【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓纳米孔洞的制备方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种氮化镓纳米孔洞的制备方法。
技术介绍
氮化镓纳米结构在半导体光电领域有着很好的应用价值,尤其在实现高性能LED方面有非常重要的作用。目前,主流的制备氮化镓纳米孔洞是通过纳米压印技术来实现的。其中,纳米压印技术是利用传统模具复型原理来实现图形的复制和转移,并利用反应离子刻蚀、等离子耦合刻蚀等干法刻蚀制备出氮化镓纳米孔洞结构。上述氮化镓纳米孔洞结构的制备方法操作相对简单。但是,上述氮化镓纳米孔洞结构的制备方法存在以下缺陷:在制备的过程中,压印模具需要和氮化镓材料直接接触,极易造成对样品的物理损伤,大幅降低发光器件的效率;制备纳米压印模板的难度较大,且成本较高,实现大规模量产并运用在工业领域中都非常困难。因此,亟待研发一种新的氮化镓纳米孔洞结构的制备方法。
技术实现思路
本专利技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种氮化镓纳米孔洞的制备方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的:一种氮化镓纳米孔洞的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:(1)首先在衬底上镀一层氮化铝层,然后在氮化铝层上外延一层氮化镓层,之后在氮化镓层上镀一层二氧化硅层;(2)在二氧化硅层上蒸镀金层,然后在金层上蒸镀一层镍金属层,将镍金属层一定温度下退火处理0.5-3分钟,形成镍金属岛结构;(3)在镍金属层上蒸镀铂金金属层,使得镍金属岛结构的高度大于铂金金属层的厚度,形成氮化镓晶体结构;(4)将氮化镓晶体结构浸泡在王水中2-5分钟,使得镍金属岛结构溶解于王水中,氮化镓晶体结构形成裸露金层的纳米孔洞;(5)采用一定的工艺刻蚀氮化 ...
【技术保护点】
一种氮化镓纳米孔洞的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:(1)首先在衬底上镀一层氮化铝层,然后在氮化铝层上外延一层氮化镓层,之后在氮化镓层上镀一层二氧化硅层;(2)在二氧化硅层上蒸镀金层,然后在金层上蒸镀一层镍金属层,将镍金属层在一定温度下退火处理0.5‑3分钟,形成镍金属岛结构;(3)在镍金属层上蒸镀铂金金属层,使得镍金属岛结构的高度大于铂金金属层的厚度,形成氮化镓晶体结构;(4)将氮化镓晶体结构浸泡在王水中2‑5分钟,使得镍金属岛结构溶解于王水中,氮化镓晶体结构形成裸露金层的纳米孔洞;(5)采用一定的工艺刻蚀氮化镓晶体结构的纳米孔洞的金层、二氧化硅层及氮化镓层,即得氮化镓纳米孔洞结构。
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓纳米孔洞的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:(1)首先在衬底上镀一层氮化铝层,然后在氮化铝层上外延一层氮化镓层,之后在氮化镓层上镀一层二氧化硅层;(2)在二氧化硅层上蒸镀金层,然后在金层上蒸镀一层镍金属层,将镍金属层在一定温度下退火处理0.5-3分钟,形成镍金属岛结构;(3)在镍金属层上蒸镀铂金金属层,使得镍金属岛结构的高度大于铂金金属层的厚度,形成氮化镓晶体结构;(4)将氮化镓晶体结构浸泡在王水中2-5分钟,使得镍金属岛结构溶解于王水中,氮化镓晶体结构形成裸露金层的纳米孔洞;(5)采用一定的工艺刻蚀氮化镓晶体结构的纳米孔洞的金层、二氧化硅层及氮化镓层,...
【专利技术属性】
技术研发人员:邢琨,王江涛,张东京,徐本宏,戴业成,
申请(专利权)人:合肥芯灿半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。