The present invention discloses a substrate processing method, which includes grinding edges through a slice of substrate to reduce the roughness of the substrate edge, making the substrate after the grinding process into the corrosion process to remove the first part of the damage layer produced by the slicing process, and polishing the substrate through the corrosion process, The second part of the damage layer is removed. The substrate processing method provided by this invention eliminates the grinding process. After the substrate passes through the slicing and the grinding process in turn, it enters the corrosion process, which can directly remove the damage layer produced by the slicing process, without producing a new damage layer, thus avoiding the waste of the material and reducing the production of the substrate. At the same time, the process steps are reduced, and the production efficiency is improved.
【技术实现步骤摘要】
衬底加工方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种衬底加工方法。
技术介绍
砷化镓、蓝宝石、硅片等衬底广泛应用于高频及无线通讯、光致发光以及太阳能电池发电等半导体领域。目前,市场上应用的这些衬底生产工艺复杂,成本高昂,如何进一步降低衬底的加工成本便成为大家争相追求的目标。在现有技术中,衬底在加工过程中均需要经过研磨工序,以除去前道工序造成的损伤层。但是研磨工序同样会增加新的损伤层,从而增加了后续抛光的难度,即增加了抛光时间以及衬底本身的去除量,造成了加工成本的增加。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种衬底加工方法,以解决上述现有技术中的问题,节约加工时间和加工成本,提高加工精度。本专利技术提供了一种衬底加工方法,其中,包括如下步骤:磨边:对经过切片所得的衬底进行磨边,以降低所述衬底边缘的粗糙度;腐蚀:使经过磨边工序后的所述衬底进入腐蚀工序,以去除由切片工序产生的损伤层的第一部分;抛光:对经过腐蚀工序的所述衬底进行抛光,以去除所述损伤层的第二部分。如上所述的衬底加工方法,其中,优选的是,所述抛光步骤之后还包括:清洗:对经过抛光工序的所述衬底进行清洗,以降低所述衬底表面粗糙度。如上所述的衬底加工方法,其中,优选的是,所述抛光步骤具体包括:第一粗抛:使经过所述腐蚀工序的所述衬底进入第一粗抛工序,以去除所述损伤层的第二部分;第二粗抛:使经过所述第一粗抛工序的所述衬底进入第二粗抛工序,以初步降低所述衬底表面的粗糙度;精抛:使经过所述第二粗抛工序的所述衬底进入精抛工序,以使所述衬底表面获得符合要求的粗糙度。如上所述的衬底加工方法,其中,优选的是,所述抛光步骤具 ...
【技术保护点】
一种衬底加工方法,其特征在于,包括如下步骤:磨边:对经过切片所得的衬底进行磨边,以降低所述衬底边缘的粗糙度;腐蚀:使经过磨边工序后的所述衬底进入腐蚀工序,以去除由切片工序产生的损伤层的第一部分;抛光:对经过腐蚀工序的所述衬底进行抛光,以去除所述损伤层的第二部分。
【技术特征摘要】
1.一种衬底加工方法,其特征在于,包括如下步骤:磨边:对经过切片所得的衬底进行磨边,以降低所述衬底边缘的粗糙度;腐蚀:使经过磨边工序后的所述衬底进入腐蚀工序,以去除由切片工序产生的损伤层的第一部分;抛光:对经过腐蚀工序的所述衬底进行抛光,以去除所述损伤层的第二部分。2.根据权利要求1所述的衬底加工方法,其特征在于,所述抛光步骤之后还包括:清洗:对经过抛光工序的所述衬底进行清洗,以降低所述衬底表面粗糙度。3.根据权利要求1所述的衬底加工方法,其特征在于,所述抛光步骤具体包括:第一粗抛:使经过所述腐蚀工序的所述衬底进入第一粗抛工序,以去除所述损伤层的第二部分;第二粗抛:使经过所述第一粗抛工序的所述衬底进入第二粗抛工序,以初步降低所述衬底表面的粗糙度;精抛:使经过所述第二粗抛工序的所述衬底进入精抛工序,以使所述衬底表面获得符合要求的粗糙度。4.根据权利要求3所述的衬底加工方法,其特征在于,所述抛光步骤具体还包括:通过使用抛光垫和抛光液...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘桂勇,兰立广,宋士佳,
申请(专利权)人:北京创昱科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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