一种可以测量带凸块硅片厚度的设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种可以测量带凸块硅片厚度的设备，包括测厚仪、夹盘和底座，所述夹盘与所述测厚仪相连，所述夹盘包括夹具，所述夹具下端活动连接有卡合结构，所述底座上间隔设置有若干凸起，所述卡合结构包括与夹具相连的连接端，以及位于连接端两端的卡合端，本实用新型专利技术提供一种简单、低成本的测量设备，可以测量硅片厚度，又可以测量硅片上凸块的厚度。

【技术实现步骤摘要】
一种可以测量带凸块硅片厚度的设备
本技术涉及半导体封装领域，具体涉及一种可以测量带凸块硅片厚度的设备。
技术介绍
在未来几年内我国的半导体封装技术市场将发生前所未有的变革，现在或传统或主流的QFP，DFP，TSOP等封装形式的份额将会逐渐变小，趁势而起的将是FLIPCHIP这种采取芯片倒装的封装技术，此技术用小球代替原先采用的针脚，所以需求的硅片在前期需要做植球(锡，铅等)，随着各厂商工艺上的不同，球的高度也有所不同，而传统的手动测量仪如图1所示，只能测量普通硅片的厚度，如图2a所示；如图2b所示，对于这种表面有凸起物的硅片并无很好的对应方式。
技术实现思路
为了解决上述不足的缺陷，本技术提供了一种可以测量带凸块硅片厚度的设备，可以用于测量硅片上凸块的厚度。本技术提供了一种可以测量带凸块硅片厚度的设备，包括测厚仪、夹盘和底座，所述夹盘与所述测厚仪相连，所述夹盘包括夹具，所述夹具下端活动连接有卡合结构，所述底座上间隔设置有若干凸起，所述卡合结构包括与夹具相连的连接端，以及位于连接端两端的卡合端。上述的设备，其中，所述夹具为圆盘形结构，压合在凸块硅片上用于测量凸块硅片的整体厚度。上述的设备，其中，所述卡合结构通过两端的卡合端卡合在带凸块硅片两端的空白处，用于测量不带凸块的硅片厚度。上述的设备，其中，所述若干凸起之间的间隔可以用于凸块硅片穿过，用于对凸块硅片的限位。上述的设备，其中，所述连接端与所述夹具通过螺丝进行相连。上述的设备，其中，所述卡合端为圆弧形结构，所述圆弧形结构的横向的截面直径小于所述凸起之间的间隔。本技术具有以下优点：1、本技术提供一种简单、低成本的测量设备，可以测量硅片厚度，又可以测量硅片上凸块的厚度。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本技术的主旨。图1为常规的测厚仪的结构示意图。图2a为普通硅片的结构示意图；图2b为表面有凸起物的硅片的结构示意图。图3a为本技术中一种可以测量带凸块硅片厚度的设备在测量凸块硅片整体厚度情况下的结构示意图；图3b为本技术中一种可以测量带凸块硅片厚度的设备在测量不带凸块的硅片厚度情况下的结构示意图。图4为本技术一种可以测量带凸块硅片厚度的设备中夹具的结构示意图。图5为本技术一种可以测量带凸块硅片厚度的设备中卡合结构的结构示意图。图6为本技术一种可以测量带凸块硅片厚度的设备中底座的局部结构示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。为了彻底理解本技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本技术的技术方案。本技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本技术还可以具有其他实施方式。参照图1-图6所示，本技术提供了一种可以测量带凸块硅片厚度的设备，包括：测厚仪1、夹盘2和底座3，夹盘2与测厚仪1相连，其中测厚仪1与底座3之间通过连接装置11相固定，其中测厚仪1的测试原理跟现有的原理类似，夹盘2包括夹具21，夹具21下端活动连接有卡合结构4，底座3上间隔设置有若干凸起5，其中凸起5的垂直高度小于凸块硅片整体的垂直高度，卡合结构4包括与夹具21相连的连接端41，以及位于连接端41两端的卡合端42。本技术的工作原理为：参照图3a所示，首先通过夹具21测量凸块硅片的整体厚度，具体为将凸块硅片整体放置在底座3上，进一步优选，放置在相邻的凸起5间隔之间，然后向下移动测厚仪1直到夹具21接触到凸块硅片，此时的测厚仪1读数为凸块硅片的整体厚度，记下读数x；参照图3b所示，将卡合结构4安装在夹具21的下端并进行重新校准，再将凸块硅片放置在相邻的凸起5间隔之间，由于凸块硅片的两端一段距离没有植球，也就是说没有凸块，然后向下移动测厚仪1直到卡合结构4两端的卡合端42接触到凸块硅片的两端没有植球的位置，此时测厚仪1读数为不带凸块的硅片厚度，记下读数y，则凸块的厚度为x-y，因此本技术既可以测量硅片厚度，又可以测量带凸块厚度。本技术一优选而非限制性的实施例中，夹具21为圆盘形结构，压合在凸块硅片上用于测量凸块硅片的整体厚度，其中夹具21与测厚仪1可以为固定连接或者活动连接。本技术一优选而非限制性的实施例中，卡合结构4通过两端的卡合端42卡合在带凸块硅片两端的空白处，也就是没有植球的位置，用于测量不带凸块的硅片厚度。本技术一优选而非限制性的实施例中，若干凸起5之间的间隔可以用于凸块硅片穿过，用于对凸块硅片的限位，防止滑动，以及凸起5的垂直高度小于凸块硅片整体的垂直高度。本技术一优选而非限制性的实施例中，连接端41与夹具21通过螺丝进行相连，参照图4、图5所示，连接端41上端设有一凸出螺纹结构43，夹具21设有螺纹孔22，通过凸出螺纹结构与螺纹孔相连。本技术一优选而非限制性的实施例中，卡合端42为圆弧形结构，圆弧形结构的横向的截面直径小于凸起5之间的间隔，也就是说卡合端42可以插入到凸起5之间的间隔内，两端的卡合端42也可以位于凸起5的外侧，可以方便测量不带凸块的硅片厚度。以下提供一具体的实施例来进一步阐述本技术；实际使用时分两个步骤，参照图3a，首先单独使用夹具21压住硅片可测得带凸块硅片厚度，第二次将夹具21与卡合结构进行固定组合，得到完整的图3b的效果，由于常规的8寸硅片的截面直径一般在200mm±0.2mm左右，如图6所示，底座设有若干个0.5mm厚的间隔凸起作为硅片固定，另因带凸块硅片因技术原因在硅片边缘会留有3-6mm的空余。组合后的卡合结构因插入到带凸块硅片的空白部分，可以测得一个不带凸块的数据，从而可以得到硅片的厚度和带凸块的厚度。以上对本技术的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本技术并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本技术的实质内容。因此，凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可以测量带凸块硅片厚度的设备，其特征在于：包括测厚仪、夹盘和底座，所述夹盘与所述测厚仪相连，所述夹盘包括夹具，所述夹具下端活动连接有卡合结构，所述底座上间隔设置有若干凸起，所述卡合结构包括与夹具相连的连接端，以及位于连接端两端的卡合端。

【技术特征摘要】
1.一种可以测量带凸块硅片厚度的设备，其特征在于：包括测厚仪、夹盘和底座，所述夹盘与所述测厚仪相连，所述夹盘包括夹具，所述夹具下端活动连接有卡合结构，所述底座上间隔设置有若干凸起，所述卡合结构包括与夹具相连的连接端，以及位于连接端两端的卡合端。2.如权利要求1所述的一种可以测量带凸块硅片厚度的设备，其特征在于，所述夹具为圆盘形结构，压合在凸块硅片上用于测量凸块硅片的整体厚度。3.如权利要求2所述的一种可以测量带凸块硅片厚度的设备，其特征在于，所述卡合结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏骁俊，徐晶骥，
申请(专利权)人：上海东煦电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31