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本发明公开了一种用于SONOS存储器的复位电路及复位方法,每一latch电路对应一复位电路,每一复位电路控制其对应的latch电路进行复位,形成一个子单元,所述SONOS电路即由多个子单元形成阵列;所述每个复位电路,增加一个电容来控制复位时...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种用于SONOS存储器的复位电路及复位方法,每一latch电路对应一复位电路,每一复位电路控制其对应的latch电路进行复位,形成一个子单元,所述SONOS电路即由多个子单元形成阵列;所述每个复位电路,增加一个电容来控制复位时...