The invention provides a method for making a thin film transistor, in which a method of forming a back channel consists of steps: S21, an active material film, a source leakage material film and a photoresist film on the gate insulating layer, and an etching substrate; S22, a wet etching on the etching substrate and one dry etching in turn. The source drain and photoresist are formed by etching and burning resistance and two times wet etching. S23, etching the active material film with the first etching gas to form the back channel; S24, using the second etching gas to remove the photoresist and obtain the thin film transistors. According to this method, the copper stripping solution can be avoided when etching the back channel, but by reasonably matching the composition and amount of various etching gases, while completing the etch and removing the light resistance, it also avoids the diffusion of copper ions in the existing technology and the contamination of the other impurities in the copper stripping solution. Question. The invention also provides the application of the above manufacturing method in the array substrate.
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法
本专利技术属于液晶显示器制造
,具体来讲,涉及一种薄膜晶体管的制作方法,以及基于该薄膜晶体管的制作方法来制作阵列基板的方法。
技术介绍
随着显示技术的不断发展,薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点,在平板显示领域中占据了主导地位。随着人们对显示器分辨率和画面刷新速率的追求越来越高,新材料和新工艺的发展也迫在眉睫。目前传统导电层金属材料主要以铝和钼为主,铝和钼的优点在于成膜工艺简单,黏附性和平坦性较好,不容易发生爬坡断线,而且不容易扩散。对于小尺寸和低分辨率的面板而言,铝是首选的理想导电金属材料。由于铝的电阻率相对较大,因此对于大尺寸和高分辨率而言,就不能满足需求了。作为导电金属材料,铜的导电率要远远优于铝;对于55寸的UHD显示屏,采用铜取代铝作为导电金属材料,其面板分辨率可以提升35.2%,亮度可以提高32%,同时画面闪烁和线负载都能大大降低。因此针对目前高分辨率面板的市场需求,使用铜将取代铝应用到未来的显示面板中。传统的背沟道刻蚀型TFT一般采用4mask阵列基板工艺来完成,但是,在上述工艺中,铜金属布线工艺的难点是高温制程下铜离子的扩散以及铜剥离液在去光阻制程中易污染背沟道,由此会导致TFT器件中背沟道漏电问题明显,且受制于铜剥离液配方以及耗用量的影响而大幅增加生产成本,从而致使铜制程尚未完全取代铝而应用到平板显示面板中。目前主要解决方式是通过TFT器件中背沟道蚀刻制程条件持续优化,如最后 ...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法,包括步骤:S1、在衬底上依次制作栅极和栅极绝缘层;S2、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源层和源漏极,并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道,获得薄膜晶体管;其特征在于,所述步骤S2的具体方法包括下述步骤:S21、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源材料膜层、源漏极材料膜层和光阻材料膜层,获得蚀刻基板;S22、对所述蚀刻基板依次进行一次湿法蚀刻、一次干法蚀刻和烧光阻、以及二次湿法蚀刻,在所述有源材料膜层上形成源漏极和光阻层;S23、采用第一刻蚀气体蚀刻所述源漏极之间的有源材料膜层,形成所述背沟道;其中,所述第一刻蚀气体为体积比为1:6~1:2的SF6、CF4或C2HF5中的至少一种与Cl2的混合气体,所述第一刻蚀气体的压强为30mtorr~120mtorr;S24、采用第二刻蚀气体去除所述光阻层,获得所述薄膜晶体管;其中,所述第二刻蚀气体为体积比为2:1~4:1的O2和He的混合气体,所述第二刻蚀气体的压强为30mtorr~90mtorr。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法,包括步骤:S1、在衬底上依次制作栅极和栅极绝缘层;S2、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源层和源漏极,并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道,获得薄膜晶体管;其特征在于,所述步骤S2的具体方法包括下述步骤:S21、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源材料膜层、源漏极材料膜层和光阻材料膜层,获得蚀刻基板;S22、对所述蚀刻基板依次进行一次湿法蚀刻、一次干法蚀刻和烧光阻、以及二次湿法蚀刻,在所述有源材料膜层上形成源漏极和光阻层;S23、采用第一刻蚀气体蚀刻所述源漏极之间的有源材料膜层,形成所述背沟道;其中,所述第一刻蚀气体为体积比为1:6~1:2的SF6、CF4或C2HF5中的至少一种与Cl2的混合气体,所述第一刻蚀气体的压强为30mtorr~120mtorr;S24、采用第二刻蚀气体去除所述光阻层,获得所述薄膜晶体管;其中,所述第二刻蚀气体为体积比为2:1~4:1的O2和He的混合气体,所述第二刻蚀气体的压强为30mtorr~90mtorr。2.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙涛,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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