用于SONOS存储器的复位电路及复位方法技术

本发明专利技术公开了一种用于SONOS存储器的复位电路及复位方法，每一latch电路对应一复位电路，每一复位电路控制其对应的latch电路进行复位，形成一个子单元，所述SONOS电路即由多个子单元形成阵列；所述每个复位电路，增加一个电容来控制复位时间，同时将多个复位电路以及latch电路进行分组，每组的多个复位电路的电容编号从C1～Cn，n为非零的自然数，且为每组的复位电路单元个数。本发明专利技术在复位电路中增加电容，并将复位电路与page latch电路进行分组，每组内的复位由电容控制复位时序，能保证每组的复位时间不同，有效降低复位时的瞬态电流。

【技术实现步骤摘要】
用于SONOS存储器的复位电路及复位方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是指一种适用于非易失存储器的SONOS存储器的pagelatch的复位电路，本专利技术还公开了所述SONOS存储器的复位电路的复位方法。
技术介绍
NVM（Non-volatileMemory），非易失存储器，具有非易失、按字节存取、存储密度高、低能耗、读写性能接近DRAM的特点。电子设备能快速地访问该存储器存储空间的内容（大多数情况下此类设备都是以字节方式地访问这些内容，并且掉电后也能保存它们）。它不用定期地刷新存储器内容。这包括所有形式的只读存储器（ROM），像是可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除只读存储器（EEPROM）和闪存。它也包括电池供电的随机存取储存器（RAM）。SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，硅-氧化物-氮化物-氧化硅-硅，又称硅氧化氮氧化硅)器件，现有的SONOS器件的存储单元通常由一个SONOS存储晶体管(简称为存储管)和一个高压选择晶体管（简称为选择管）组成。其中存储管用来存储数据，选择管用来完成数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于SONOS存储器的复位电路，每一Page latch电路对应一复位电路，每一复位电路控制其对应的page latch电路进行复位，形成一个子单元，所述SONOS电路即由多个子单元形成阵列；其特征在于：所述每个复位电路，增加一个电容来控制复位时间，同时将多个复位电路以及page latch电路进行分组，每组的多个复位电路的电容编号从C1～Cn，n为非零的自然数，且为每组的复位电路单元个数。

【技术特征摘要】
1.一种用于SONOS存储器的复位电路，每一Pagelatch电路对应一复位电路，每一复位电路控制其对应的pagelatch电路进行复位，形成一个子单元，所述SONOS电路即由多个子单元形成阵列；其特征在于：所述每个复位电路，增加一个电容来控制复位时间，同时将多个复位电路以及pagelatch电路进行分组，每组的多个复位电路的电容编号从C1～Cn，n为非零的自然数，且为每组的复位电路单元个数。2.如权利要求1所述的用于SONOS存储器的复位电路，其特征在于：所述电容为普通电容，或者是用MOS管代替。3.如权利要求1所述的用于SONOS存储器的复位电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘芳芳，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31