一种磷酸清洗控制装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种磷酸清洗控制装置及方法，所述装置包括以下结构：第一控制器，其分别与硅监控器、空气阀、第二控制器连接；第二控制器，连接磷酸循环回路和第一控制器，用于控制磷酸循环回路中磷酸药液的排出；硅监控器，连接磷酸循环回路，用于监测磷酸循环回路中的硅浓度，将硅浓度反馈给第一控制器；空气阀，连接第一控制器和磷酸循环回路，控制磷酸循环回路中磷酸药液的补入；磷酸循环回路，自所述空气阀引入磷酸药液，清洗待处理的3D NAND存储器等级层堆栈。本发明专利技术的磷酸清洗控制装置及方法，通过自动实时监测并控制硅浓度，便于维护硅浓度，可以消除氧化物层大头现象，从而提高3D NAND等级层堆栈中导体层的填充良率，进而提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种磷酸清洗控制装置及方法
本专利技术涉及一种磷酸清洗控制装置及方法，涉及3DNAND存储器制造

技术介绍
随着半导体技术的发展，提出了各种半导体存储器件。相对于常规存储装置如磁存储器件，半导体存储器件具有访问速度快、存储密度高等优点。这当中，NAND结构正受到越来越多的关注。为进一步提升存储密度，出现了多种三维(3D)NAND器件。如图1A-C所示，是现有技术3DNAND存储器等级层堆栈制造过程示意图。具体包含以下步骤：(1)如图1A所示，在硅基板101上形成有等级层堆栈103，通过干法/湿法刻蚀形成栅极线狭缝102(GateLineSlit，GLS)垂直贯穿等级层堆栈103；所述等级层堆栈103由依次间隔形成的氧化物层104和氮化物层105组成。其中氮化物层105可以由氮化硅形成。(2)如图1B所示，通过干法/湿法刻蚀去除栅极线狭缝102附近的等级层堆栈103中的氮化物层105(例如SiN)，形成凹陷区域106。(3)如图1C所示，沉积金属钨，以填充步骤(2)后形成的凹陷区域106，形成金属钨层107。(4)刻蚀金属钨层107，最终形成新的导体/绝缘体等级层堆栈103。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磷酸清洗控制装置，用于3D NAND存储器等级层堆栈制造，其特征是，包括以下结构：第一控制器，其分别与硅监控器、空气阀、第二控制器连接；第二控制器，连接磷酸循环回路和第一控制器，用于控制磷酸循环回路中磷酸药液的排出；硅监控器，连接磷酸循环回路，用于监测磷酸循环回路中的硅浓度，将硅浓度反馈给第一控制器；空气阀，连接第一控制器和磷酸循环回路，控制磷酸循环回路中磷酸药液的补入；磷酸循环回路，自所述空气阀引入磷酸药液，清洗待处理的3D NAND存储器等级层堆栈。

【技术特征摘要】
1.一种磷酸清洗控制装置，用于3DNAND存储器等级层堆栈制造，其特征是，包括以下结构：第一控制器，其分别与硅监控器、空气阀、第二控制器连接；第二控制器，连接磷酸循环回路和第一控制器，用于控制磷酸循环回路中磷酸药液的排出；硅监控器，连接磷酸循环回路，用于监测磷酸循环回路中的硅浓度，将硅浓度反馈给第一控制器；空气阀，连接第一控制器和磷酸循环回路，控制磷酸循环回路中磷酸药液的补入；磷酸循环回路，自所述空气阀引入磷酸药液，清洗待处理的3DNAND存储器等级层堆栈。2.根据权利要求1所述的一种磷酸清洗控制装置，其特征是：所述第一控制器采用可编程逻辑控制器(PLC)。3.根据权利要求1所述的一种磷酸清洗控制装置，其特征是：所述硅监控器具有排出管，通过所述排出管在监测完后排出监控时引入的磷酸药液。4.根据权利要求1所述的一种磷酸清洗控制装置，其特征是：所述磷酸循环回路外套保湿层。5.根据权利要求1或4所述的一种磷酸清洗控制装置，其特征是：所述磷酸循环回路包括串联连接的泵、在线...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴良辉，蒋阳波，张静平，汪亚军，顾立勋，游晓英，宋东门，徐融，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42