TFT基板及其制造方法技术

一种TFT基板的制造方法。首先提供金属基底并在其上形成栅极绝缘层，得到第一初级结构。在第一初级结构上沉积形成石墨烯，石墨烯包括连接设置的第一石墨烯层及第二石墨烯层，第二石墨烯层与部分第一石墨烯层形成双层石墨烯用作有源层，双层石墨烯位于栅极绝缘层上。在石墨烯上形成有机绝缘层。再于有机绝缘层上形成底栅极，得到第二初级结构。将第二初级结构进行上下翻转，使底栅极位于最下层，金属基底位于最上层。蚀刻金属基底形成源极、顶栅极和漏极。源极及漏极与第一石墨烯层连接，降低源、漏极与双层石墨烯间的接触电阻。本发明专利技术还提供了一种TFT基板。

TFT substrate and its manufacturing method

A manufacturing method for a TFT substrate. First, the metal substrate is provided and a gate insulating layer is formed on the metal substrate to obtain the first primary structure. Graphene is deposited on the first primary structure. The graphene consists of the first graphene layer connected with the first two graphene layer, and the second graphene layer and some first graphene layers form double graphene as the active layer, and the double graphene is located on the gate insulating layer. The organic insulating layer is formed on the graphene. Then the bottom gate is formed on the organic insulating layer, and the second primary structure is obtained. The second primary structure is turned upside down so that the bottom grid is located at the lowest level and the metal substrate is at the top level. The etched metal substrate forms the source, the top grid and the drain. The source electrode and drain electrode are connected with the first graphene layer to reduce the contact resistance between the source and drain and the double-layer graphene. The invention also provides a TFT substrate.

【技术实现步骤摘要】
TFT基板及其制造方法
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种TFT基板及其制造方法。
技术介绍
在有源矩阵显示技术中，每一个像素点都由集成在其后的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)进行驱动，从而可以实现高速度、高亮度、高对比度的屏幕显示效果。常见的TFT通常由栅极/源极/漏极(Gate/Source/Drain)三电极、绝缘层以及半导体层构成。石墨烯，作为目前已知世界上最薄、最坚硬的纳米材料，因其具有良好的导电调控性，机械特性，导热特性，从而成为当前研究热点之一。石墨烯作为一种极薄导电率极高的新型材料，具有很大潜能被应用到电子元件/晶体管中。根据报道，石墨烯薄膜具有极低的方块电阻(<100Ω/□)，然而经过掺杂之后，又可以形成宽带系的二维绝缘材料，因而石墨烯经过一定处理后，可形成n型或p型半导体的特性，可被应用到显示行业的TFT器件中。然而，该方法处理工艺调整困难，性能难以保证，应用到显示行业TFT器件较为困难。
技术实现思路
为了解决前述问题，本专利技术提供一种TFT基板及其制造方法。一种TFT基板的制造方法，包括以下步骤：步骤S101，提供金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S101，提供金属基底，并在所述金属基底上形成栅极绝缘层，得到第一初级结构；步骤S102，在所述第一初级结构上沉积形成石墨烯，所述石墨烯包括连接设置的第一石墨烯层及第二石墨烯层，所述第二石墨烯层与部分所述第一石墨烯层形成双层石墨烯用作有源层，所述双层石墨烯位于所述栅极绝缘层上；步骤S103，于所述第一石墨烯层及所述第二石墨烯层上形成有机绝缘层；步骤S104，于所述有机绝缘层上形成底栅极，得到第二初级结构；步骤S105，将所述第二初级结构进行上下翻转，使所述底栅极位于最下层，所述金属基底位于最上层；步骤S106，蚀刻所述金属基底形成源极、顶...

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S101，提供金属基底，并在所述金属基底上形成栅极绝缘层，得到第一初级结构；步骤S102，在所述第一初级结构上沉积形成石墨烯，所述石墨烯包括连接设置的第一石墨烯层及第二石墨烯层，所述第二石墨烯层与部分所述第一石墨烯层形成双层石墨烯用作有源层，所述双层石墨烯位于所述栅极绝缘层上；步骤S103，于所述第一石墨烯层及所述第二石墨烯层上形成有机绝缘层；步骤S104，于所述有机绝缘层上形成底栅极，得到第二初级结构；步骤S105，将所述第二初级结构进行上下翻转，使所述底栅极位于最下层，所述金属基底位于最上层；步骤S106，蚀刻所述金属基底形成源极、顶栅极和漏极，其中，所述源极及所述漏极与所述第一石墨烯层连接，所述顶栅极与所述栅极绝缘层连接。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在所述步骤S101中，包括以下步骤：提供所述金属基底，并于所述金属基底上沉积形成无图形的无机绝缘层；于所述无机绝缘层上形成图形化的第一光阻层；通过固化工艺形成图形化的所述栅极绝缘层；剥离所述第一光阻层形成所述第一初级结构。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在所述步骤S107中，包括以下步骤：于所述金属基底远离所述栅极绝缘层的一面上形成图形化的第二光阻层；对所述金属基底进行蚀刻，得到所述源极、所述顶栅极和所述漏极；剥离所述第二光阻层。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述金属基底的材料为铜、或镍。5.如权利要求1所述的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏慧，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44