一种上电缓冲电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种上电缓冲电路，包括储能电容、MOS开关管和第一电容，储能电容的两端分别连接电源输入端和地，MOS开关管的栅极通过整流降压电路连接AC电源输入端，源极和漏极连接并联电阻，且漏极接地；第一电容的两端分别连接CMOS开关管的栅极和地，且所述第一电容的输入端通过分压电路连接所述整流降压电路。本实用新型专利技术，在上电的瞬间由储能电容储能，并通过第一电容的充电，使MOS开关管延时导通，当MOS开关管未导通时，并联电阻起到缓冲作用，当MOS开关管导通时，并联电阻被短接，由于MOS开关管阻值极小，因此线路损耗低，电源效率高，并且无论是冷机还是热机，都可以有效起到缓冲效果。

A power up buffer circuit

The utility model discloses a power supply buffer circuit, including energy storage capacitor, MOS switch tube and first capacitor. The two ends of the energy storage capacitor are connected to the power input and ground respectively. The gate of the MOS switch tube is connected to the AC power input terminal through the rectifying and step-down circuit, the source and drain connection and the connection resistance, and the leakage electrode is connected to the ground; the first capacitor is connected to the ground. The two ends are respectively connected with the grid and the ground of the CMOS switch tube, and the input end of the first capacitor is connected to the rectified buck circuit through a voltage divider circuit. In the utility model, the energy storage capacity is stored at the moment of energy storage, and the MOS switch tube is delayed through the charge of the first capacitor. When the MOS switch tube is not guided, the parallel resistor plays a buffer action. When the MOS switch tube is guided, the parallel resistance is short connected, because the resistance of the MOS switch tube is very small, so the line loss is low and the power is low. The source efficiency is high, and both the refrigerator and the heat engine can effectively buffer the effect.

【技术实现步骤摘要】
一种上电缓冲电路
本技术涉及开关电源
，具体涉及一种上电缓冲电路。
技术介绍
开关电源产品广泛应用于工业自动化控制、通讯设备、仪器仪表、电脑机箱，数码产品和仪器类等领域。利用电子开关器件(如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等)，通过控制电路，使电子开关器件不停地“接通”和“关断”，让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，从而实现DC/AC、DC/DC电压变换，以及输出电压可调和自动稳压。现有的开关电源电路，采用NTC作为上电浪涌电流缓冲元件，利用NTC在冷态常温下阻值较大的特点，上电瞬间可起到缓冲效果，当电流经过NTC后发热温度升高阻值变小，开始正常工作。其缺点：(1)在电源工作时存在内阻，产生发热损耗，降低了电源整机效率；(2)在热机状态二次上电时，NTC还处于小内阻状态，缓冲失效。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是开关电源上电缓冲效率低的问题。为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是提供一种上电缓冲电路，包括：储能电容，两端分别连接电源输入端和地；MOS开关管，其栅极通过整流降压电路连接AC电源输入端，源极和漏极连接并联电阻，且漏极接地；第一电容，两端分别连接CMOS开关管的栅极和地，且所述第一电容的输入端通过分压电路连接所述整流降压电路。在上述方案中，所述整流降压电路包括第一、第二二极管和第一、第二电阻，所述第一、第二电阻串联，所述第一、第二二极管的正极分别连接AC电源输入端，负极均连接第一电阻的输入端；所述分压电路包括串联连接的第三、第四电阻，所述第三电阻的输入端与所述第二电阻的输出端连接，所述第三电阻的输出端连接所述第一电容，所述第四电阻的输出端接地。在上述方案中，所述并联电阻由第五电阻和第六电阻并联组成。本技术，在上电的瞬间由储能电容储能，并通过第一电容的充电，使MOS开关管延时导通，当MOS开关管未导通时，并联电阻起到缓冲作用，当MOS开关管导通时，并联电阻被短接，由于MOS开关管阻值极小，因此线路损耗低，电源效率高，并且无论是冷机还是热机，都可以有效起到缓冲效果。附图说明图1为本技术提供的上电缓冲电路示意图；图2为本技术在开关电源中的应用示意图。具体实施方式本技术提供了一种上电缓冲电路，用于开关电源，能够提高电源效率，并且无论是冷机还是热机，都可以有效起到缓冲效果。下面结合说明书附图和具体实施方式对本技术做出详细说明。如图1所示，本技术提供的上电缓冲电路包括储能电容C3、MOS开关管Q2和第一电容C14。储能电容C13的两端分别连接电源输入端和地，在上电时进行储能。MOS开关管Q2的栅极通过整流降压电路连接AC电源输入端，源极和漏极连接并联电阻，且漏极接地。其中：并联电阻由第五电阻R17和第六电阻R9并联组成。整流降压电路包括第一二极管D6、第二二极管D7和第一电阻R1、第二电阻R14，第一电阻R1和第二电阻R14串联，第一二极管D6和第二二极管D7的正极分别连接AC电源输入端，负极均连接第一电阻R1的输入端，用于对输入的AC电源进行整流和降压。第一电容C14的两端分别连接CMOS开关管的栅极和地，且第一电容C14的输入端通过分压电路连接整流降压电路。具体地，分压电路包括串联连接的第三电阻R21和第四电阻R22，第三电阻R21的输入端与第二电阻R14的输出端连接，第三电阻R21的输出端连接第一电容C14，第四电阻R22的输出端接地。本技术的工作原理如下：电路在上电的瞬间储能电容储能13进行储能，从0V充电至300V以上，同时，通过第一二极管D6和第二二极管D7进行整流，然后再通过第一电阻R1和第二电阻R14降压，再通过第三电阻R21和第四电阻R22进行分压，分压后的电压加载到第一电容C14上对其进行充电，使MOS开关管Q2延时导通。充电开始时，MOS开关管Q2不导通的，此时电流流过并联电阻R17和R9，阻值较大起到缓冲作用，当第一电容C14充电达到MOS开关管Q2的导通电压后，MOS开关管Q2导通，并联电阻R17和R9被短接，由于MOS开关管Q2的阻值极小，因此线路损耗低。同时，与现有技术中采用NTC的方案相比，无论是冷机还是热机，都可以有效起到缓冲的效果。本技术可应用于开关电源，图2为本技术在开关电源中的应用的一种实施例示意图。本技术不局限于上述最佳实施方式，任何人应该得知在本技术的启示下作出的结构变化，凡是与本技术具有相同或相近的技术方案，均落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上电缓冲电路，其特征在于，包括：储能电容，两端分别连接电源输入端和地；MOS开关管，其栅极通过整流降压电路连接AC电源输入端，源极和漏极连接并联电阻，且漏极接地；第一电容，两端分别连接CMOS开关管的栅极和地，且所述第一电容的输入端通过分压电路连接所述整流降压电路。

【技术特征摘要】
1.一种上电缓冲电路，其特征在于，包括：储能电容，两端分别连接电源输入端和地；MOS开关管，其栅极通过整流降压电路连接AC电源输入端，源极和漏极连接并联电阻，且漏极接地；第一电容，两端分别连接CMOS开关管的栅极和地，且所述第一电容的输入端通过分压电路连接所述整流降压电路。2.如权利要求1所述的上电缓冲电路，其特征在于，所述整流降压电路包括第一、第二二极管和...

【专利技术属性】
技术研发人员：林繁培，邓汉杰，谭国栋，
申请(专利权)人：广州高雅信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44