【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于柔性集成电路封装的热管理相关申请的交叉引用本申请要求享有于2015年9月24日提交的题为“THERMALMANAGEMENTFORFLEXIBLEINTEGRATEDCIRCUITPACKAGES”的美国非临时(技术)专利申请No.14/864,433的优先权,该美国非临时专利申请以全文引用的方式并入本文中。
本公开内容总体上涉及集成电路领域,具体而言,涉及用于柔性集成电路封装的热管理。
技术介绍
集成电路(IC)器件在操作期间产生热。如果这个热导致器件的温度上升到临界水平,则性能可能受损或器件可能发生故障。用于管理传统IC器件所产生的热的传统技术包括使用散热部件和风扇。附图说明通过以下结合附图的具体描述将容易地理解实施例。为了便于描述,相似的附图标记指代相似的结构元件。在附图的图中示例性地而非限制性地说明了实施例。图1是根据各个实施例的柔性集成电路(IC)封装的表示。图2是柔性IC封装的第一示例的侧视图的一部分。图3是根据各个实施例的图2的第一柔性IC封装示例的俯视图的一部分。图4是柔性IC封装的第二示例的侧视图的一部分。图5是根据各个实施例的图4的第二柔性 ...
【技术保护点】
一种柔性集成电路(IC)封装,包括:柔性衬底材料;部件,所述部件布置在所述柔性衬底材料中;沟道,所述沟道布置在所述柔性衬底材料中,所述沟道形成闭合回路,其中,所述沟道的一部分邻近所述部件;多个电极,所述多个电极布置在所述柔性衬底材料中并且位于邻近所述沟道的位置处,其中,所述多个电极耦合到电极控制器以选择性地使所述多个电极中的两个或更多个电极产生电场;以及电解液,所述电解液布置在所述沟道中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.24 US 14/864,4331.一种柔性集成电路(IC)封装,包括:柔性衬底材料;部件,所述部件布置在所述柔性衬底材料中;沟道,所述沟道布置在所述柔性衬底材料中,所述沟道形成闭合回路,其中,所述沟道的一部分邻近所述部件;多个电极,所述多个电极布置在所述柔性衬底材料中并且位于邻近所述沟道的位置处,其中,所述多个电极耦合到电极控制器以选择性地使所述多个电极中的两个或更多个电极产生电场;以及电解液,所述电解液布置在所述沟道中。2.根据权利要求1所述的柔性IC封装,其中,所述柔性衬底材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚二甲基硅氧烷。3.根据权利要求1所述的柔性IC封装,其中:所述部件是第一部件;所述沟道的所述部分是所述沟道的第一部分;所述柔性IC封装还包括布置在所述柔性衬底材料中的第二部件;并且所述沟道的第二部分邻近所述第二部件。4.根据权利要求3所述的柔性IC封装,其中,所述第一部件布置在所述柔性衬底材料的第一层中,所述第二部件布置在所述柔性衬底材料的第二层中,所述第一层不同于所述第二层,并且所述柔性衬底材料的相邻层被印刷电路分隔开。5.根据权利要求4所述的柔性IC封装,其中,所述第一层和所述第二层被所述柔性衬底材料的一层或多层间隔开。6.根据权利要求1所述的柔性IC封装,其中,所述部件布置在所述柔性衬底材料的第一层中,所述沟道的所述部分布置在所述柔性衬底材料的第二层中,并且所述第一层和所述第二层是所述柔性衬底材料的相邻层。7.根据权利要求6所述的柔性IC封装,其中:所述部件是第一部件;所述沟道的所述部分是所述沟道的第一部分;所述柔性IC封装还包括布置在所述柔性衬底材料中的第二部件;所述沟道的第二部分邻近所述第二部件;并且所述第二部件布置在所述柔性衬底材料的第三层中,所述沟道的所述第二部分布置在所述柔性衬底材料的第四层中,并且所述第三层和所述第四层是所述柔性衬底材料的相邻层。8.根据权利要求7所述的柔性IC封装,其中,所述第二层和所述第四层是所述柔性衬底材料的相同层。9.根据权利要求1所述的柔性IC封装,其中,所述多个电极布置在所述柔性衬底材料的层之间。10.根据权利要求1所述的柔性IC封装,其中,所述沟道包括在所述柔性衬底材料的不同层之间延伸的过孔。11.根据权利要求10所述的柔性IC封装,其中,所述过孔在所述柔性衬底材料的第一层与所述柔性衬底材料的第二层之间延伸,并且所述第一层和所述第二层被所述柔性衬底材料的一层或多层间隔开。12.根据权利要求1所述的柔性IC封装,其中:所述部件是第一部件;所述沟道的所述部分是所述沟道的第一部分;所述柔性IC封装还包括布置在所述柔性衬底材料中的第二部件和第三部件;所述沟道的第二部分邻近所述第二部件并且所述沟道的第三部分邻近所述第三部件;并且所述第一部件布置在所述柔性衬底材料的第一层中,所述第二部件布置在所述柔性衬底材料的第二层中,所述第三部件布置在所述柔性衬底材料的第三层中,并且所述第三层布置在所述第一层与所述第二层之间。13.根据权利要求12所述的柔性IC封装,其中,所述沟道的所述第一部分布置在所述第一层与所述第三层之间,并且所述沟道的所...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·库马尔,H·K·达瓦莱斯瓦拉普,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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