述支撑体与所述烧结体的接合界面的方式形成有该支撑体的铜或金与该烧结体的铜的相互扩散部位。3.根据权利要求2所述的粘结接合结构，其中，在所述支撑体的最表面存在铜，在所述相互扩散部位以跨越所述接合界面的方式形成有晶体取向为同方向的铜的晶体结构。4.根据权利要求3所述的粘结接合结构，其中，晶体取向为同方向的铜的所述晶体结构在所述接合界面处的横截长度为10nm以上。5.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：上郡山洋一，山内真一，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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