用于对晶圆进行等离子体处理的装置和方法制造方法及图纸
Apparatus and method for plasma treatment of wafers
The present invention relates to a plasma processing device for a substrate and a method for plasma processing of a wafer, especially a semiconductor wafer for semiconductor or photovoltaic applications. The device comprises an elongated chamber with a accommodating space for holding a boat with a plurality of wafers; at least one gas conduit is extended in the length direction in the processing chamber and arranged on one side of the accommodating space; and extended in the length direction in the processing chamber and arranged on the other side of the accommodating space. Less one gas conduit. Each of the air conduit has a plurality of passing ports for gas passing through the mouth, which is spaced through the length direction of the gas conduit, and is formed through the mouth to the side of the air conduit toward the accommodating space. In addition, at least one gas supply unit and at least one exhaust unit are provided, in which at least one gas supply unit can connect to at least one gas conduit, at least one exhaust unit can be connected to another gas conduit. In the described method, a plurality of wafers are accommodated in the canoe in the processing chamber of the plasma processing device of the above-mentioned type, especially for semiconductor or photovoltaic application semiconductor wafer, and the method has the following steps: at least one in the air conduit is introduced at least one of the entire length of the boat. A gas is used to regulate the atmosphere in the chamber; and the high frequency AC voltage is applied to the boat to produce a plasma between the wafers held in the boat during the processing stage.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于对晶圆进行等离子体处理的装置和方法本专利技术涉及一种用于晶圆的等离子体处理的装置和方法，其适合于在晶圆之间产生等离子体。在半导体和太阳能电池技术中，众所周知，由各种材料制成的盘状基板(disc-shapedsubstrate)(在下文中被称为晶圆，这无关于其几何形状和材料)会经过各种不同制程。就此而言，晶圆常常经过单处理制程(singletreatmentprocess)以及批次制程(batchprocess)，也就是说，同时处理若干晶圆的制程。对于单制程以及对于批次制程，在每种状况下都必须将晶圆移至所要处理位置中。在批次制程中，这通常通过将晶圆放置于所谓的舟皿中来实现，所述舟皿具有用于多个晶圆的空间。在舟皿中，晶圆通常平行于彼此而放置。此类舟皿可以各种不同方式构建，且设计常常是使得仅将晶圆的底部边缘固持于舟皿中，从而使晶圆自由直立地站立。此类舟皿可以例如包括导槽以便于将晶圆的底部边缘放置于舟皿中。此类舟皿通常是被动的，也就是说，除提供固持功能之外，此类舟皿在晶圆的处理期间不具有另外功能。在一种类型的晶舟(其例如在半导体或太阳能电池技术中用于晶圆的等离子体处理)...
【技术保护点】
一种用于基板的等离子体处理装置，所述基板尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆，所述等离子体处理装置包括：伸长的处理腔室，其具有用于晶舟的容纳空间，所述晶舟被配置成容纳多个晶圆；至少一个导气管道，其在所述处理腔室的长度方向上延伸并布置在所述容纳空间的一侧上，至少一个导气管道，其在所述处理管道的所述长度方向上延伸并布置在所述容纳空间的另一侧上，其中所述导气管道各自具有用于气体通过的多个通过口，所述通过口沿着所述导气管道的长度方向间隔开，并且所述通过口形成于所述导气管道朝向所述容纳空间的一侧；至少一个供气装置以及至少一个排气装置，其中所述至少一个供气装置能连接到所述至少一个导...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.02 DE 102015004430.31.一种用于基板的等离子体处理装置，所述基板尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆，所述等离子体处理装置包括：伸长的处理腔室，其具有用于晶舟的容纳空间，所述晶舟被配置成容纳多个晶圆；至少一个导气管道，其在所述处理腔室的长度方向上延伸并布置在所述容纳空间的一侧上，至少一个导气管道，其在所述处理管道的所述长度方向上延伸并布置在所述容纳空间的另一侧上，其中所述导气管道各自具有用于气体通过的多个通过口，所述通过口沿着所述导气管道的长度方向间隔开，并且所述通过口形成于所述导气管道朝向所述容纳空间的一侧；至少一个供气装置以及至少一个排气装置，其中所述至少一个供气装置能连接到所述至少一个导气管道，并且所述至少一个排气装置能连接到另一个导气管道。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述至少一个供气装置能连接到位于所述容纳空间下方的所述至少一个导气管道，并且所述至少一个排气装置能连接到位于所述容纳空间上方的所述至少一个导气管道。3.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中在长度等于或大于所述容纳空间的长度的区域上提供各个所述导气管道中的所述通过口。4.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中所述通过口以横向于所述导气管道的所述长度方向延伸的行布置。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中邻接行之间的距离优选地小于5厘米，优选地小于2厘米，且具体地，小于1厘米。6.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中所述导气管道中的至少一个导气管道具有圆形截面形状。7.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中所述导气管道中的至少一个导气管道具有卵形或椭圆截面形状。8.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中在所述容纳空间的一侧或另一侧上或两侧上提供至少两个所述导气管道。9.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体处理装置，其中在所述容纳空间的一侧上提供至少两个所述导气管道，不同气体能够通过所述至少一个供气单元供应到所述导气管道，使得这些气体只在离开各个所述导气管道之后才被混合。10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其中在所述容纳空间的一侧上提供三个所述导气管道，三个所述导气管道在所述处理腔室的横向方向上间隔开，其中外侧的所述导气管道供应有第一气体且内侧的所述导气管道供应有第二气体。11.根据前述权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：麦可·科利克，拉尔夫·罗特，韦费德·莱尔希，约翰尼斯·雷利，
申请(专利权)人：商先创国际股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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