MTP存储阵列制造技术

MTP存储阵列，所述MTP存储阵列包括：多个存储单元、位线差分电路、源线差分电路、位线电流检测电路和源线差分开关电路；各个所述存储单元的位线分别通过对应的位线驱动电路与所述位线电流检测电路和所述位线差分电路耦接，源线通过所述源线差分开关电路与源线差分电路耦接；所述位线电流检测电路，适于对从位线流向源线方向的电流进行检测；所述源线差分开关电路，适于当确定从位线流向源线方向的电流大于或等于预设的阈值时，控制源线与源线差分电路断开连接；当确定从位线流向源线方向的电流小于所述阈值时，控制源线与源线差分电路导通。上述的方案，可以提高MTP存储阵列运行可靠性。

MTP storage array

MTP storage array, the MTP storage array includes multiple storage units, bit line differential circuits, source line differential circuits, bit line current detection circuits, and source line differential switching circuits, and the bits of each of the storage units are respectively through the corresponding bit line drive circuit and the described bit line electric current detection circuit and the bit line differential circuit. Coupling, the source line is coupled to the source line differential circuit through the source line differential switch circuit; the bit line current detection circuit is suitable for detecting current from the bit line to the source line; the source line differential switch circuit is adapted to control the current flow from a bit line to a source line or equal to a predetermined threshold value. The source line and the source line differential circuit disconnect; when the current is less than the threshold, the control source line is connected with the source line differential circuit when the current is less than the threshold. The above scheme can improve the reliability of MTP storage array.

【技术实现步骤摘要】
MTP存储阵列
本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种MTP存储阵列。
技术介绍
存储阵列，由大量的存储单元组成，每个存储单元能存放1位的二值数据0或1。通常，存储阵列中的存储单元排列成N*M的矩阵形式，也即是将多个磁盘组成的阵列，作为单一磁盘使用。其中，多次可编程(MultiTimeProgrammable，MTP)存储阵列是存储阵列中的一种，是一种新型的存储器。与其他的非易失性存储器相比，MTP存储阵列具有与独特的工作机制。但是，现有的MTP存储阵列在运行时存在着可靠性差的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例要解决的技术问题是如何提高MTP存储阵列运行的可靠性。为了解决上述问题，本专利技术实施例提供一种MTP存储阵列，所述MTP存储阵列包括：多个存储单元、位线差分电路、源线差分电路、位线电流检测电路和源线差分开关电路；各个所述存储单元的位线分别通过对应的位线驱动电路与所述位线电流检测电路和所述位线差分电路耦接，源线通过所述源线差分开关电路与源线差分电路耦接；所述位线电流检测电路，适于对从位线流向源线方向的电流进行检测；所述源线差分开关电路，适于当确定从位线流向源线方向的电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MTP存储阵列，其特征在于，包括：多个存储单元、位线差分电路、源线差分电路、位线电流检测电路和源线差分开关电路；各个所述存储单元的位线分别通过对应的位线驱动电路与所述位线电流检测电路和所述位线差分电路耦接，源线通过所述源线差分开关电路与源线差分电路耦接；所述位线电流检测电路，适于对从位线流向源线方向的电流进行检测；所述源线差分开关电路，适于当确定从位线流向源线方向的电流大于或等于预设的阈值时，控制源线与源线差分电路断开连接；当确定从位线流向源线方向的电流小于所述阈值时，控制源线与源线差分电路导通。

【技术特征摘要】
1.一种MTP存储阵列，其特征在于，包括：多个存储单元、位线差分电路、源线差分电路、位线电流检测电路和源线差分开关电路；各个所述存储单元的位线分别通过对应的位线驱动电路与所述位线电流检测电路和所述位线差分电路耦接，源线通过所述源线差分开关电路与源线差分电路耦接；所述位线电流检测电路，适于对从位线流向源线方向的电流进行检测；所述源线差分开关电路，适于当确定从位线流向源线方向的电流大于或等于预设的阈值时，控制源线与源线差分电路断开连接；当确定从位线流向源线方向的电流小于所述阈值时，控制源线与源线差分电路导通。2.根据权利要求1所述的MTP存储阵列，其特征在于，所述位线电流检测电路包括反相器、第一电流镜电路和第二电流镜电路；所述第一电流镜电路的输入端通过对应的位线驱动电路与位线耦接，输出端与所述反相器的输入端耦接；所述第二电流镜电路的输入端与预设的参考电流耦接，输出端与所述反相器的输入端耦接；所述反相器的输出端与所述源线差分开关电路耦接。3.根据权利要求2所述的MTP存储阵列，其特征在于，所述第一电流镜电路包括第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一PMOS管的源端与所述第二PMOS管的源端耦接；所述第一PMOS管的漏端作为所述第一电流镜电路的输出端；所述第一PMOS管的栅端与所述第二PMOS管的栅端和漏端耦接，作为所述第一电流镜电路的输入端。4.根据权利要求2所述的MTP存储阵列，...

【专利技术属性】
技术研发人员：權彞振，倪昊，周耀，王韬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31