半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术能够减少在散热板产生的损伤。在半导体装置(100)中，在散热板(140)的背面的第一接合区(142)形成多个小的凹坑，多个凹坑以部分重合的方式构成。通过对在背面产生了条纹状等的损伤的散热板(140)形成如上所述的多个小的凹坑，并且多个凹坑以部分重合的方式构成，从而能够除去背面的损伤，能够减少损伤。另外，如果在散热板(140)的背面的第一接合区(142)形成如上所述的多个小的凹坑，则该背面的第一接合区(142)的硬度变高。因此，防止对背面的第一接合区(142)由多个凹坑部分重合而构成的散热板(140)的背面产生损伤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
用作电力变换装置等的功率半导体装置具有半导体芯片和层叠基板，该层叠基板具有在正面形成有电路板、在背面形成有金属板的绝缘板，且在电路板上介由焊料设置有半导体芯片。另外，功率半导体装置具有介由焊料设置有该层叠基板的散热板。这种构成被放置于壳体中的功率半导体装置还可以在散热板的背面介由导热膏(thermalcompound)等散热材料安装有散热器。另外，在功率半导体装置中，为了进行焊料接合而对半导体芯片、层叠基板和散热板进行加热。此时，由于各部件之间的热膨胀系数存在差异，所以散热板会产生翘曲。如果在产生了翘曲的散热板与散热器之间产生间隙，则散热材料的厚度变得不均匀，从散热板向散热器的热传导产生偏差，散热性降低。因此，通过在散热板形成加工固化层，能够控制散热板的翘曲。据此，已知有使散热板与散热器紧贴而使散热材料的厚度均匀来抑制散热性降低的方法(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-214284号公报
技术实现思路
技术问题然而，这样的功率半导体装置在其制造过程中，有时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有:半导体芯片；散热器；层叠基板，其具有绝缘板、形成于所述绝缘板的正面的电路板和形成于所述绝缘板的背面的金属板，在所述电路板上设置有所述半导体芯片；以及散热板，在其正面通过接合部件接合所述层叠基板的所述金属板，在其背面隔着散热材料接合有所述散热器，在所述背面的接合有所述散热器的第一接合区形成有多个凹坑，所述多个凹坑以部分重合的方式构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-0701821.一种半导体装置，其特征在于，具有:半导体芯片；散热器；层叠基板，其具有绝缘板、形成于所述绝缘板的正面的电路板和形成于所述绝缘板的背面的金属板，在所述电路板上设置有所述半导体芯片；以及散热板，在其正面通过接合部件接合所述层叠基板的所述金属板，在其背面隔着散热材料接合有所述散热器，在所述背面的接合有所述散热器的第一接合区形成有多个凹坑，所述多个凹坑以部分重合的方式构成。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述散热板的所述第一接合区的算术平均粗糙度为0.5μm以上且4μm以下。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述散热板的所述第一接合区的维氏硬度为140Hv以上且160Hv以下。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述散热板的翘曲变化量为50μm以上且200μm以下。5.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体芯片；层叠基板，其具有绝缘板、形成于所述绝缘板的正面的电路板和形成于所述绝缘板的背面的金属板，在所述电路板上设置有所述半导体芯片；以及散热板，在其正面通过接合部件接合有所述层叠基板的所述金属板，在所述层叠基板的所述金属板的接合有所述散热板的第二接合区以及所述散热板的所述正面的接合有所述层叠基板的所述金属板的第三接合区中的至少一个区域形成有多个凹坑，所述多个凹坑以部分重合的方式构成。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述金属板的所述第二接合区的算术平均粗糙度和所述散热板的所述第三接合区的算术平均粗糙度为0.5μm以上且4μm以下。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述金属板的所述第二接合区的维氏硬度和所述散热板的所述第三接合区的维氏硬度为140Hv以上且160Hv以下。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述散热板的翘曲变化量为50μm以上且200μm以下。9.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体芯片；层叠基板，其具有绝缘板、形成于所述绝缘板的正面的电路板和形成于所述绝缘板的背面的金属板，在所述电路板上设置有所述半导体芯片；以及引线框，其通过接合部件接合于所述半导体芯片，且在接合有所述半导体芯片的第四接合区形成有多个凹坑，所述多个凹坑以部分重合的方式构成。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述引线框的所述第四接合区的算术平均粗糙度为0.5μm以上且4μm以下。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述引线框的所述第四接合区的维氏硬度为140Hv以上且160Hv以下。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：百瀬文彦，齐藤隆，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP