A device includes a first chip, the first chip has a front side and a rear side; a second chip is stacked with the first chip, and is located on the back side of the first chip, and the first ring, which includes a first through hole and a second through hole, which are located in the first chip and each in the first chip and each of them is located in the first chip and each of them is located in the first chip and each of them is located in the first chip and each of them is located in the first chip and each of them is located in the first chip and each of them is located in the first chip and each of them is located in the first chip and each is in the first chip and each is located in the first chip and each of them. The through hole has the first end on the front side of the first chip and the second end on the back side of the first chip; the first track connects the first end, and is located on the front side of the first chip, and the second orbit, the second track connects these second ends and is located in the second core. In the chip, the first chip includes a first circuit for detecting the electrical characteristics of the first ring.
【技术实现步骤摘要】
包括电子芯片堆叠的设备相关申请的交叉引用本申请要求于2016年10月31日提交的第16/60568号法国专利申请的优先权权益,其内容在法律允许的最大程度上通过引用以其全文合并于此。
本公开涉及电子芯片领域,并且具体地涉及一种包括互连电子芯片堆叠的设备。
技术介绍
某些电子芯片(如银行卡芯片)可以包含很可能被剽窃者觊觎的机密数据。这种机密数据可以包含在位于芯片的前表面侧上的电路中。为了获得该数据,剽窃者可以从芯片的后侧来实施攻击。在一种攻击类型(称为蚀刻攻击)中,剽窃者蚀刻芯片的后侧的一部分。剽窃者例如通过使用离子束从此蚀刻部分中形成具有几微米宽的腔,该离子束延伸朝向前侧直到已经到达这些电路。然后在这些腔中创建具有电路元件的电子触头,并且剽窃者使用这些触头来分析操作中的芯片。在另一种类型的攻击中,剽窃者例如使用激光脉冲来扫描芯片的后侧。激光的影响会干扰芯片操作。观察这类干扰对电路活动的影响,使得剽窃者能够成功地完成攻击。为了干扰芯片操作,剽窃者还可以借助于与后侧接触的探针来施加正电势或负电势,或者借助于被安排靠近后侧的线圈来感应电路元件中的电流或电压。这种类型的攻击被称为故障注入攻击。这种包括机密数据的芯片可以包括在互连芯片堆叠中。在此考虑保护包含在互连芯片堆叠中的芯片免受攻击,并且具体地免受后侧攻击。
技术实现思路
由此,实施提供了一种设备,该设备包括:第一芯片,该第一芯片具有前侧和后侧;第二芯片,该第二芯片与该第一芯片堆叠,并且位于该第一芯片的该后侧上;以及第一环,该第一环包括:第一通孔和第二通孔,这两通孔位于该第一芯片中并且每个通孔具有在该第一芯片的该前侧 ...
【技术保护点】
一种设备,包括:第一芯片(5),所述第一芯片具有前侧和后侧;第二芯片(3),所述第二芯片与所述第一芯片堆叠,并且位于所述第一芯片的所述后侧上;以及第一环(39),所述第一环包括:第一通孔(30A)和第二通孔(30B),所述通孔位于所述第一芯片中并且每个通孔具有在所述第一芯片的所述前侧上的第一端(32A,32B)以及在所述第一芯片的所述后侧上的第二端(34A,34B);第一轨道(36),所述第一轨道连接所述第一通孔和所述第二通孔的所述第一端,并且位于所述第一芯片中在其前侧上;以及第二轨道(38),所述第二轨道连接所述第一通孔和所述第二通孔的所述第二端,并且位于所述第二芯片中,所述第一芯片包括用于检测所述第一环的电气特性的第一电路(40)。
【技术特征摘要】
2016.10.31 FR 16605681.一种设备,包括:第一芯片(5),所述第一芯片具有前侧和后侧;第二芯片(3),所述第二芯片与所述第一芯片堆叠,并且位于所述第一芯片的所述后侧上;以及第一环(39),所述第一环包括:第一通孔(30A)和第二通孔(30B),所述通孔位于所述第一芯片中并且每个通孔具有在所述第一芯片的所述前侧上的第一端(32A,32B)以及在所述第一芯片的所述后侧上的第二端(34A,34B);第一轨道(36),所述第一轨道连接所述第一通孔和所述第二通孔的所述第一端,并且位于所述第一芯片中在其前侧上;以及第二轨道(38),所述第二轨道连接所述第一通孔和所述第二通孔的所述第二端,并且位于所述第二芯片中,所述第一芯片包括用于检测所述第一环的电气特性的第一电路(40)。2.如权利要求1所述的设备,其中:所述第一芯片(5)包括在其后侧上的第一连接焊盘(17A)和第二连接焊盘(17B),所述连接焊盘分别连接至所述第一通孔和所述第二通孔(30A,30B);并且所述第二芯片(3)包括连接至所述第二轨道(38)的第三连接焊盘(9A;17A’)和第四连接焊盘(9B;17B’),所述第一焊盘和所述第二焊盘分别焊接至所述第二芯片的所述第三焊盘和所述第四焊盘。3.如权利要求1所述的设备,其中,所述检测电路(40)能够检测所述第一环(39)的以下电气特性中的至少一项:缺乏所述第一环的电连续性;所述第一环的电阻的值与参考值之差;以及电脉冲流过所述第一环所花费的时间与参考持续时间之差。4.如权利要求1所述的设备,其中,所述第一环(39)进一步包括位于所述第一芯片(5)中的至少第三通孔(30C)和第四通孔(30D),所述第一环交替地穿过所述第一芯片和所述第二芯片。5.如权利要求1所述的设备,其中,所述第一轨道(36)具有蛇形图...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·查姆佩克斯,N·博瑞尔,
申请(专利权)人:意法半导体鲁塞公司,
类型:发明
国别省市:法国,FR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。