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本发明提供了一种用于3D NAND闪存的台阶结构成形工艺，所述工艺包括如下步骤：在衬底堆叠结构沉积形成第一掩膜层，通过光刻工艺形成掩膜图案；竖直向下刻蚀形成第1级台阶，沉积形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括形成于第1级台阶外侧的侧墙掩膜；竖...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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