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本发明涉及一种用于基板的等离子体处理装置以及一种用于对晶圆进行等离子体处理的方法，尤其用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆。装置包括：伸长处理腔室，具有用于容纳可容纳多个晶圆的晶舟的容纳空间；在处理腔室中的长度方向延伸并布置在容纳空间的一侧上...
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