一种用于3D NAND闪存的台阶结构成形工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种用于3D NAND闪存的台阶结构成形工艺，所述工艺包括如下步骤：在衬底堆叠结构沉积形成第一掩膜层，通过光刻工艺形成掩膜图案；竖直向下刻蚀形成第1级台阶，沉积形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括形成于第1级台阶外侧的侧墙掩膜；竖直向下刻蚀第二掩膜层，直至露出所述剩余堆叠层上表面，且所述侧墙掩膜的厚度等于设计的每级台阶面的宽度；竖直向下刻蚀形成第2级台阶，重复沉积形成第二掩膜层、竖直向下刻蚀第二掩膜层和竖直向下刻蚀形成第2级台阶的步骤，形成第3至第N级台阶。本发明专利技术方法中一道光刻工艺条件下可形成更多台阶结构，有利于减少3D NAND制造中的光刻工艺步骤，降低工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用于3DNAND闪存的台阶结构成形工艺
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种3DNAND闪存核心区台阶结构成形的工艺。
技术介绍
为了改善存储器件的密度，业界已经广泛致力于研发减小二维布置的存储器单元的尺寸的方法。随着二维(2D)存储器件的存储器单元尺寸持续缩减，信号冲突和干扰会显著增大，以至于难以执行多电平单元(MLC)操作。为了克服2D存储器件的限制，具有三维(3D)结构的存储器件今年来的研究逐渐升温，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。3DNAND存储器是一种存储单元三维堆叠的闪存器件，主要为垂直沟道外设置水平堆叠金属栅层。现有技术中水平堆叠的金属栅层呈阶梯结构，以此可使每一层金属栅的台阶面上可单独连通一条垂直金属连线，最后与字线(Wordline)连通，以实现每一层金属栅层对应存储单元的寻址操作。已公开文献(H.Tanakaetal.,Bitcostscalabletechnologywithpunchandplugprocessforultrahighdensityflashmemory,inVLSISymposiumTechnicalDigest本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于3D NAND闪存的台阶结构成形工艺，其特征在于，所述工艺包括如下步骤：提供一个衬底堆叠结构；沉积形成第一掩膜层，通过光刻工艺形成掩膜图案；竖直向下刻蚀形成第1级台阶，沉积形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括三部分，第一部分在第一掩膜层上方，第二部分在刻蚀掉第1级台阶后的剩余堆叠层上表面，第三部分为连接第一部分和第二部分而形成于第1级台阶外侧的侧墙掩膜；竖直向下刻蚀第二掩膜层，直至露出所述剩余堆叠层上表面，且所述侧墙掩膜的厚度等于设计的每级台阶面的宽度；竖直向下刻蚀形成第2级台阶，重复沉积形成第二掩膜层、竖直向下刻蚀第二掩膜层和竖直向下刻蚀形成第2级台阶的步骤，形成第3至第N级台阶。

【技术特征摘要】
1.一种用于3DNAND闪存的台阶结构成形工艺，其特征在于，所述工艺包括如下步骤：提供一个衬底堆叠结构；沉积形成第一掩膜层，通过光刻工艺形成掩膜图案；竖直向下刻蚀形成第1级台阶，沉积形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括三部分，第一部分在第一掩膜层上方，第二部分在刻蚀掉第1级台阶后的剩余堆叠层上表面，第三部分为连接第一部分和第二部分而形成于第1级台阶外侧的侧墙掩膜；竖直向下刻蚀第二掩膜层，直至露出所述剩余堆叠层上表面，且所述侧墙掩膜的厚度等于设计的每级台阶面的宽度；竖直向下刻蚀形成第2级台阶，重复沉积形成第二掩膜层、竖直向下刻蚀第二掩膜层和竖...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈子琪，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42