MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法，寻址点火电路包括衬底、绝缘介质层和金属引线；衬底上设置第一层金属引线，然后沉积第一层绝缘介质层作为与第二层金属引线的绝缘层，在第一层绝缘介质层上布置第二层金属引线，然后沉积第二层绝缘介质层作为与第三层金属引线的绝缘层，重复上述工艺，实现多层金属引线的立体化布置。本发明专利技术在垂直于衬底表面的方向上实现多层金属引线的立体布置，将目前基于二维平面的集成度升级成基于三维立体的体集成度，充分利用衬底面积，在不增加芯片面积和工艺难度的基础上，增加金属引线的线宽以提高大电流承受能力。

Addressing ignition circuit for MEMS micro thruster array chip and its preparation method

The invention relates to an addressing ignition circuit and a preparation method for an MEMS microthruster array chip. The addressing ignition circuit includes a substrate, an insulating medium layer and a metal lead. The first layer of metal lead is arranged on the substrate, and the first layer of insulating medium is deposited as an insulating layer with the second layer metal lead, on the first insulating medium. Second layers of metal lead is arranged on the layer, and then the insulating layer of second layers of insulating medium is deposited as the insulating layer of the third layer metal lead. The above process is repeated to realize the three-dimensional layout of the multi-layer metal lead. The invention realizes the stereoscopic arrangement of multi-layer metal lead on the direction perpendicular to the surface of the substrate, and upgrades the integration degree based on the two dimensional plane into the body integration based on the three-dimensional surface, making full use of the substrate area, adding the line width of the metal lead on the basis of the chip area and the process difficulty, and improving the large current. Ability to bear.

【技术实现步骤摘要】
MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法
本专利技术涉及MEMS微推力器阵列芯片技术，具体涉及一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法。
技术介绍
随着MEMS技术和IC技术的发展，微小卫星和微小卫星星座成为国内外研究的热点领域之一，各个航天大国均开展了相关研究。由于受到体积和载荷能力的限制，目前发射的微小卫星均未配备完整的微推进系统，仅具有极为有限的姿态控制能力。由于具有结构简单、体积小、重量轻、便于集成、比冲高和微推力可调等优点，MEMS微推力器阵列芯片技术在微小卫星和微小卫星星座姿轨控
逐渐受到关注。MEMS微推力器阵列芯片中微推力器单元的寻址点火控制依靠点火层寻址点火电路完成。目前，MEMS微推进器阵列芯片点火控制电路采用平面布线设计方法，它具有工艺简单可靠性高等优点，缺点是可扩展性不强，随着MEMS微推力器集成数量的增加布线数量和难度增加迅速，如图1所示，左边是3×3阵列，中间是6×6阵列，右边是8×8阵列，当集成度超过10×10时布线难度变得非常高，引线数量的激增导致引线宽度迅速下降且布线难度呈几何级数上升，严重限制了引线能够承受的最大电流，成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路，其特征在于，包括衬底、金属引线和绝缘介质层；所述金属引线和绝缘介质层均为多层布置，第一层金属引线设置在衬底上，第一层绝缘介质层沉积在第一层金属引线上方，第二层金属引线设置在第一层绝缘介质层上，第二层绝缘介质层沉积在第二层金属引线上方，重复上述布置方式，得到多层金属引线立体化布置的寻址点火电路。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路，其特征在于，包括衬底、金属引线和绝缘介质层；所述金属引线和绝缘介质层均为多层布置，第一层金属引线设置在衬底上，第一层绝缘介质层沉积在第一层金属引线上方，第二层金属引线设置在第一层绝缘介质层上，第二层绝缘介质层沉积在第二层金属引线上方，重复上述布置方式，得到多层金属引线立体化布置的寻址点火电路。2.根据权利要求1所述的MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路，其特征在于，对每一层绝缘介质层的表面进行平坦化。3.根据权利要求1或2所述的MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路，其特征在于，绝缘介质层的材料为氮化硅、二氧化硅或者聚酰亚胺。4.根据权利要求1或2所述的MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路，其特征在于，每一层绝缘介质层的厚度大于该绝缘介质层所覆盖的金属引线厚度。5.一种制备权利要求1所述MEMS微推进...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱健，王守旭，贾世星，杜国平，王冬蕊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32