一种新型石英晶振片制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种新型石英晶振片
本技术涉及一种晶振片，特别是一种新型石英晶振片。
技术介绍
随着科技的发展和提高，真空镀膜技术在越来越多的领域使用，如何监控积淀的膜厚，目前主要采用石英晶体振荡监控法。石英晶体法监控膜厚，主要是利用了石英晶体的压电效应和质量负荷效应，当晶振片上镀了某种膜层，使晶振片的厚度增加，则晶振片的固有频率会相应的变化，从而我们可以根据变化的频率计算出相应的膜厚。晶振片的基片来源于石英块，经过反复的切割和研磨做成薄薄的圆片，每个圆片经抛光和清洗，最后镀上金属电极。晶振片在测试膜厚的过程中，膜料会沉积在晶振片表面而形成应力，沉积越厚应力越大，从而会影响晶振片的工作稳定性和寿命，直致晶振片无法工作，而以前的晶振片的振动频率大都是6兆或是5兆的，对应力的承受能力低，因而为了满足技术的发展及客户的需求，我们需要设计一种能承受高应力、而且具有很好的稳定性、可靠性及低阻抗、使用寿命长的晶振片。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术提供一种新型石英晶振片。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种新型石英晶振片，其特征在于：包括石英基片及通过蒸镀或者溅射覆盖于石英基片上的金属层，所述石英基片的厚度为H:0.43mm-0.455mm，直径为D：12.3mm-12.5mm，且该石英基片一面为平面，另一面为凸圆弧面，该凸圆弧面的半径为R：80mm-120mm。所述石英基片边缘倒有圆弧角，该圆弧角半径为r：7mm-13mm。所述凸圆弧面的半径R为：90mm-100mm。所述金属层包括与石英基片直接接触的镉层及镉层上的金导电层。所述金属层为由先镀在底面的铝导电层和后...
【技术保护点】
一种新型石英晶振片，其特征在于：包括石英基片及通过蒸镀或者溅射覆盖于石英基片上的金属层，所述石英基片的厚度为H:0.43mm‑0.455mm，直径为D：12.3mm‑12.5mm，且该石英基片一面为平面，另一面为凸圆弧面，该凸圆弧面的半径为R：80mm‑120mm。
【技术特征摘要】
1.一种新型石英晶振片，其特征在于：包括石英基片及通过蒸镀或者溅射覆盖于石英基片上的金属层，所述石英基片的厚度为H:0.43mm-0.455mm，直径为D：12.3mm-12.5mm，且该石英基片一面为平面，另一面为凸圆弧面，该凸圆弧面的半径为R：80mm-120mm。2.根据权利要求1所述的一种新型石英晶振片，其特征在于：所述石英基片边缘倒有圆弧角，该圆弧角半径为r：...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈愿勤，蔡婷，李永芳，
申请(专利权)人：中山泰维电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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